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DL/T 859-2015

基本信息

标准号: DL/T 859-2015

中文名称:高压交流系统用复合绝缘子人工污秽试验

标准类别:电力行业标准(DL)

标准状态:现行

出版语种:简体中文

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相关标签: 高压 交流 系统 复合 绝缘子 人工 污秽 试验

标准分类号

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出版信息

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标准简介

DL/T 859-2015.Artificial pollution tests on composite insulators used on high-voltage AC systems.
1范围
DL/T 859规定了标称电压高于1000V、频率为50Hz~60Hz交流架空线路、变电站和电气化铁路接触网用户外和暴露在大气中的复合绝缘子(以下简称绝缘子)人工污秽工频耐受特性的测定。
DL/T 859适用于各类复合绝缘子以及具有憎水性外绝缘表面的绝缘子。
2规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。
凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T 2900.5电工术语 绝缘固体、液体和气体
GB/T 2900.8电工术语 绝缘子
GB/T 4585交流系统用 高压绝缘子的人工污秽试验
GB/T 16927.1高电压试验技术 第1部分:一般定义及试验要求
GB/T 16927.2高电压试验技术 第2 部分:测量系统
GB/T 24622绝缘 子表面湿润性测量导则
GB/T 26218.1污秽条件下使用的高压绝缘子的选择和尺寸确定第1部分:定义、信息和一般原则
IEC 60507交流系统用 高压绝缘子的人工污秽试验(Atificial pllution tests on hig-votage ceramic and glass insulators to be used on a.c. system)
3术语和定义
GB/T 2900.5、GB/T 2900.8、GB/T 26218.1所界定的以及下列术语和定义适用于本文件。

