GB/T 12963-2014
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GB/T 12963-2014 电子级多晶硅
GB/T12963-2014
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标准内容
ICS 29.045
中华人民共和国国家标准
GB/T12963—2014
代替G13/T129632009bZxz.net
电子级多晶硅
Eleclronic-grade polycrystalline silicon2014-12-31发布
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局国国家标准化管理委员会
2015-09-01实施
中华人民共国
国家标雅
电子级多晶硅
G13/T12963
中国标滩出版社出版发行
北京市削阳区和平里西街甲2号（109029）北京市西城区兰里河北街16号（100015）网址:spc.nel.c
总编室：(010)61277323
发行中心：(010)51780235
读若服务部：（010)68523916
中标希出版社秦皇岛印删！印制各地新华书店经销
开88G×1230
2015年1第
印张0.5
孚数 8千字
2015年1月第
次印刷
书号：1550661-50708
价14.00元
由本社发行中心调换
如有印装差错
版权专有
侵权必究
举报电话：（010)68510107
本标推接照GB/T1.1一2009给出的规则起草，GB/T12963—2014
本标雅代臀（F13/1129632009硅多品》。本标摊与G13/T129632009相比，主要有如下变动：增加引用国家标准GI3/T155】、G3/T1557、（G13/T 24574,GI3/T24581,GI3/T24582(现第2帝）；
一增加了多晶硅的技术参数.包括施十杂质浓度、受主杂质浓度、氧浓度、基体金属杂质浓度、表间金属杂质浓度的要求（见表1）；不同等级多品硅的碳浓度山≤.1.5×10atoms/cm2、≤2×10latoms/cm2、≤2×10atoms /cm*修i1为-.4.0X lol\ atom: /em*,<.1.0X l0l\ atoms /cm*,≤1.5X10l6 atoms /cm（表1）
请注意本文件的某些内容可能涉皮专利。本文件的发布机构不承拟识别这些专利的任，本标准由全国半导休设备和材料标化技术委员会（SAC/TC203)和伞国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会（SAC/TC203/S:2)共同提出并归口。本标准起草单位：峨半导体材料研究所、四川新光硅业科技有限责任公司、有研平导体材料股份有限公司、江苏中能硅业科技发展有限公司新特能源股份有限公司、洛阳中硅高科技有限公司。本标准起草人：詹科、杨地、种娜、黎业文、梁洪、孙燕、刘晓霞、银波、H新业、严人洲：本标雄所代替标准的历次版本发布情况为：G13/T 129631991,(G13/T 129631996,G13/T 129632009。1
1范围
电子级多晶硅
GB/T12963—2014
本标推规定了多品硅的要求、试验力法、检验规则以及标志、包装、运输、储存、质量证明书和订货单(合同)内容。
本标谁适用于以氯硅烷、硅烷制得的多晶硅。规范性引用文件
下列文件对于木义件的应用是必不可少的，凡是注Ⅱ期的引用文件,仅注期的版本适用于本义作。凡是不注甘期的引用文件：其最新版本(包括所有的修单)适用本文件。GB/T1550非本征半导休材料导电类型测试方法（G13/\11551硅单品电阳[率测定方法GB/T 1553
殊和铅体内少数载流子寿命测定光电导袋减法GB/T1557硅品休[间隙氧含量的红外吸收测量方法(G13/ 1558
GB/T 4059
GB/T 4060
硅中代位碳原子含量红外吸收测量力法硅多品气氛区熔基磷检验方法
碎多品真空区熔基硼检验方法
(G13/14061
硅多品断面来层化学腐蚀检验力法GB/T 1338
GB/T 14264
G3/T 24574
GB/T 24581
GB/T 24582
3术语和定义
掺硼掺掺砷硅单品电阻率与掺杂剂浓度换算规程半导体材料术语
硅单品中Ⅲ-V族杂质的光致发光测试力法低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单品巾川、族杂质含量的测试方法酸浸敢-感耦合等离了质谱仪测定多晶硅表面金属态质GB/T11264界定的术语和定义适用于本文件，4要求
4.1产品牌号及类别
4.1.1电子级多品硅的牌号表示为：PSi
阿拉伯数字表示多品硅等级
多品硅形状,I为棒状，N为块状
多品硅
4.1.2电了级多品硅接外形分为块状多晶硅和棒状多品硅，根据导电类型分为N型和P型，根据纯度1
iiiKAoNiKAca
GB/T 12963—2014
的差别分为3级。
4.2等级
电子级多品硅的等级及树关技术指标应符合表1的规定。表1电子级多晶硅等级及技术要求项目
施士杂质浓度.10
受主杂质浓度.10-
少数载流子寿命
凝裘度
atoms/cm
氢浓度
aloms/em
其体金层架质浓度.10-
表面金后杂质浓度，10
:4.0×101
Fe,Cr,Ni,Cu,Zn,Na
总金属杂质个量：≤1.0
Fe,Cr.Ni.Cu.Zn.Al.K.N.
