本空白详细规范规定了制订硅双栅场效应晶体管详细规范的基本原则，制订该范围内的所有详细规范应与本空白详细规范一致。本空白详细规范是半导体器件空白详细规范系列中的一个，并应与下列规范一起使用：GB 4589.1《半导体器件分立器件和集成电路总规范》，GB 12560《半导体器件分立器件分规范》 GB/T 15450-1995 硅双栅场效应晶体管空白详细规范 GB/T15450-1995 标准下载解压密码：www.bzxz.net

中华人民共和国国家标准
硅双栅场效应晶体管
空白详
细规范
Blank detail specification for silicondual-gate field-effect transistorsGB/T15450—1995
本窄白详细规范规定了制订硅双栅场效应晶体管详细规范的基本原则，制订该范围内的所有详细规范应与本空白详细规范一致。本空白详细规范是半导休器件空白详细规范系列中的一个，并应与下列规范一起使用：GB4589.1《半导体器件分立器件和集成电路总规范》,GB12560半导体器件分立器件分规范》要求资料：
本页及下页括号内所示的数字，对应于以下要求资料的项目，并列入规定的栏月中。详细规范的识别
（1)批准发布本详细规范的组织：国家标准机构的名称(2)详细规范的[ECQ号。
（3）总规范号，分规范号和版本号。（4)详细规范号，发布日期及国家体系要求的任何更多的资料。器件的识别：
(5)器件类型的简单说明。
(6)典型结构和应用的资料。
如果设计一种器件满足若干应用，则应在详细规范中指出。对于这些应用特性、极限值及检验要求均应满足。
对静电敏感器件,应写上警告说明。(7)外形图和(或)引用有关的外形文件。(8)质量评定类别。
(9)能在器件类型之间比较的最重要的特性参考数据。国家技术监督局1995-01-D5批准1995-08-01实施
评定电了器件质量的根据：
CB/T 15450—1995
GB4589.1《半导体器件分立器件和集成电路总规详细规范号［如果规范号重复IECQ号，（4）范》
GB12560半导体器件分立器件分规范》详细规范
【有关器件的型号)定货资料：见本规范的第7条。1机械说明
外形标准GB7581半导体分立器件外形尺寸》外形图
[可以转到本规范的第10条或在该条中给出更多的细节了
引出端识别：
【表示引出端功能，包括图示符号】标志；{字母、图形或色码]
[如有数据，详细规范应规定标志在器件上的数据
【见总规范的第2.5条或本规范的第6条】【如果采用特殊方法，则需极性标识”则本栏可以不用）
简略说明
双橱场效应晶体管
B型：绝缘栅耗尽型
半导体材料：Si
封装:[空腔和(或)非空腔)
应用：
[注意：静屯敏感器件应遵守预防措施］】插量评定类别
【根据总规范的第2.6条】
参考数据
按本详细规范鉴定合格的器件的有关制造单位的资料，可在现行的合格一览表中查到整个规范，在方括号内给出的条款供指导规范制订若使用，而不包括在详细规范里。整个规范，用于特性和额定值外的“×”表示在详细规范中填入的值。）(8)
4极限值（绝对最大额定值）
GB/T 15450 -1995
除非另有规定，这些极限值在整个工作温度范围内适旧。【只重复使用带标题的条款号。任何附加值应在适当的地方给出，但没有条款号。］［最好在本规范的第10条给出曲线］。条款号
极限值
最低和最高工作温度或管壳温度最低和最高贮存温度
在规定条件下的最高漏源电压
最高反向一栅源电压和二栅源电压(Vs0)
适当·最高正向一栅源电压和二栅源电压源极路时的最高一栅漏电压和一栅滞电压最大漏极电流
耗散功率[应规定通风和(或)安装的特殊要求]温度为函数时的最大耗敬功率或：最高有效沟道温度和耗散功率的绝对极限值\注：1）当4.7.2条中规定广构道温度时，只要求热阻Rh。5电特性
检验要求见本规范第8章。
特性和条件（见总规范的第4章）除非另有规定Tum=25
