GB/T 29055-2012
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GB/T 29055-2012 太阳电池用多晶硅片
GB/T29055-2012
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标准内容
ICS29.045
中华人民共和国国家标准
GB/T 29055--2012
大阳电池用多晶硅
Multi-crysialliae sllcon wurar for solar ce2012-12-31发布
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局中国国家标雅化管理委员会
2013-10-01 实施
市华人彩共动园
国家际准
太阳电池用多晶硅片
GB/T 2DC35---2012
中国标连活版社出版发行
北京市朝阳区和里西街市2号（1GG13）北京市洲城区-里河北街16号（100045）网hl: spe, net, ca
发行中心：（10351780237
总编线：010164275323
谈服务部：（010）68523946
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本889×1230
印张 C.5
字数群学
第-版2013年4月篇一次璟刷
2013年，月篇
5/: 135066 · 2-46637
如有印装差错
吉：白本社发行中心调换
版权专有傻权必究
举报电话：(010)68510107
本标谁按照GB/T 1.1--2009 给出的规购起草。GE/29055—2912
本标出全同半导体设备和材料标摊化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)归口。本标准起草单位：江西赛维I.DK太阳能高科技有限公司、宁波晶元太阳能有限公可，无锡尚德太明能电力有限公司，
本标主要起草人：万跃、康骏，孙世龙、游达、米华英、刘林艳、段衡红。范照
太阳电池用多晶硅片
GB/T 29055--2012
本标雅规您了太阳电滤用多晶硅片的术语定义，等号及缩略语、品分类，技术要戏、试验方法，检测规赠以及标志、包装，送输、存等。容标准适雨子铸锭多品如片垂直于长晶方尚生产的太陶电独用多晶硅片，规葱性引用文件
下列文件对于本文件的应期是必不可少的。凡是痒尚期的引期文件，仅法日期的版本避本支待。凡是不注自期的用文件，其最新瓶本(包括所有的修效单)运用于本文件GB/T1550非本征半导体材料导市类潮测试方法G比/T1551延单晶电阻率测定力法G1/T2828.1计数独样检验秩序第1部分：按接教质最限（AQ1）检紫的逐批检验批祥计则G8/T6816
GB/T GGI8
G/T E010
半导体硅片庭阴率没硅游膜蘑底市阻测试方法非接触竭流法片厚度和总厚度变化诞论方法
硅片弯旺度测试方法
G8/T14264半导体材料术语
GB/T2S05太阳能级诗造多品碎块SLV1MF1535用微波授册非接趣光意寻衰减法诞讼建片载戴流子复合寿命两高法3术谱和定义
G1/T14.281异定的以及下列术语利定义适冠一本文件。3.1
esa s acs
密集线痕
硅决奶剖对，性硅厅表面蜜下的搭集弹刻痕，4 外形片寸分类
太阳起池用多晶硅片的规格系列见表1,在表1中太列出的尺寸规格婴录恶慎髓双方协鹿，表太阳电池用多晶硅片规格蒸列外形尺寸/mm
造片厚度/μm
125x125
156x156
GB/T 29055---2012
5要求
5.1表面质晕
5.1.1础片外观要求表面洁净,无游污、也斑、局视裂纹,孔润等月视缺陷5.1.2础片表面允许有深度~0.5mm1,长度1.0mm的最边缺陷整片≤2处.不允许“V\型缺角的期近缺陷。
5.1.3硅片分许有深度0.3mm的边缘缺陷，并且边缘缺陷的单边累积长度应.10mm。5.1.4硅片表而分许存在长度10n范愿内品粒的数量10个5.2尺对规格
太阳电池用多晶旌片的尺可偏差应符合裘的卖求，如用户有特殊要求时，山供需双方协商。表2太阳电池用多晶链片尺寸偏差要求项目
外形尺
倒角尺/n:m
在片草度T/μm
TTV(总原需变化)/
欢曲意/
相邻两边的無食度
点系线痕Ry依/u.