总金满杂质含量：多55
注：电阻率值山供需双方协商硫定。4.3尺寸及允许偏差
技术指标要求
电2级
1.0×10le
Fe.Cr,Ni,Cu,Zn,Na
总金属杂质个量：≤1.5
Fe.Cr.Ni.Cu.Zn.Al.K.N.
总金属杂质含最：10.5
电子3级
1.5×1cks
Fe,Cr,Ni,Cu,Zn,Na
总金属杂质个量：22.0
Fe.Cr.Ni.Cu.Zn.Al.K,Na
总金属杂质含量：13
4.3.1块状多品硅具有无舰则的形状和随机尺小分布，其线性尺小最小为6mm，最人为150mm。4.3.2块状多品样的尺寸分布范围成满足：a）6 mm~25 mm的最多占重量的15b）25mm~50mm的片重量的15%~35%，c）50 mm~150 mm 的最少占重量的 65奖，4.3.3块状多品硅的其体尺寸要求叫出供需双方协商确定4.3.4棒状多品硅的直径及长度由供需双方协商确定，其直径允许偏差5%，4.4结构
多品硅应无氙化夹层。
4.5外观质量
4.5.1多晶硅表面结构应致密，平整（断面边缘赖粒不人于3mm）：4.5.2多品硅的外观成无色斑、变色及可见的污染物。5试验方法
5.1多品碎导电类型检验接 GB/T 1550 的定进行：2
GB/T12963—2014
5.2多品巾的施主杂质浓度受主恭质浓度的测试按GB/T24574，GB/T24581或GB/T13389的规定进行。
5.3多品硅少数载流子寿命测试按GB/T1553的规定进行5.4多品硅巾碳浓度测试按GB/T1558.CB/T24581的规定进行。5.5多品硅巾氧浓度测试按GB/T1557的规定进行。5.6多品硅基体金属杂质浓度的测试方法由供需双方协商确定。5.7多品硅衣而金属杂质浓度的测试按GB/T24582的规定进行5.8多品硅基磷电阻率检验按GB/T4059的规定进行。5.9多品硅基硼电阻率检验按GB/T4060的规定进行5.10块状多品硅、棒状多品硅的尺寸及允许偏差用相应精度的量其测量，或由供需双方商定的方法检验：
多品硅氧化夹层的检验按GB/T4061的规定进行。5.11
多品硅的外观质量用日视检脊。6检验规则
6.1检查和验收
6.1.1产品应由供方质量监督部门进行检验.保证产品质量符合本标准及合同的规定·并填写产品质量证明书。
6.1.2需方可对收到的产品进行检验。若检验结果与本标准或合同的规定不符时，成在收到产品之日起3个月内问供方提出，由供需双方协商解决6.2组批
产品应成批提交验收.每批成有-牌号、具有朴同纯度等级和特性，以类似工艺牛产并可追溯牛产条件的同一反应炉次的多品硅组成。6.3检验项目
每批产品成进行施主杂质浓度、受主杂质浓度、碳浓度、氧浓度、寸及充许偏差、结构、外观质量的检验，导电类型、少数载流子命、电阻率，基体金属杂质浓度、表面金属杂质浓度的检验出供需双方协商，
6.4取样与制样
6.4.1供方取样、制样时，基磷电阻率、基硼电阻率的取样、制样按GB/T4059、GB/T 4060进行，断而氧化夹层取样，制样按13/11061逊行。仲裁抽样方案山供需双方商定。6.4.2导电类型、施主杂质浓度、受主杂质涨度、少数流子寿命、碳浓度、氧涨度、八小及允许偏差、外观质量、基体金属杂质含量、表面企属杂质含量的取样山供需双方协商确定，6,5检验结果的判定