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标准内容

ICS29.080.10
备案号:50766-2015
中华人民共和国电力行业标准
DL/T859—2015
代替DL/T859—2004
高压交流系统用复合绝缘子
人工污秽试验
Artificial pollution tests on composite insulators used onhigh-voltageACsystems
2015-07-01发布
国家能源局
2015-12-01实施
范围-
规范性引用文件
术语和定义
一般试验要求
固体层法
盐雾法·
附录A(资料性附录)
评定试验设备是否符合要求的补充资料附录B(规范性附录)
附录C(资料性附录)
附录D(规范性附录)
附录E(规范性附录)
附录F(规范性附录)Www.bzxZ.net
附录G(规范性附录)
污移水平和统一爬电比距的关系检验污层均匀性的测量方法
固体层法中评定或检验绝缘子耐受特性的方法,固体层法升压闪络试验方法…
盐雾法闪络试验方法
评定或检验绝缘子耐受特性的盐雾法DL/T8592015
DL/T859—2015
本标准依据GB/T1.1一2009《标准化工作导则第1部分:标准的结构和编写》给出的规则起草。本标准代替DL/T8592004《高压交流系统用复合绝缘子人工污试验》,与DL/T8592004相比除编辑性修改外主要技术变化如下:将固体层法从附录移至标准正文:固体层法中增加了情性物质高岭土;固体层法中增加了染污试品表面增水状态的模拟。本标准由中国电力企业联合会提出。本标准由电力行业绝缘子标准化技术委员会归口。本标准主要起草单位:中国电力科学研究院。本标准参加起草单位:清华大学、山东电力研究院、华东电力试验研究院、辽宁电力科学研究院有限公司、江苏省电力公司电力科学研究院、广东电网公司电力科学研究院。本标准主要起草人:周军、吴光亚、梁曦东、沈庆河、肖、杨铁军、刘洋、彭向阳。本标准在执行过程中的意见或建议反馈至中国电力企业联合会标准化管理中心(北京市白广路二条—号,100761)。
1范围
高压交流系统用复合绝缘子
人工污移试验
DL/T859—2015
本标准规定了标称电压高于1000V、频率为50Hz60Hz交流架空线路、变电站和电气化铁路接触网用户外和暴露在大气中的复合绝缘子(以下简称绝缘子)人工污移工频耐受特性的测定。本标准适用于各类复合绝缘子以及具有增水性外绝缘表面的绝缘子。2规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。GB/T2900.5电工术语绝缘固体、液体和气体GB/T2900.8电工术语绝缘子
GB/T4585交流系统用高压绝缘子的人工污移试验GB/T16927.1高电压试验技术第1部分:一般定义及试验要求GB/T16927.2高电压试验技术第2部分:测量系统GB/T24622绝缘子表面湿润性测量导则GB/T26218.1污移条件下使用的高压绝缘子的选择和尺寸确定第1部分:定义、信息和一般原则IEC60507交流系统用高压绝缘子的人工污移试验(Artificialpollutiontestsonhigh-voltageceramicand glass insulators to be used on a.c.system)3术语和定义
GB/T2900.5、GB/T2900.8、GB/T26218.1所界定的以及下列术语和定义适用于本文件。3.1
试验设备的短路电流short-circuitcurrentoftestdeviceIse
试品在试验电压下短路时由试验设备所供给电流的方均根值。3.2
盐度salinity
盐在自来水中溶液的浓度,它由盐量除以溶液体积来表示,单位为kg/m。3.3
污移层pollutionlayer
由盐和情性材料组成的在绝缘子的绝缘表面上的导电电解层3.4
污层电导率layerconductivity
污层的电导与形状因数的乘积,它通常以μS表示。1
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污移度pollutiongrade
表征施加在被试绝缘子上人工污移的量(盐度、污层电导率、附盐密度)的值。3.6
盐密saltdepositdensitySDD
在绝缘子一个给定表面(金属部件和装配材料不包括在此表面内)上,为进行人工污移试验而人工沉积的污移物中的氯化钠(NaC1)量除以该表面的面积,一般以mg/cm2为单位。3.7
基准盐度referencesalinity
表征某一试验所使用的盐度值。3.8
基准污层电导率referencelaverconductivity表征某一试验所使用的污层电导率的数值,它定义为仅在进行电导测量时带电的一绝缘子潮湿污层的电导率的最大值。
