GB 50809-2012.Code for design of silicon integrated circuits wafer fab.
1总则
1.0.1 为在硅集成电路芯片工厂设计中贯彻执行国家现行法律、法规,满足硅集成电路芯片生产要求，确保人身和财产安全,做到安全适用、技术先进、经济合理、环境友好,制定本规范。
1.0.2 GB 50809适用于新建、改建和扩建的硅集成电路芯片工厂的工程设计。
1.0.3 硅集成电路芯片工厂的设计应满足硅集成电路芯片生产工艺要求,同时应为施工安装、调试检测、安全运行、维护管理提供必要条件。
1.0.4 硅集成电路芯片工厂的设计,除应符合本规范外,尚应符合国家现行有关标准的规定。
2术语
2.0.1 硅片 wafer
从拉伸长出的高纯度单晶硅的晶锭经滚圆、切片及抛光等工序加工后所形成的硅单晶薄片。
2.0.2 线宽 critical dimension
为所加工的集成电路电路图形中最小线条宽度,也称为特征尺寸。
2.0.3 洁净室 clean room
空气悬浮粒子浓度受控的房间。
2.0.4 空气分子污染 airborne molecular contaminant
空气中所含的对集成电路芯片制造产生有害影响的分子污染物。
2.0.5 标准机械接口 standard mechanical interface
适用于不同生产设备的一种通用型接口装置,可将硅片自动载人设备,并在加工结束后将硅片送出,同时保护硅片不受外界环境污染。
2.0.6 港湾式布置 bay and chase
生产工艺设备按不同的洁净等级进行布置,并以隔墙分隔生产区和维修区。

S/N:1580177·963
国计美
cn9365.0r0
净兵旅版姆查真饮
统一书号：1580177·963
价：18.00元
硅集成电路芯片
设计规范
中华人民共和国国家标准
2013.3.27
GB50809-2012
硅集成电路芯片工厂设计规范
Code for design of silicon integrated circuits waferfab2012-10-11发布
2012-12-01实施
中华人民共和国住房和城乡建设部中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局联合发布
中华人民共和国国家标准
硅集成电路芯片工厂设计规范
Code for design of silicon integrated circuits wafer fabGB50809-2012免费标准下载网bzxz
主编部门：中华人民共和国工业和信息化部批准部门：中华人民共和国住房和城乡建设部施行H期：2012年12月1H
中国计划出版社
2012北
中华人民共和国国家标准
硅集成电路芯片工厂设计规范
GB50809-2012
中国计划出版社出版
网址：jhpress.com
地址：北京市西城区木辉地北里中11号国宏大厦C座4层邮政编码：100038电话：（010）63906433（发行部）新华书店北京发行所发行
北京世知印务有限公司印剧
850mm×1168mm1/323印张76千字2012年12月第1版2012年12月第1次印刷☆
统—书号：1580177·963
定价：18.00元
侵权必究
版权所有
侵权举报电话：（010）53906404如有印装质量问题，请寄本社出版部调换中华人民共和国住房和城乡建设部公告第1497号
住房城乡建设部关于发布国家标准《硅集成电路芯片工厂设计规范》的公告现批准《硅集成电路芯片工厂设计规范》为国家标准，编号为GB50809一2012，自2012年12月1日起实施。其中，第5.2.1、5.3.1、8.2.4、8.3.11条为强制性条文，必须严格执行。本规范由我部标准定额研究所组织中国计划出版社出版发行。
中华人民共和国住房和城乡建设部2012年10月11日
本规范是根据原建设部《关于印发<2008年工程建设标准规范制定、修订计划>的通知（第二批）》（建标【2008]105号）的要求，由信息产业电子第十一研究院科技工程股份有限公司会同有关单位共同编制完成。
在规范编制过程中，编写组根据我国硅集成电路芯片工厂的设计、建造和运行的实际情况，进行了大量调查研究，同时考虑我国目前集成电路生产的现状，对国外的有关规范进行深入的研读：广泛征求了全国有关单位与个人的意见，并反复修改，最后经审查定稿。
本规范共分12章，主要内容包括：总则、术语、工艺设计、总体设计、建筑与结构、防微振、冷热源、给排水及消防、电气、工艺相关系统、空间管理、环境安全卫生等。本规范中以黑体字标志的条文为强制性条文，必须严格执行。本规范由住房和城乡建设部负责管理和对强制性条文的解释，由工业和信息化部负责日常管理，由信息产业电子第十一设计研究院科技工程股份有限公司负责具体技术内容的解释。本规范在执行过程中，请各单位结合工程实践，认真总结经验，如发现需要修改和补充之处，请将意见和建议寄至信息产业电子第十一设计研究院科技工程股份有限公司《硅集成电路芯片工厂设计规范管理组（地址：四川省成都市双林路251号，邮政编码：610021，传真：02884333172），以便今后修订时参考。本规范主编单位、参编单位、主要起草人和主要审查人：主编单位：信息产业电子第十设计研究院科技工程股份有限公司