源极开路二栅漏电压V为零时，最好在最高额定一摄漏电压VG1D下的最大漏泄或截止电流
源极路一栅漏电压VG1D为零时，最好在最高额定二栅漏电压Vc2uo下的最大漏泄或截止电流
漏源短路时，二栅源电压VG为零，最好在最高额定一栅源电压VG1sR下的最大漏泄或截止电流
T anh或 Tene
Vesx或Vrs
或VrR
Panx - f(T)
IGISSR(1)
试验组别
条款号
GB/T15450—1995
特性和条件（见总规范的第4·章）除非另有规定 Tmb—25 ℃
漏源短路时-栅源电压IG1s为零，最好在最高额定二栅源电压Vc2R下的最大漏泄或截止电流
漏源短路时，二栅源电压VG2s为零，最好在最高额定一栅源电压VGtSF下的最大漏泄或截止电流
漏源短路时一栅源电压VGis为零，最好在最高额定二杨源电压Vsr下的最大漏泄或截止电流
在规定Vs和规定Vcas或Ip下的最大橱源漏泄或截止电流
在规定Vrs和规定Vc1s或In下的最大栅源漏泄或截止电流
源极开路时，VGzD为零，Vcin最好在最高额定Vramo的65%和85%之间及高温条件下的最大漏泄或截止电流
源极开路时，VG1为零，Vazp最好在最高额定VG2Do的65%和85%之间及高温条件下的最大漏泄或截止电流
漏源短路时，Vaa为零，Vus最好在最高额定VG1sR的65%和85%之间及高温条件下的最大漏泄或截止电流
漏源短路时，Vuis为零，VGxs最好在最高额定Vc2sk的65%和85%之间及高温条件下的最大漏泄或截止电流
源短路时，Vczs为零，Vr1s最好在最高额定VG1sF的65%和85%之间及高温条件下的最大漏泄或裁止电流
漏源短时,V1s为零,Vc2s最好在最高额定VczsF的65%和85%之间及高温条件下的最大漏泄或截止电流
Ic288R(1)
IcssF(1)
IGzsSFn
VGIDO(2)
IgzLrz
Ic15st2
1心2SSR(2)
Ic1s%F(2)
I955(2)
试验组别
条款号
.5.6.3
GB/T 15450—1995
特性和条件（见总规范的第4章）除非另有规定Tamb=25℃
在规定 Vu,Vs和 I、下的最低和最高一栅源截止电压
在规定 Vne,Vri1s和 I,下的最低和最高二栅源截止电压
在 VGls =0 和规定 Vrs、VG2s下的最小和最大漏极电（直说或脉冲按规定）在规定 Vix和Veas、Vos下的最大漏极截止电流
在 1MHz 及规定 Vus和 VGas、VGis 或 Ir下的最大小信号共源电容
输入电容
输出电容
反馈电容
在规定频率，规定Vps、Vcas.Vcis或Ip下的共源组态最高噪声系数
在规定频率,规定Vrs、VGas、VGis或I下的最高功率增益的最低值
在规定频率,规定Vrs,Vcs、Ve1s或 I下的最小和最大导纳1\
短路输人电导
短路输人电纳
短路输出电导
短路输出电
短路反向转移电导
短路反向转移电纳
短路正向跨导
结到环境或管尧(当引用道有效溢度为额定值时)的最人热阻\
注：1) 适用时，
Vaisafy
Vestan
Im(Yia)
Rutiuab/ae
最小．
试验组别
6标志
GB/T15450—1995
【除了前面(7)栏和（或)总规范的2.5条所给出的外，任何其他特殊资料应在这里给出。］7定货资料
[除非另有规定，定购一种具体器件至少需要以下资料；正确的型号（如果要求还需标称电压值)，当有关时，带版本号和（或）口期的IECQ详细规范标准；一质量评定类别，按分规范第3.7条的规定，如果要求，按照分规范的3.6条所规定的筛选顺序：任何其他细节。
8试验条件和检验要求
[在下列表格中给出试验条件和检验要求，其中使用的数值和确切的试验条件按照给定型号的要求和国家标准有关试验的要求规定。【当在同一详细规范中包括几种器件时，有关条件和（或）数值应以连续的方法给出，其中尽可能避免相同条件和(或)数值的重复。当编与详细规范时，应在各种替换试验或各种试验方法之间进行选择。【本节中，除非另有规定，引用的条款应对应于总规范，而测试方法引自分规范的第4章。】【关于抽择要求，按适用的质量评定类别，参照或重述分规范的第3.7条数值。］［对于A组，详细规范中应选择AQL或LTPD方案。】A 组——逐批
