YD/T 2759-2014.10Gbi/s single fiber Bi-directional optical transceiver module.
1范围
YD/T 2759规定了10Gbit/s 单纤双向光收发合- *模块的术语和定义、 技术要求、测试方法、可靠性试验、检验规则和产品管理等要求。
YD/T 2759适用于万兆以太网系统用10Gbit/s单纤双向光收发合-模块(以下简称 10Gbit/s BIDI光模块)。
2规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改本)适用本文件。
GB/T 2828.1-2003计数抽样检查程序 第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划
GB 9254-2008信息技术设备的无线电骚扰限值和测量方法
GB/T 17626.3-2006电磁兼容 试验和测量技术第3 部分:射频电礅场辐射抗扰度试验
YD/T 111.2-2001 SDH 光发送/光接收模块技术条件一SDH 2.488320Gbit/s光发送模块
YD/T 1318-2004 1310/1550nm 短距离单纤双向组件(模块)技术条件
YD/T 1321.2-2004具有复用/去复用功能的光收发合一模块技术条件第2部分: 10Gbits 光收发合一模块
YD/T 1465-200610Gbit/s小型化可插拔光收发合一模块技术条件
YD/T 1531-2006接入网设备测试方法一基于以太网方式的无源光网络(EPON)
YD/T 1688.2-2010 XPON 光收发合一模块技术条件第2部分:用于EPON光线路终端/光网络单元(OLT/ONU)的光收发合一模块

ICS33.180.01
中华人民共和国通信行业标准
YD/T2759-2014
10Gbit/s单纤双向光收发合一模块10Gbit/ssinglefiberBi-directionaloptical transceivermodule2014-10-14发布
2014-10-14实施
中华人民共和国工业和信息化部发布前
1范围·
2规范性引用文件
3缩略语、术语和定义
4技术要求
4.1分类
4.2技术指标…
4.3环保符合性
5测试方法.
5.1环境要求
5.2主要光电参数测试
6可靠性试验·
6.1环境要求
可靠性试验要求·
失效判据
6.4电磁兼容试验
静电放电防护要求
7检验规则
检验分类…
出厂检验·
型式检验·
8产品管理·
产品说明书.
包装·
运输·
YD/T2759-2014
YD/T2759-2014
本标准按照GB/T1.1-2009给出的规则起草。本标准在编制过程中主要参考了IEEE802.3-2008《信息技术-系统间通信和信息交换-局域网和城域网特定要求-第3部分：采用冲突检测存取方法的载波检测多址(CSMA/CD)接入方式及物理层规范》。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。本标准由中国通信标准化协会提出并归口。本标准起草单位：武汉邮电科学研究院，深圳新飞通光电子技术有限公司、华为技术有限公司、中兴通讯股份有限公司、武汉华工正源光子技术有限公司。本标准主要起草人：穆磊、赵先明、杨电、徐红春、陈悦、汪永忠、武成宾、丁国庆。1范围
10Gbit/s单纤双向光收发合一模块YD/T2759-2014
本标准规定了10Gbit/s单纤双向光收发合一模块的术语和定义、技术要求、测试方法、可靠性试验，检验规则和产品管理等要求。
本标准适用于万兆以太网系统用10Gbit/s单纤双向光收发合一模块(以下简称10Gbit/sBIDI光模块)2规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改本）适用本文件。GB/T2828.1-2003计数抽样检查程序第1部分：按接收质量限（AQL）检索的逐批检验抽样计划GB9254-2008信息技术设备的无线电骚扰限值和测量方法GB/T17626.3-2006电磁兼容试验和测量技术第3部分：射频电磁场辐射抗扰度试验YD/T1111.2-2001SDH光发送/光接收模块技术条件SDH2.488320Gbit/s光发送模块YD/T1318-20041310/1550mm短距离单纤双向组件（模块）技术条件YD/T1321.2-2004具有复用/去复用功能的光收发合一模块技术条件第2部分：10Gbit/s光收发合一模块