iKAoNiKAca-
信息产业部电子工程标准定额站参编单位：中国电子工程设计院中芯国际集成电路制造有限公司上海华虹NEC微电子有限公司
主要起草人：王毅勃
王明云
黄华敬
朱琳刘娟
徐小诚刘姗宏
主要审查人：陈霖新
周礼脊
薛长立
刘嵘侃
夏双兵
刘序忠
韩方俊
李东升
肖劲戈
高艳敏
王天龙
毛煜林
江元升
谢志雯
朱海英
刘志弘
3工艺设计
3.1一般规定
3.2技术选择
3.3工艺布局
4总体设计
4.1厂址选择
4.2总体规划及布局
5建筑与结构
5.1建筑
5.2结构
5.3防火疏散
6防微振
6.1般规定
6.2结构
6.3机械
7冷热源
给排水及消防
一般规定
给排水
灭火器
（10)
(10）)
（11)
（14)
（14)
供配电
防静电
通信与安全保护
电磁屏蔽
工艺相关系统
10.1净化区
工艺排风
纯水·
工艺循环冷却水
10.5大宗气体
干燥压缩空气
10.8真空
10.9特种气体
10.10化学品
空间管理
12环境安全卫生
本规范用词说明
引用标准名录
附：条文说明
（18)
（24)
（25)
（27)
（27)
（28)
（29)
（30)
（32)
General provisions
3Processdesign
3.1 General requirement
3.2 Technology selection
3.3 Process layout
4 Site master design
4.1 Site selection
Contents
4.2 Overall planning anid plan layout5Architecture and structure
5.1, Architecture
5.2 Structure
5.3Fire evacuation
6Microvibration...
6. 1 General requirement
6.2 Structure
6.3 Machinery
7 Utilities....
Plumbing and fireprotection
8.1 General requirement
8.2Water supplyand drainagc
8.3Fire protection
Fire hydrant
9Electrical
IKAoNiiKAca
9.1Powersupplyand distribution9.2Lighting
9.3 Grounding
9.4Protection of electrostaticdischarge9.5 Telecommunication and safety9.6Electromagnetic compatibilityl0Processrelated systems
10.1 Clean room
Process exhaust
Purewater
Waste wate
Process recirculated cooling water10.5
Bulkgases
Compresseddryair
Vacuum
Specialtygases
10.10Chemicals
llSpacemanagement
12Environment,safetyand healthExplanation of wording in this codeList of quoted standards
Addition: Explanation of provisions-
（35)
1.0.1为在硅集成电路芯片工厂设计中贯彻执行国家现行法律、法规，满足硅集成电路芯片生产要求，确保人身和财产安全，做到安全适用、技术先进、经济合理、环境友好，制定本规范。1.0.2本规范适用于新建、改建和扩建的硅集成电路芯片工厂的工程设计。
1.0.3硅集成电路芯片工厂的设计应满足硅集成电路芯片生产工艺要求，同时应为施工安装、调试检测、安全运行、维护管理提供必要条件。
1.0.4硅集成电路芯片工厂的设计，除应符合本规范外，尚应符合国家现行有关标准的规定。
2.0.1硅片
2术语
从拉伸长出的高纯度单晶硅的晶锭经滚圆、切片及抛光等工序加工后所形成的硅单晶薄片。2.0.2线宽
critical dimension
为所加工的集成电路电路图形中最小线条宽度，也称为特征尺寸。
2.0.3洁净室
clean room
空气悬浮粒子浓度受控的房间。2.0.4空气分子污染
airborne molecular contaminant空气中所含的对集成电路芯片制造产生有害影响的分子污染物。
标准机械接口
standard mechanical interface适用于不同生产设备的一种通用型接口装置，可将硅片自动载人设备：并在加工结束后将硅片送出，同时保护硅片不受外界环境污染。
2.0.6港湾式布置
bay and chase
生产工艺设备按不同的洁净等级进行布置，并以隔墙分隔生产区和维修区。
2.0.7大空间式布置
ball room
生产工艺设备布置在同一个区域，全区采用同一洁净等级，未划分生产区和维修区。
2.0.8白动物料处理系统
tem(AMHS)
automatic material handling sys在硅集成电路芯片工厂内部将硅片和掩模板在不同的工艺设2.