基准附盐密度referencesaltdepositdensity表征某一试验所使用的附盐密度的数值,它定义为从进行任一试验前染污了的绝缘子中选取的几个绝缘子或它的几个部分上测得的附盐密度的平均值。3.10
规定的耐受污移度specifiedwithstandpollutiongrade绝缘子在6.5或5.7.3规定的条件下,4次试验中至少有3次试验能耐受住规定试验电压的基准污度。
最大耐受污移度maximumwithstandpollutiongrade绝缘子在6.5或5.7.3规定的条件下,在规定的试验电压下4次试验中至少有3次试验能耐受住的最高污移度。
规定耐受电压
specifiedwithstandvoltage
施加到绝缘子上的试验电压,绝缘子在此试验电压和6.5或5.7.3规定的条件下,4次试验中至少有3次试验能耐受住规定的污移度。3.13
maximumwithstandvoltage
最大耐受电压
绝缘子在5.7.3或6.5规定的条件下,4次试验中至少有3次试验能耐受住规定污移度的最高试验电压。
4一般试验要求
4.1试验方法
本标准第5章和第6章中所规定的固体层法和盐雾法推荐为标准试验方法。电压持续升高至闪络的方法不作为标准试验方法,仅供特殊目的使用。4.2试品清洗
如果需要,绝缘子的金属附件应在第一次试验之前涂上抗盐水涂料,以保证试验期间没有腐蚀物落2
到绝缘子表面。
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绝缘子在第一次试验之前,应仔细用自来水清洗,除去所有污物的痕迹。以后每次染污前,仅需用自来水彻底清洗,以除去污物的所有痕迹。每次清洗后,手不应触及绝缘子的绝缘表面。4.3试品布置
绝缘子一般垂直安装于雾室中。模拟实际运行条件(如水平、倾斜、安装金属附件等)的安装方式,可经供需双方协商确定。对特殊不在垂直安装方式下试验的绝缘子(如穿墙套管和电力断路器的纵向绝缘),仅考虑运行中的安装方式。除绝缘子的支持物以及喷嘴柱外,绝缘子与任何接地物体之间的最小间距应为每100kV试验电压不小于0.5m,但至少为1.5m。支持结构以及带电金属附件的布置,至少在绝缘子的最小间距内模拟运行中的情况。喷嘴的布置及其结构应符合6.2的要求。电容效应对试验结果的影响可作以下考虑:a)至少在635kV及以下试验电压下,可认为金属附件不会明显影响试验结果;b)特别是采用固体层法时,内部的大电容对表面电气性能会产生影响。4.4对试验设备的要求
4.4.1试验电压
试验电压的频率为45Hz~65Hz
通常要求试验电压应与绝缘子在正常运行条件下能耐受住的最高相电压一致,该值为Um/V3。其中Um是设备的最大线电压。当对相对相配置或中性点绝缘的系统用绝缘子进行试验时,试验电压可高于此值。
最小短路电流
试验设备的最小短路电流要求如下:短路电流Ise最小值Isemin与试验中绝缘子的表面电应力(用爬电比距L表示)有关,Isemin应a)
满足如图1所示的关系曲线:
除a)外,试验设备还应满足电阻与电抗之比(R/X)不小于0.I、电容电流与短路电流比(IJIsc)b)
在0.001~0.1范围内的要求(评定是否符合该要求的判定准则见附录A);若1s大于6A,但不满足图1中的要求值,本标准中所规定的耐受特性试验还可进行,仅需电源应满足d)的规定:
404550
统一鹿电距离USCD(mm/kV)
图1对试验设备要求的最小短路电流Iem与被试绝缘子统一爬电比距L,的关系3
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d)在每次耐受特性的试验中,应记录测量最高泄漏电流脉冲的幅值hmax,并在能耐受住的三次试验结果中确定最大值Imax,该值应满足下列条件:Is/Ihmax≥11
式中:
方均根值:
峰值。
污移水平和统一爬电比距的关系4.5
污移水平和统一爬电比距的关系见附录B。5固体层法
5.1污液的组成
5.1.1硅藻土混合物
硅藻土混合物的组成为:
—100g硅藻土:
一10g高度分散的二氧化硅,颗粒大小为2μum~20μm;—1000g自来水;
一适量的商业纯氯化钠。
当自来水的体积电导率高于0.05S/m时,推荐使用软化水。(1)
表1中列出了绝缘子表面上基准污移度与20℃时污液体积电导率间近似的对应关系。表2列出了硅藻土的主要特性,表2中颗粒分布表示硅藻土总质量百分数值的颗粒能通过的筛孔直径(um),其体积电导率是使用软化水测得的值。污染绝缘子绝缘表面上污移度的最大误差为规定值的士15%。表1绝缘子绝缘表面上基准污移度和温度20℃污液体积电导率间近似的对应关系混合物的基准污移度
盐密SDD
mg/cm?
污层电导率K20
硅藻土主要特性
质量组成
SiO2 AlO, FeO,H,O
颗粒分析(累积分布)
污液的体积电导率620
体积电导率020
0.0015~0.02
5.1.2高岭土混合物
高岭土混合物的组成为:
—100g高岭士:
1000g自来水;
一适量的商业纯氯化钠。