密崇型线症数/条
5.3性能
偏兴数求
ac*.c.25*
5 Rylu n 时总数效限影, Ryo μr时硅片线数摄应1条
5.3.1电酬率：范阅为（0.5~~3.0)Q，r，球由供需双方协新。5.3.2导电类型：P型或向供需双方协商。5.3.3间隙氧浓度：间隙氧浓度应小于8×101atcms/cm，或由供需双方办留。5.3.4代位碳浓度：代位碳含量应小于5×10a.mml/cm，或中供普双方办离5.3.5少于寿命：平均少了命应人于：u5，或由伏带双方协商。6试验方法
6.1表面质量：在4301x~5501x光强度的荧光灯或第凸灯下口视进行。6.2外形尺寸：用游标卡尺或相应精度的整具进行。6.3厚度测最及TTV测量按GI3/T6618进行。6.4弯度检验按GB/T 6619 进行,或山供需双方协商。6.5邻两速的暴直度：用万能角尺或析应精度的暨具选行6.6线痕度取单条线痕最大处用表面粗度测试仪在垂直线痕龙右5mm1草围内测量该线痕的被2
差值（Ry)，当存在多条线痕射应逊行多次测最最最大值，6. 7电创率检验接 GB/T 1551 或 G3/T 6616邀行。6.8予良类型检验接GB/T1550进行。SB/299552012
6.9间膝氧液度的检验参考6B/T290544太能级铸多品球块的间原含最的测量结渠，6.10代位碳浓度的检验参者GB/T29054中太能级铸造多晶础块的代位碳含量的测量结果。少子是命的检验参者太阳能级策遵多品硅缺少子命的测量结果或SEMIMFIS35计太阳能级6. 113
铸造多最硅片的载流子复合寿命的测量结果。7检验规则
7.1检验和验
7.1.1产品应出供方技术（质追）监整部门进行验，保证产品质氧符合术标的规定，并填产品顾最保证书。
7.1.2需方可对收测的产品按本标准（胶订贷全问)进行验验若检流结果与本标准（或订货合同)的数定不符时：应在收到产品之国三个月内间供方费的，出洪端双方协商解决，7.2组批
每批应止相同尺计和村同急阻率范萄庭片组成7.3验验项目
硅片检验的项目有：导案类型、电鼠率范西、表简质量、外形和元何只时等。7.4驱样及检验结果的新定
硅片轴格按G3/T2829.1正带途登-款动祥力来进行，具体的相样项售检咨水平样个格质量水义如表3所示，或声供带求方商定。表3检谢项三、检登水乎和合格质量水平座号
桩验项目
外形尺节
倒尺于
谁片厚度
总厚度变化
线症深度
剂邻两这的轰点应
导虽类型
庭阳率范国
崩边/缺门
德式外姚及
浓润质盛
硅片达缘
炭三质母
猴配水乎
KAONirKAca
合粘质总永平(AOL)
GB/T 29055—2012
8标志、包装、运输和贮存
8.1标志、包装
8.1.1产品封装于相应规格包装盒及包装箱内，并在包裂盒,箱内填满具有减虑作用的琪充物，防比症片和包装盒松动。特殊仙装由供靠双方商。8.1.2包装箱外应标有“小心轻放”“防腐”、“防潮”宰群或标志，并注明：a）需方名称，地点；
h）产品名称及规格；
）产品毛重、净量：
d）严品件数；
供方名称：
8.2运输、贮存
8.2.1产品在运输过极中戚轻装轻简,严禁施捞,勿挤压，Ⅱ应采敢防震、防潮措施。8.2.2产品应购存在清洁、于染的还境卡。8.3质量保证书
每批产品应有质擎证期书，与明：供方名数：
b）产品名称及规格；
r）产品批号；
(1)产品片数;
各项参数检验结果和检验部门的印记；e>
本标雅编号：
）出严昌期。
9订货单（惑合同)内容
订购本标准所列产品的货单(或合同)逝包括下列内容：a）外形和尺寸；
b）型号：
c）数量；
d）本标准编号；
e）其他。
版权专有侵权必究
书：155066：115637
GB/T 29055-2012
印H期:20419 P00
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中华人民共和国国家标准
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GB/T GGI8
G/T E010
半导体硅片庭阴率没硅游膜蘑底市阻测试方法非接触竭流法片厚度和总厚度变化诞论方法
硅片弯旺度测试方法
G8/T14264半导体材料术语
GB/T2S05太阳能级诗造多品碎块SLV1MF1535用微波授册非接趣光意寻衰减法诞讼建片载戴流子复合寿命两高法3术谱和定义
G1/T14.281异定的以及下列术语利定义适冠一本文件。3.1
esa s acs
密集线痕
硅决奶剖对，性硅厅表面蜜下的搭集弹刻痕，4 外形片寸分类
太阳起池用多晶硅片的规格系列见表1,在表1中太列出的尺寸规格婴录恶慎髓双方协鹿，表太阳电池用多晶硅片规格蒸列外形尺寸/mm
造片厚度/μm
125x125
156x156
GB/T 29055---2012
5要求
5.1表面质晕
5.1.1础片外观要求表面洁净,无游污、也斑、局视裂纹,孔润等月视缺陷5.1.2础片表面允许有深度~0.5mm1,长度1.0mm的最边缺陷整片≤2处.不允许“V\型缺角的期近缺陷。
5.1.3硅片分许有深度0.3mm的边缘缺陷，并且边缘缺陷的单边累积长度应.10mm。5.1.4硅片表而分许存在长度10n范愿内品粒的数量10个5.2尺对规格
太阳电池用多晶旌片的尺可偏差应符合裘的卖求，如用户有特殊要求时，山供需双方协商。表2太阳电池用多晶链片尺寸偏差要求项目
外形尺
倒角尺/n:m
在片草度T/μm
TTV(总原需变化)/
欢曲意/
相邻两边的無食度
点系线痕Ry依/u.