YD/T1465-200610Gbit/s小型化可插拔光收发合一模块技术条件YD/T1531-2006接入网设备测试方法—基于以太网方式的无源光网络（EPON）YD/T1688.2-2010XPON光收发合一模块技术条件第2部分：用于EPON光线路终端/光网络单元（OLT/ONU）的光收发合一模块SJ/T11363-2006电子信息产品中有毒有害物质的限量要求SJ/T11364-2006电子信息产品污染控制标识要求SJ/T11365-2006电子信息产品中有毒有害物质的检测方法SFF-8431-2009增强型小型封装插拔模块SFP+规范（Specificationsforenhanced smallformfactorpluggablemoduleSFP+)
SFF-8472-2009光收发器数字监控规范（Specificationfordiagnostic monitoringinterfaceforopticaltransceivers)
IEEE802.3-2008信息技术-系统间通信和信息交换-局域网和城域网特定要求-第3部分：采用冲突检测存取方法的载波检测多址（CSMA/CD）接入方式及物理层规范（Informationtechnology-Telecommunications and information exchange between systems-Local and metropolitan areanetworks-Specific requirements -Part 3:Carrier sense multiple access with collision detection (CSMA/CD)access method and physical layer specifications)IEC61000-4-2：2008电磁兼容第4-2部分：试验和测量技术一静电放电抗扰度试验（Electromagneticcompatibility (EMC)-Part 4-2:Testing and measurement techniques-Electrostatic discharge immunity test)YD/T2759-2014
电子和电气元件试验方法标准（Test methodstandardelectronic and electricalMIL-STD-202G
component parts)
MIL-STD-883H微电子器件试验方法标准（Testmethodsstandardmicrocircuits）TelcordiaGR-468-CORE:2004用于通信设备的光电器件通用可靠性保证要求（Genericreliabilityassurance requirements for optoelectronic devices used in telecommunications equipment)3缩略语、术语和定义
3.1缩略语
下列缩略语适用于本文件。
DFB-LDbzxZ.net
PIN-PD
RINxOMA
Avalanche Photo Diode
Bi-directional
DistributedFeedBackLaserDiodeElectro-Static Discharge
Optical ModulationAmplitude
\P-type\-Intrinsic-\N-type\\P-type\-Intrinsic-\N-type'Photo DiodePseudo-Random Bit Sequence
RelativeIntensityNoiseOptical ModulationAmplitudeSFP High Speed Serial Electrical InterfaceEnhanced Small Form Factor PluggableoBe Determined
10Gigabit Serial Electrical Interface1oGigabitSmallFormFactorPluggableModule3.2术语和定义
雪崩光电二极管
双向的
分布反馈激光二极管
静电释放
光调制幅度
P型-本征-N型探测二极管
P型-本征-N型探测二极管
伪随机码序列
相对强度噪声光调制幅度
SFP高速串行电接口
增强型小型化可热插拨
待决定
10Gbit/s申行电接口
10Gbit/s小型化可插拔光收发合一模块YD/T1111.2-2001、YD/T1321.2-2004、YD/T1465-2006界定的术语和定义适用于本文件。4技术要求
4.1分类
4.1.1按封装形式分类
10Gbit/sBIDI光模块按照封装形式分为：XFP；
SFP+。
4.1.2按传输距离分类
10Gbit/sBIDI光模块按照传输距离分为：10km；