当自来水的体积电导率高于0.05S/m时,推荐使用软化水DL/T859—2015
表1中列出了绝缘子表面上基准污度与20℃时污液体积电导率间近似的对应关系。表3列出了高岭土的主要特性,表3中颗粒分布表示高岭土总质量百分数值的颗粒能通过的筛孔直径(um),其体积电导率是使用软化水测得的值。污染绝缘子绝缘表面上污移度的最大误差为规定值的土15%。表3高岭土主要特性
重量组成
SiO2AlO,Fe2O,H20
40~5030~400.3~27~14
5.2污染试品预处理
5.2.1清洁试品预处理
颗粒分析(累积分布)
0.1~0.20.4~12~10
将试品用自来水及酒精清洗干净,干燥后用塑料布包裹,封存待用。5.2.2染污试品预处理
体积电导率020
0.0015~0.02
涂污前应对试品进行预处理。用干燥的海绵团或软毛刷在复合绝缘子表面轻轻地均匀涂敷一层干燥的硅藻土,再用洗耳球等气吹装置吹掉表面多余的硅藻土,使得绝缘子表面附着很薄的一层亲水性物质。由于这层硅藻土极薄,因此并不影响复合绝缘子的灰密。涂污应在试品预处理后1h内完成。5.3染污
5.3.1基本要求
染污应在试品预处理后1h内完成。对线路绝缘子宜使用定量涂刷法,对大直径套管宜采用喷污法。推荐检验污层均匀性的污层电导率的测量方法按附录C进行。在对被测试品进行染污同时,对于每一种试验条件,应对一支相同试品进行相同条件下染污,以备试验前进行增水性状态的检测。5.3.2定量涂刷法
试品的污移度用盐密、灰密表示时,根据试品所需的盐密、灰密及绝缘子的绝缘体表面积,计算出每只试品所需的氯化钠和不溶情性物质量,氯化钠的称量误差不超过所需量的土1%,不溶物的称量误差不超过所需量的士10%,然后加上适量的软化水。如果需要,还可加上适量糊精(或明胶),将其搅拌均匀后,全部均匀地涂刷到试品绝缘体表面上。试品的污移度用污层电导率表示时,根据试品所需的污层电导率及绝缘子的绝缘体表面积估算并称量每只试品所需的氯化钠量,其称量误差不作严格规定。根据试品所需的灰密及绝缘子的绝缘体表面积5
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计算并称量所需的不溶物质量,其称量误差应不超过所需量的士10%,然后加上适量的软化水,如果需要还可加入适量的糊精,将其搅拌均匀后,全部均匀地涂刷到试品绝缘体表面上。5.3.3喷污法
用喷枪将搅拌均匀的污移物悬浮液喷到清洁而干燥的试品绝缘体表面上,使其均匀地覆盖一层污移物,其均匀程度用目力检查即可。同一批试品在染污前应有相同的温度和湿度,在染污过程中应保持相同的环境和工艺条件。
5.3.4、浸污法
推荐使用的浸污法具体程序如下:a)浸污槽的尺寸及污液量应保证试品被全部漫没于污液中。参照图2、图3曲线,根据试验要求的盐密、灰密及污液体积,得到所需的NaCI、不溶情性物质及去离子水(或软化水)的量。配置污液并搅拌均匀。
污液盐度(gD)
曲线3
曲线2
曲线!
曲线1—灰密0.1mg/cm2(刘应灰度100gl);曲线2一灰密0.5mg/cm2(对应灰度240g/l):曲线3灰密1.0mg/cm2(对应灰度320g/l)图2污液盐度与盐密曲线
污液灰度(g/l)
图3污液灰度与灰密曲线
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将预处理过的试品小心浸入,转动1周~2周后拿出,在实验室标准环境条件下干燥。对伞裙b
边缘积聚的污液,应予以清除。在试品浸入染污的过程中应不断搅拌污液保证其均匀性。为了保证涂污的准确性,浸污后应校核该试品部分伞裙或同样条件下另一只染污陪试品的盐密及灰密,确定所涂污移是否与预定污移度相符合,测量方法见5.4.1。5.4被试绝缘子污移度的测定
5.4.1盐密
用于测量盐密的试品,应在进行任何一项试验之前,从被染污试品中随机抽取。应仔细清洗绝缘子的全部绝缘件表面,或将上表面和下表面分别清洗,但金属部件除外。当仅有一只试品时,盐密的测量可在它的几个伞裙上进行。测量后应对清洗过的表面再涂覆污层予以恢复。用于SDD测量用的试品,在污层干燥前应仔细地除去污滴。最后将沉积物溶解在已知量的水中,最好使用软化水。得到的污液在温度θ(℃)下测量体积电导率6g(S/m)前,应至少保持搅动2min,然后按本标准式(5)求得20值。当o20在0.004S/m~0.4S/m范围内时污液的盐度S,(kg/m)可按下式求得:S=(5.7020)1.03
按下式计算盐密SDD(mg/cm2):式中:
V——污液的体积,cm:
A—清洗表面的面积,cm。
5.4.2污层电导率
SDD=SV
应在试品湿润期间反复测量污层电导率,直到测出污层最大电导率为止,此最大电导即为该只试品的电导率。
测量时应对试品每米爬电距离施加电压约700V(rms),施加电压的时间只需维持至能读出仪表读数即可。当施加较高值电压时,测量时间应缩短至足以避免由于污层的发热或干燥而引起的严重误差。为了这个目的应该校验脉冲波的频度及波幅的变化,使其不应影响到被测电流的波形。污层电导率应按下式换算至基准温度20℃:K20-K[1-b(9-20)]