全部试验都是非破坏性的（3.6.6）条件
格验或试验
A1分组
外观目检
A2a分组
木工作器件
A2b分组
禄泄或裁
止电流
Icamoa
【或］
引用标准
4. 2. 1. 1
（见总规范的第4章）
除非另有规定Tml/T=25℃C
VGIp一（最好VGno），
Vua-0,ly=0
Vexn一（最好VGmomux），
Vep=o,1,—0
检验要求极限
VG1S(at) >3VG15()
Ve2ill: 3VG2S(H/mx
【或]IGis>10fussex
Ioas -10fGsm
Veis(ahy0. 1Vessmin
Vosle,<0. 1Ves8min
检验或试验
泄或截
止电流
·榭源截止
二栅源截止
漏极电流
(Vs=0)
漏极截止电
A3分组
短路正向跨
A4分组
噪声系数
IGISSR(1)
IczssRn)
IGISSF()
IG2sSPn
【或】
Vcisali
Vaus(an
引用标准
GB/T 15450—1995
（见总规范的第4章）
除非另有规定Tm/T—25C
Vcis=［最好Voiskm,],
Vc2s=0,Vrs -- 0
Voes=［最好VGSRmar】，
Vc18=0,Vs=0
Veis=[最好 VecIF]+
Vc28 =0,Vrs =
Vc2s=最好 VaG2SFm],
Ves=0,Vus=0
Vrs=[规定],Veas或Ip—【规定】V=［规定],Vc1s或 In=［规定]
Vus-［规定】,Vcgs—［规定】,Ip=［规定】V=C规定】,VGis=［规定】l【规定】Ys=［规定],VGs=0,VGs【规定】(直流或脉冲，按规定)1）
Vms～规定],VGIs =[规定],
Vc=［规定】
Vs=[规定],Ve=[规定]
［规定】,Vs或［规定】
Vs—(热定],Vcas—~规定]
f=[规定],VG1s或I=[规定]】
检验要求极限
注：1）见特性下面有关的条件，如果来用脉冲测量，条件最好是：脉冲宽度=300，占空因数≤2%。GB/T 15450-1995
B组—逐批
（I类情况时，见总规范2.6条）只有标明(D)的试验是破坏性的(3.6.6)LSL=规范下限
USL=规范上限
检验或试验
B1分组
B3分组
引出端强度
适用时
弯曲(D)
B4分组
可焊性
B5分组
温度快速变化
继之为：
湿热循环(D)
【对非空腔器件】
最后测试：
截止或
泄电流\
一栅源截止电压
兰栅源载止电压
(或：)
（对空脱器件了
B8分组
电耐久性
(168 h)此内容来自标准下载网
最后测试：
一源截止电压
二桥源裁止电压
瀚极电流
(Vc15=0)
截止或
福泄电流
CRRL分组
根据A组
Venstati
VGsdtn
VGtstadty
Yoatal
引用标准
1. 2. 2 附录 B
GB 4937半导体分立器件机
械和气候试验方法的2.1.2
GB 4937 中的 2. 2. 1
GB4937中的3.1
GB 4937 中的 3. 7. 5
见本规范的附录 A
（见总规范的第4章）
除非另有规定T一Y
F=[见 GB 4937 的 2. 1. 2]
二最好用焊槽法，
TA=[规定],Ts- 规定]
循环次数
试验 Dh,方法 2,严酯
度55℃,循环饮数-10
［高温反偏或工作寿命]
B3、B4,B5 和 B8 的屏性资料
注：1）按 A2b 分组规定测试截止或漏泄电流。检验要求极限
见本规范的第1条
无扭坏
润湿良好
GB/T 15450—1995
只有标明(D)的试验是破坏性的(3.6.6)LSL=规范下限
USL=规范上限！
检验和试验
C1分姐
C2a分组
输入电容
反读电容
输出电容
输入电导
输入电纳
输出电导