6.5.1多品硅的等级山施主杂质裟度、受土杂质浓度、碳浓度、氧涨度、表面金属杂质浓度、基体企属架质浓度判定，在判定项目中程检验结果有一项小介格：则加倍最样对该不介格的项目逊行重复试验。对重复试验结果仍不合格的产品，则判该批产品不合格。6,5,2导电类型、少数载流了寿命，电阻率、尺小及允许偏差、结构、外观质量检验结果的判定由供需双协商确定。
iiKAoNiiKAca
GB/T 12963—2014
7标志，包装运输、贮存及质量证明书7.1标志
包装箱外应标有小心轻放“及“防腐、防潮“学样或标志，并说明：el）需方名称；
b）产品名称、牌号；
r）产品发货件数、净重：
d）供方名称。
7.2包装
多品硅经过洁净处理后，装入高纯洁净的聚乙烯包装袋内.辨封。包装时应防止聚乙烯包装袋破损·以避免产品外来沾污.并按最任方法提供良好保护，装入外包装箱，多品硅的包装也可由供需双方协商决定。
7.3运输
产品在运输过程中应轻装轻卸、勿压勿挤，并采取防震措施。7.4贮存
产品应贮行在清洁、燥环境中。7.5质量证明书
每批产品应附有质量证明书，其上注明：a）供方名称；
b）产品名称及牌号：
c）产品批号：
）产帖毛重,柠重：
e）各项检验结果皮检验部门印记：f）本标准编号：
g）厂日期。
8订货单(或合同)内容
订购木标谁所规范产品的计货单内应包括下列内容：的）产品名称、牌号；
b）本标准编号：
c）木标雍中山供需双力协商的内容;d）其他。
版权专有侵权必究
书号：155066：1-50708
GB/T12963-2014
定价：
14.00 元
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电子级多晶硅
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本标雅代臀（F13/1129632009硅多品》。本标摊与G13/T129632009相比，主要有如下变动：增加引用国家标准GI3/T155】、G3/T1557、（G13/T 24574,GI3/T24581,GI3/T24582(现第2帝）；
一增加了多晶硅的技术参数.包括施十杂质浓度、受主杂质浓度、氧浓度、基体金属杂质浓度、表间金属杂质浓度的要求（见表1）；不同等级多品硅的碳浓度山≤.1.5×10atoms/cm2、≤2×10latoms/cm2、≤2×10atoms /cm*修i1为-.4.0X lol\ atom: /em*,<.1.0X l0l\ atoms /cm*,≤1.5X10l6 atoms /cm（表1）