密崇型线症数/条
5.3性能
偏兴数求
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5 Rylu n 时总数效限影, Ryo μr时硅片线数摄应1条
5.3.1电酬率：范阅为（0.5~~3.0)Q，r，球由供需双方协新。5.3.2导电类型：P型或向供需双方协商。5.3.3间隙氧浓度：间隙氧浓度应小于8×101atcms/cm，或由供需双方办留。5.3.4代位碳浓度：代位碳含量应小于5×10a.mml/cm，或中供普双方办离5.3.5少于寿命：平均少了命应人于：u5，或由伏带双方协商。6试验方法
6.1表面质量：在4301x~5501x光强度的荧光灯或第凸灯下口视进行。6.2外形尺寸：用游标卡尺或相应精度的整具进行。6.3厚度测最及TTV测量按GI3/T6618进行。6.4弯度检验按GB/T 6619 进行,或山供需双方协商。6.5邻两速的暴直度：用万能角尺或析应精度的暨具选行6.6线痕度取单条线痕最大处用表面粗度测试仪在垂直线痕龙右5mm1草围内测量该线痕的被2
差值（Ry)，当存在多条线痕射应逊行多次测最最最大值，6. 7电创率检验接 GB/T 1551 或 G3/T 6616邀行。6.8予良类型检验接GB/T1550进行。SB/299552012
6.9间膝氧液度的检验参考6B/T290544太能级铸多品球块的间原含最的测量结渠，6.10代位碳浓度的检验参者GB/T29054中太能级铸造多晶础块的代位碳含量的测量结果。少子是命的检验参者太阳能级策遵多品硅缺少子命的测量结果或SEMIMFIS35计太阳能级6. 113
铸造多最硅片的载流子复合寿命的测量结果。7检验规则
7.1检验和验
7.1.1产品应出供方技术（质追）监整部门进行验，保证产品质氧符合术标的规定，并填产品顾最保证书。
7.1.2需方可对收测的产品按本标准（胶订贷全问)进行验验若检流结果与本标准（或订货合同)的数定不符时：应在收到产品之国三个月内间供方费的，出洪端双方协商解决，7.2组批
每批应止相同尺计和村同急阻率范萄庭片组成7.3验验项目
硅片检验的项目有：导案类型、电鼠率范西、表简质量、外形和元何只时等。7.4驱样及检验结果的新定
硅片轴格按G3/T2829.1正带途登-款动祥力来进行，具体的相样项售检咨水平样个格质量水义如表3所示，或声供带求方商定。表3检谢项三、检登水乎和合格质量水平座号
桩验项目
外形尺节
倒尺于
谁片厚度
总厚度变化
线症深度
剂邻两这的轰点应
导虽类型
庭阳率范国
崩边/缺门
德式外姚及
浓润质盛
硅片达缘
炭三质母
猴配水乎
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GB/T 29055—2012
8标志、包装、运输和贮存
8.1标志、包装
8.1.1产品封装于相应规格包装盒及包装箱内，并在包裂盒,箱内填满具有减虑作用的琪充物，防比症片和包装盒松动。特殊仙装由供靠双方商。8.1.2包装箱外应标有“小心轻放”“防腐”、“防潮”宰群或标志，并注明：a）需方名称，地点；
h）产品名称及规格；
）产品毛重、净量：
d）严品件数；
供方名称：
8.2运输、贮存
8.2.1产品在运输过极中戚轻装轻简,严禁施捞,勿挤压，Ⅱ应采敢防震、防潮措施。8.2.2产品应购存在清洁、于染的还境卡。8.3质量保证书
每批产品应有质擎证期书，与明：供方名数：
b）产品名称及规格；
r）产品批号；
(1)产品片数;
各项参数检验结果和检验部门的印记；e>
本标雅编号：
）出严昌期。
9订货单（惑合同)内容
订购本标准所列产品的货单(或合同)逝包括下列内容：a）外形和尺寸；
b）型号：
c）数量；
d）本标准编号；
e）其他。
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