输出电纳
反向转移电导
反向转移电纳
功率增益
C2h分组
根据A纽
截止或漏泄电流
C2d 分组
C3分组
引出端强度
[适用处】
拉力和(或)扭转
Icatox2
TG3R(R)
lest(2
FGasF(2y
Rmb[或
Rih(rcen）
引用标准
（见总规范第4章）
除非另有规定，m=25℃
Vns=［规定],Va2【规定】
VGis或 Iz=[规定】
了［规定】
Vim={规定],Vo=[规定］
VGis或 In［规定]
f［规定】
Vm=[规定],Vu%—[规定】
VGis或 I--[现定],f=[规定]
T =[规定高的],VciT=[最好在 Vcromx的 65%T-071
GB4937中
的 2. 1. 1
或 2. 1. 4
和85%之间门
Ve-0,Is-0
T=[规定高的1,VG=,Ig=0
Vi:2rn=[最好在 Vc2x0m的 65%和 85%之间]r=[规定高的],Vg - 0,Ve2—0
VG1s =E最好在 VGrsRunx的 65%和 85%之间了T=（规定商的),V=0,Va18—0
Ve2s=「最好在Vosm的65%和85%之间】T = L规定高的],Vrs =,Vc2s =0VG1s=【最好在Ve1sm的65%和85%之间】T—_规定高的],V=0,VGsU
:2=[最好在 V(itsrmx的 65%和 85%之间按规定】
检验要求极限
见本规范第1条
无损坏
检验和试验
C4分组
耐焊接热(D)
最后测试：
载裁止或漏泄电流\
一期源截止电压
二栅源裁止电压
C6分组
恒定加速度
【仅对空腔器件】
最后测试：
截止或漏泄电流\
栅源截止电压
一棚源截止屯压
C7分组
稳态湿热(T)
【或}
湿热循环(D)
殿后测试：
同B5分甄
C8分组
电耐久性
(l 000 h)
最后测试
衡源载止电压
二栅源截止电压
正向跨导
漏极电流
(Ve5 -0)+
截止或漏泄电流
VGsref
VGusefl
Vousen
VGasieli
GB/T15450—1995
引用标摊
GB4937中
的2.2. 2
GB4937中
GR4937
中的 3. 5
见本规范
的附录A
（见总规范第4章）
除非另有规定，Iah—25
赋验 Db 方法 2 严醋度 55C循环次数二 10[高温反偏或T作寿命]
检验要求极限
【按规定］
0. RLSL1. 2USI.
0. 8LSL1. 2USL
0. 9LSL j1. 1USL
0. 91.S1.
检验和试验
C9分组
高蕴贮存(D)
最后測试：
·栅源截止电压
二栅源截止电压
正向跨导
漏极电流
(VGis=0))
截止或漏泄电流
C11分组
标志耐久性
CRRL 分组
Vestuty
Veesef
GB/T 15450—1995
引用标准
GB4937中
GB4937中
（见总规范第4章）
除非另有规庭,Iamb—25
至少1000 h在 Tmu下
方法2
C3,C6,C9 和 C11 的属性资料,C8 试验前后的测量数据。注：1)按 A26 分组规定测试截止或漏泄电流。9D 组—.-鉴定批准试验
【当要求时，本试验应在详细规范中规定，（只供鉴定批准用）。D组
检验和试验
18分组
电耐久性
(2 00o h)
最后测试：
同C8分组
CRRL分组
引用标准
现本规范的
附录A
10附加资料(不作检验用）
（见总规范第4章）
除非另有规定 Tamb=25 C
[高温反偏或工作持命]
D8分组试验前后的测量数据。
【只要器件规范和使用需要，就应给出附加资料，例如，最小
检验要求极限
0. 8I.SL1. 2USL
标志应保持情晰
检验要求极限
有关极限值的温度降曲线。
GB/T 15450-1995
一潮试电路或补充方法的完整说明。一详细的外形图。
一适当的地方，有关静电敏感器件的装配预防措施或符号的细节。
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