请注意本文件的某些内容可能涉皮专利。本文件的发布机构不承拟识别这些专利的任，本标准由全国半导休设备和材料标化技术委员会（SAC/TC203)和伞国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会（SAC/TC203/S:2)共同提出并归口。本标准起草单位：峨半导体材料研究所、四川新光硅业科技有限责任公司、有研平导体材料股份有限公司、江苏中能硅业科技发展有限公司新特能源股份有限公司、洛阳中硅高科技有限公司。本标准起草人：詹科、杨地、种娜、黎业文、梁洪、孙燕、刘晓霞、银波、H新业、严人洲：本标雄所代替标准的历次版本发布情况为：G13/T 129631991,(G13/T 129631996,G13/T 129632009。1
1范围
电子级多晶硅
GB/T12963—2014
本标推规定了多品硅的要求、试验力法、检验规则以及标志、包装、运输、储存、质量证明书和订货单(合同)内容。
本标谁适用于以氯硅烷、硅烷制得的多晶硅。规范性引用文件
下列文件对于木义件的应用是必不可少的，凡是注Ⅱ期的引用文件,仅注期的版本适用于本义作。凡是不注甘期的引用文件：其最新版本(包括所有的修单)适用本文件。GB/T1550非本征半导休材料导电类型测试方法（G13/\11551硅单品电阳[率测定方法GB/T 1553
殊和铅体内少数载流子寿命测定光电导袋减法GB/T1557硅品休[间隙氧含量的红外吸收测量方法(G13/ 1558
GB/T 4059
GB/T 4060
硅中代位碳原子含量红外吸收测量力法硅多品气氛区熔基磷检验方法
碎多品真空区熔基硼检验方法
(G13/14061
硅多品断面来层化学腐蚀检验力法GB/T 1338
GB/T 14264
G3/T 24574
GB/T 24581
GB/T 24582
3术语和定义
掺硼掺掺砷硅单品电阻率与掺杂剂浓度换算规程半导体材料术语
硅单品中Ⅲ-V族杂质的光致发光测试力法低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单品巾川、族杂质含量的测试方法酸浸敢-感耦合等离了质谱仪测定多晶硅表面金属态质GB/T11264界定的术语和定义适用于本文件，4要求
4.1产品牌号及类别
4.1.1电子级多品硅的牌号表示为：PSi
阿拉伯数字表示多品硅等级
多品硅形状,I为棒状，N为块状
多品硅
4.1.2电了级多品硅接外形分为块状多晶硅和棒状多品硅，根据导电类型分为N型和P型，根据纯度1
iiiKAoNiKAca
GB/T 12963—2014
的差别分为3级。
4.2等级
电子级多品硅的等级及树关技术指标应符合表1的规定。表1电子级多晶硅等级及技术要求项目
施士杂质浓度.10
受主杂质浓度.10-
少数载流子寿命
凝裘度
atoms/cm
氢浓度
aloms/em
其体金层架质浓度.10-
表面金后杂质浓度，10
:4.0×101
Fe,Cr,Ni,Cu,Zn,Na
总金属杂质个量：≤1.0
Fe,Cr.Ni.Cu.Zn.Al.K.N.
总金满杂质含量：多55
注：电阻率值山供需双方协商硫定。4.3尺寸及允许偏差
技术指标要求
电2级
1.0×10le
Fe.Cr,Ni,Cu,Zn,Na
总金属杂质个量：≤1.5
Fe.Cr.Ni.Cu.Zn.Al.K.N.