备或不同的存储区域之问进行传输、存储和分发的自动化系统2.0.9纯水
purewater
根据生产需要，去除生产所不希望保留的各种离子以及其他杂质的水。
2.0.10紧急应变中心
emergency response center
内设各种安全报警系统和救灾设备的安全值班室，为24h事故处理中心和指挥中心。
iKAoNikAca
3工艺设计
3.1一般规定
3.1.1硅集成电路芯片工厂的工艺设计应符合下列要求：1满足产品生产的成品率的要求；2满足工厂产能的要求；
3具有工厂今后扩展的灵活性；
4满足节能、环保、职业卫生与安全方面的要求3.1.2硅集成电路芯片工厂设计时应合理设置各种生产条件，在满足硅集成电路生产要求的前提下，宜投资少、运行费用低、生产效率高。
3.2技术选择
3.2.1生产的工艺技术和配套的设备应按硅集成电路芯片工厂的产品类型、月最大产能、生产制造周期、投资金额、长期发展进程等因素确定，
3.2.2对于线宽在0.35um及以上工艺的硅集成电路的研发和生产，宜采用4英寸~6英寸芯片生产设备进行加工。3.2.3对于线宽在0.13um及以上工艺的硅集成电路的研发和生产，宜采用8英寸芯片生产设备进行加工。3.2.4对于线宽在20nm～90nm工艺及以下的硅集成电路的研发和生产，宜采用12英寸芯片生产设备进行加工。3.3工艺布局
3.3.1工艺布置应满足产品类型、规划和产能目标的要求。3.3.2工艺布局应根据生产工序分为包含光刻、刻蚀、清洗、·4.
氧化/扩散、溅射、化学气相淀积、离子注入等工序在内的核心生产区，以及包括更衣、物料净化、测试等工序在内的生产支持区。
3.3.3核心生产区的布局应围绕光刻工序为中心进行布置（图3.3.3），工艺布局应缩短硅片传送距离，并应避免硅片发生工序间交叉污染。
生产支持区
(无图形的单
晶硅片
（测试/筛选
核心生产区
氧化/扩散
化学气相
离了注入！
保护层
图3.3.3硅集成电路芯片生产T艺流程3.3.44英寸6英寸芯片核心生产区宜采用港湾式布局。3.3.58英寸~12英寸芯片核心生产区宜采用微环境和标准机械接口系统，并宜采用大空间式布局。3.3.68英寸~12英寸芯片核心生产区宜将生产辅助设备布置在下技术夹层。
3.3.7工艺设备的间隔应满足相邻设备的维修和操作需求。3.3.8操作人员走道的宽度应符合下列原则：1应满足设备正常操作的需要；
2应满足人员通行和材料搬运的需要；3应满足材料暂存的需要。
3.3.9生产房宜设置参观走道，并应避免影响生产的人流和物流路线以及应急疏散。
3.3.108英寸~12英寸芯片生产宜根据生产规模设置自动物料处理系统（AMHS）。
4总体设计
4.1厂址选择
4.1.1厂址选择应符合国家及地方的总体规划、技术经济指标、环境保护等要求，并应符合企业白身发展的需要，基础设施优良。4.1.2厂址所在区域应大气含尘量低，并应无洪水、潮水、内涝、熙风、雷暴威胁。
4.1.3厂址场地应相对平整，距外界强振动源及强电磁干扰源较远。
4.2总体规划及布局
4.2.1工厂厂区应包括办公、生产、动力、仓储等功能区域，并应以生产区为核心进行布置。
4.2.2厂区宜结合工厂发展情况预留发展用地。4.2.3厂区的人流、物流出人口应分开设置。4.2.4工厂的动力设施宜集中布置并靠近工厂的负荷中心。4.2.5厂区内车辆停放场地应满足当地规划要求。4.2.6动力设施主要噪声源宜集中布置，并应确保场区边界的噪声强度分别符合现行国家标准《工业企业噪声控制设计规范》GBJ87及《工业企业厂界环境噪声排放标准》GB12348的限值规定。
厂区内应设置消防车道。
工厂厂区内宜规划设备临时存储场地。厂区道路面层应选用整体性能好、发尘少的材料。4.2.10
厂区绿化不应种植易产生花粉及飞絮的植物。5建筑与结构
5.1建筑
5.1.1硅集成电路芯片工厂的建筑平面和空间布局应适应工厂发展及技术升级。