式中:
绝缘子表面的温度,℃:
温度6℃时的污层电导率,μS;Kg
K20—
温度20℃时的污层电导率,μS:b
系数,见表5。
5.5染污试品表面增水状态的模拟良好憎水状态(HC1~HC3)的模拟5.5.1
为模拟现场正常运行具有良好增水性复合绝缘子(表面增水性为HC1~HC3)的表面,应使用情性物质为5.1.1中规定硅藻土配成的污液,并使涂污试品迁移一段时间后再进行试验。在实验室标准环境条件下,人工污移绝缘子应迁移4天再进行试验。7
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5.5.2亲水状态(HC7)的模拟
为模拟现场极端条件下完全丧失增水性的复合绝缘子(表面增水性为HC7)的表面,可使用情性物质为5.1.2中规定高岭土配成的污液。在实验室标准环境条件下,从涂污到试验的时间不应超过24h。5.5.3弱憎水状态(HC5HC6)的模拟为模拟现场常见具有弱憎水性复合绝缘子(表面增水性为HC5~HC6)的表面,作为绝缘设计的参考,可使用情性物质为5.1中规定的硅藻土和高岭土,按比例均匀混合后配成污液,并使涂污试品迁移一段时间后再进行试验。在实验室标准环境条件下,硅藻土与高岭土的质量比为1:10,人工污移绝缘子在迁移18h~24h时间段内开始试验。5.5.4被试绝缘子表面憎水状态的检验在污层湿润前,应对增水性测试试品的表面增水状态进行喷水分级测试。当测得僧水状态与要模拟的状态一致时,方可开始污层湿润:若测得增水状态与要模拟的状态不一致时,本试验条件下本组试品需重新染污。
5.6污层湿润的一般要求
污层湿润的一般要求如下:
污层应用人工雾湿润。试品周围的雾应均匀分布,其均匀程度应使试品各部分的受潮状态基本a)
相同。湿润开始时试品的温度与试验室周围温差小于2K。在试验室中的雾发生器应保持一恒定、均匀的流速,直至一次单个的试验结束。b
在污层达到一定的湿润程度以后,水分开始从绝缘子伞缘滴落:这样某些污移量就从污层中流失并可能会清洗试品。
5.7试验程序
5.7.1程序A
试验程序A如下:
a):本程序适用于带电后污层湿润,其污移度通常用盐密表示。b
按5.3的规定将准备好的试品置于雾室中。应使用蒸汽雾。雾发生器应在试品的下面并尽可能地接近地面,在所有情况下,它离试品至少c
1m,且雾的流动不应直接朝向试品。施加试验电压后供雾。在正常周周温度下,蒸汽雾的输入速率应在0.05kg(h·m)土0.01kgl(h·m)d)
范围内,该值也可按IEC60507:1991附录D中D.4的方法检验。试验电压应维持至闪络,否则应从试验开始维持100min,或是直至其泄漏电流峰值持续下降至e)
最大峰值的70%。
f)对于本程序,污层仅能使用一次。5.7.2程序B
试验程序B如下:
本程序适用于带电前和带电期间污层湿润,其污度通常用污层电导率来表达,也可以使用盐a)
密表送。
b)启动雾发生器时,按5.3的规定将准备好的试品置于雾室中。推荐使用蒸汽雾来湿润污层,也8
可采用冷雾或冷热混合雾。
应按5.4的规定测定被试品的污层电导。c)
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在正常周围温度下,输入雾室中雾的浓度和流动速度宜满足在20min~90min(亲水性20min~d)
40min,增水性90min左右,弱憎水性30min~50min)内使试品污层电导率达到最大值。试验时测得的污层电导率的最大值作为基准污层电导率。然后瞬时地或在不超过5s的时间内对试品加上试验电压并维持至闪络,如不出现闪络则维持15min。同一污层的一个绝缘子只能进行一次试验。e
5.7.3耐受试验和判定准则(程序A和程序B)本试验的目的是检验在规定试验电压下绝缘子是否能耐受规定的污移度。如果在进行的3次连续的试验期间未发生闪络,则认为该绝缘子符合本标准。如仅出现一次闪络,则应进行第4次试验,如果不发生闪络,则认为该绝缘子满足本标准。5.7.4闪络试验
固体层法闪络试验方法见附录E。5.8评定或检验绝缘子的耐受特性的方法评定或检验绝缘子的耐受特性的方法见附录D。6盐雾法
6.1盐溶液
盐溶液由商业纯的氯化钠(NaCI)和自来水按所要求的盐度配制。盐度应从2.5、3.5、5、7、10、14、20、28、40、56、80、112、180和224kg/m等级中选取,允许最大误差为规定值的土5%规定盐度的盐溶液在20℃时的体积电导率和密度值间的对应关系见表4。表4盐溶液在20℃时体积电导率和密度值间的对应关系盐度S
体积电导率020
当盐溶液温度不是20℃时,电导率可按下式校正:密度420
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