总金属杂质含最：10.5
电子3级
1.5×1cks
Fe,Cr,Ni,Cu,Zn,Na
总金属杂质个量：22.0
Fe.Cr.Ni.Cu.Zn.Al.K,Na
总金属杂质含量：13
4.3.1块状多品硅具有无舰则的形状和随机尺小分布，其线性尺小最小为6mm，最人为150mm。4.3.2块状多品样的尺寸分布范围成满足：a）6 mm~25 mm的最多占重量的15b）25mm~50mm的片重量的15%~35%，c）50 mm~150 mm 的最少占重量的 65奖，4.3.3块状多品硅的其体尺寸要求叫出供需双方协商确定4.3.4棒状多品硅的直径及长度由供需双方协商确定，其直径允许偏差5%，4.4结构
多品硅应无氙化夹层。
4.5外观质量
4.5.1多晶硅表面结构应致密，平整（断面边缘赖粒不人于3mm）：4.5.2多品硅的外观成无色斑、变色及可见的污染物。5试验方法
5.1多品碎导电类型检验接 GB/T 1550 的定进行：2
GB/T12963—2014
5.2多品巾的施主杂质浓度受主恭质浓度的测试按GB/T24574，GB/T24581或GB/T13389的规定进行。
5.3多品硅少数载流子寿命测试按GB/T1553的规定进行5.4多品硅巾碳浓度测试按GB/T1558.CB/T24581的规定进行。5.5多品硅巾氧浓度测试按GB/T1557的规定进行。5.6多品硅基体金属杂质浓度的测试方法由供需双方协商确定。5.7多品硅衣而金属杂质浓度的测试按GB/T24582的规定进行5.8多品硅基磷电阻率检验按GB/T4059的规定进行。5.9多品硅基硼电阻率检验按GB/T4060的规定进行5.10块状多品硅、棒状多品硅的尺寸及允许偏差用相应精度的量其测量，或由供需双方商定的方法检验：
多品硅氧化夹层的检验按GB/T4061的规定进行。5.11
多品硅的外观质量用日视检脊。6检验规则
6.1检查和验收
6.1.1产品应由供方质量监督部门进行检验.保证产品质量符合本标准及合同的规定·并填写产品质量证明书。
6.1.2需方可对收到的产品进行检验。若检验结果与本标准或合同的规定不符时，成在收到产品之日起3个月内问供方提出，由供需双方协商解决6.2组批
产品应成批提交验收.每批成有-牌号、具有朴同纯度等级和特性，以类似工艺牛产并可追溯牛产条件的同一反应炉次的多品硅组成。6.3检验项目
每批产品成进行施主杂质浓度、受主杂质浓度、碳浓度、氧浓度、寸及充许偏差、结构、外观质量的检验，导电类型、少数载流子命、电阻率，基体金属杂质浓度、表面金属杂质浓度的检验出供需双方协商，
6.4取样与制样
6.4.1供方取样、制样时，基磷电阻率、基硼电阻率的取样、制样按GB/T4059、GB/T 4060进行，断而氧化夹层取样，制样按13/11061逊行。仲裁抽样方案山供需双方商定。6.4.2导电类型、施主杂质浓度、受主杂质涨度、少数流子寿命、碳浓度、氧涨度、八小及允许偏差、外观质量、基体金属杂质含量、表面企属杂质含量的取样山供需双方协商确定，6,5检验结果的判定
6.5.1多品硅的等级山施主杂质裟度、受土杂质浓度、碳浓度、氧涨度、表面金属杂质浓度、基体企属架质浓度判定，在判定项目中程检验结果有一项小介格：则加倍最样对该不介格的项目逊行重复试验。对重复试验结果仍不合格的产品，则判该批产品不合格。6,5,2导电类型、少数载流了寿命，电阻率、尺小及允许偏差、结构、外观质量检验结果的判定由供需双协商确定。
iiKAoNiiKAca
GB/T 12963—2014
7标志，包装运输、贮存及质量证明书7.1标志
包装箱外应标有小心轻放“及“防腐、防潮“学样或标志，并说明：el）需方名称；
b）产品名称、牌号；
r）产品发货件数、净重：
d）供方名称。
7.2包装
多品硅经过洁净处理后，装入高纯洁净的聚乙烯包装袋内.辨封。包装时应防止聚乙烯包装袋破损·以避免产品外来沾污.并按最任方法提供良好保护，装入外包装箱，多品硅的包装也可由供需双方协商决定。
7.3运输
产品在运输过程中应轻装轻卸、勿压勿挤，并采取防震措施。7.4贮存
产品应贮行在清洁、燥环境中。7.5质量证明书
每批产品应附有质量证明书，其上注明：a）供方名称；
b）产品名称及牌号：
c）产品批号：
）产帖毛重,柠重：
e）各项检验结果皮检验部门印记：f）本标准编号：
g）厂日期。
8订货单(或合同)内容
订购木标谁所规范产品的计货单内应包括下列内容：的）产品名称、牌号；
b）本标准编号：
c）木标雍中山供需双力协商的内容;d）其他。
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