5.1.2硅集成电路芯片工厂应包括芯片生产厂房、动力厂房、办公楼和仓库等建筑。生产厂房、办公楼、动力厂房之间的人流宜采用连廊进行联系。
5.1.3生产厂房的外墙应采用满足硅集成电路芯片生产对环境的气密、保温、隔热、防火、防潮、防尘、耐久、易清洗等要求的材料。5.1.4生产厂房外墙应设有设备搬入的吊装口及吊装平台。5.1.5生产厂房建筑及装修应避免采用含挥发性有机物的材料和溶剂。
5.1.6生产厂房应设置与生产设备尺寸和重量匹配的货运电梯。5.1.7生产厂房内应设有工艺设备、动力设备的运输安装通道；搬运通道区域的高架地板应满足搬人设备荷载要求。5.1.8生产厂房中技术夹层、技术夹道的建筑设计，应满足各种风管和各种动力管线安装、维修要求，5.1.9生产厂房外墙和室内装修材料的选择应符合现行国家标准《建筑内部装修设计防火规范》GB50222和电子工业洁净厂房设计规范》GB50472的规定。
5.2结构
抗震设防区的硅集成电路芯片工厂建筑物应按现行国家5.2.1
标准《建筑工程抗震设防分类标准》GB50223的规定确定抗震设防类别及抗震设防标准。
5.2.2生产厂房的主体结构宜采用钢筋混凝土结构、钢结构或钢筋混凝土结构和钢结构的组合，并应具有防微振、防火、密闭、防水、控制温度变形和不均匀沉降性能。5.2.3生产厂房宜采用柱网大空间结构形式，杜网尺寸宜为600mm的模数。
5.2.4生产厂房变形缝不宜穿越洁净生产区。5.3防火疏散
5.3.1硅集成电路芯片厂房的火灾危险性分类应为丙类，耐火等级不应低于二级。
5.3.2芯片生产厂房内防火分区的划分应满足工艺生产的要求，并应符合现行国家标准《电子工业洁净厂房设计规范》GB50472的规定。
5.3.3洁净区的上技术夹层、下技术夹层和洁净生产层，当按其构造特点和用途作为同一防火分区时，上、下技术夹层的面积可不计人防火分区的建筑面积，但应分别采取相应的消防措施。5.3.4每一生产层、每个防火分区或每一洁净区的安全出口设计，应符合下列规定：
1安全出口数量应符合现行国家标准《洁净厂房设计规范》GB50073的相关规定；
2安全出口应分散布置，并应设有明显的疏散标志；3安全疏散距离可根据生产工艺确定，但应符合现行国家标准《电了工业洁净厂房设计规范》GB50472的规定。9.
6防微振
6.1一般规定
6.1.1硅集成电路芯片厂房应满足光刻及测试设各的防微振要求。
6.1.2硅集成电路芯片厂房的选址应对场地周围的振源进行充分的调查与评估：
6.1.3厂址选择除既有环境的振源外，尚应计及在未来可能产生的振源对拟建房的影响。
6.1.4振动大的动力设备和运输工具等应远离对振动敏感的净化生产区域，动力厂房与生产厂房不宜贴近布置。6.1.5硅集成电路芯片厂房宜在下列阶段进行微振测试和评价：1在建设前，对场地素地进行测试和评价；2生产厂房结构体完工后，对于布置光刻及测试设备的区域进行测试：
3生产厂房峻工时，对布置光刻及测试设备的区域进行测试。
6.2.1生产广房防微振除应计及场地振动外，尚应计及动力设备、洁净区机电系统、物料传输系统运行中产生的振动，以及人员走动的影响，
6.2.2生产厂房结构宜采用在下夹层实施小柱距柱网或在下夹层设置防振墙或柱间支撑等有利于微振控制的措施。6.2.3生产厂房结构分析时应计及由于防微振需要所设的支撑或防振墙等抗侧力构件的影响。10.
6.2.4生产厂房的地面宜采用厚板型钢筋混凝土地面。布置微振敏感设备区域的建筑地坪厚度不宜小于300mm。当钢筋混凝土地面兼作上部结构的筏板基础时，厚度不宜小于600mm。6.3机械
6.3.1动力设备应采取动平衡好、运行平稳、低噪声的产品。6.3.2对于易产生振动的动力设备及管道应采取隔振、减振措施。
6.3.3对于靠近振动敏感区的管道应控制管道内介质的流速。6.3.4精密设备和仪器的防微振宜采用专用防振基座，其基座平台的基本频率应避开其下支承结构的共振频率和其他振源的共振频率。
小提示：此标准内容仅展示完整标准里的部分截取内容，若需要完整标准请到上方自行免费下载完整标准文档。