20km；
4.1.3按探测器类型分类
10Gbit/sBIDI光模块按照探测器类型分为：2
-PIN接收模块：
-APD接收模块。
4.2技术指标
4.2.1极限工作条件
10Gbit/sBIDI光模块极限工作条件见表1。极限工作条件
参数名称
贮存温度
相对湿度
供电电压
推荐工作条件
10Gbit/sBIDI光模块推荐工作条件见表2。单位
表2推荐工作条件
参数名称
工作温度（管壳）
供电电压
光接口技术要求
最小值
最小值
YD/T2759-2014
最大值
最大值
10Gbit/sBIDI光模块光接口技术指标按第五章相应的试验方法测定，应符合表3的要求。表310Gbit/sBIDI光模块光接口技术指标参数
发送机光接口参数
传输距离
发送中心波长范围
最大光谱宽度（-20dB）
最小边模抑制比
最大平均发送光功率
最小平均发送光功率
最小OMA发送光功率
最小消光比
最大关断平均发送光功率
最大RINOMA
最大光回波损耗
接收机光接口参数
接收波长范围
最大接收光反射
最小过载光功率
最大接收灵敏度
最大接收加压灵敏度（OMA）
最小无光告警光功率
最大去告警光功率
规范值
12601280
1320~1340
符合图1和表4的要求
1320~1340
1260~1280
测试条件
工作温度（管壳）范围
工作温度（管壳）范围
速率10.3125Gbit/s、码型PRBS23-1发射关断脚为高电平
背向反射为12dB
A=1270mm/1330mm
速率10.3125Gbit/s、码型PRBS231-1工作温度（管壳）范围
A=1270mm/1330nm
双工工作、误码率1X10-12、码型PRBS231-1、消光比3.5dB、A=1270mm/1330mm速率10.3125Gbi/s
YD/T2759-2014
4.2.4眼图
10Gbit/sBIDI光模块眼图模板应符合图1和表4要求。1+Y
XX1-X1-1-X
眼图模板
4.2.5电接口、低速电信号要求和引脚定义4.2.5.1电接口要求
眼图模板参数
10Gbit/sBIDIXFP电接口为XFI，应符合YD/T1465-2006附录A的要求。10Gbit/sBIDISFP+电接口为SFI，应符合SFF-8431-2009中3.6的要求。4.2.5.2低速电信号要求
10Gbit/sBIDIXFP低速电信号规范应符合YD/T1465-2006附录B的要求，PC接口协议和管理接口规范应分别符合YD/T1465-2006附录C和附录D的要求。10Gbit/sBIDISFP+低速电信号规范应符合SFF-8431-2009中2.6的要求，Ic接口协议应符合SFF-8431-2009中第4章的要求，管理接口规范应符合SFF-8472-2009的要求。4.2.5.3引脚定义
10Gbit/sBIDIXFP引脚定义应符合YD/T1465-2006中8.2的要求。10Gbit/sBIDISFP+引脚定义应符合SFF-8431-2009中2.3的要求。4.3环保符合性
10Gbit/sBIDI光模块的组成单元分类应符合SJ/T11363-2006中表1的规定，有毒有害物质的限量要求按SJ/T11365-2006规定检测，应符合SJ/T11363-2006中表2的要求。5测试方法
5.1环境要求
10Gbit/sBIDI光模块测试应在下述大气条件下进行：温度：15℃~35℃；
相对湿度：45%~75%：
大气压力：86kPa～106kPa。
5.2主要光电参数测试
5.2.1光发射波长、光谱宽度、边模抑制比、平均发送光功率、消光比、眼图测试按YD/T1465-2006中9.1的规定进行。5.2.2光调制幅度（OMA）发送光功率测试按YD/T1531-2006中5.8的规定进行。5.2.3关断平均输出光功率测试
按YD/T1688.2-2010中5.2.8的规定进行。5.2.4相对强度噪声光调制幅度（RIN12OMA）测试按YD/T1688.2-2010附录B中B.2的规定进行。5.2.5光回波损耗测试
按YD/T1318-2004中5.3.10的规定进行。5.2.6光接收灵敏度和过载光功率测试按YD/T1465-2006中9.2的规定进行。5.2.7光接收加压灵敏度（OMA）测试按IEEE802.3-2008中52.9的规定进行。5.2.8无光告警以及去告警光功率测试按YD/T1318-2004中5.3.13的规定进行。6可靠性试验
6.1环境要求
与10Gbit/sBIDI光模块可靠性试验测试环境的要求同5.1。6.2可靠性试验要求
10Gbit/sBIDI光模块可靠性试验应按表5的规定进行。表5可靠性试验要求条件
试验类别
ESD阀值d
ESD抗扰度
机械冲击
变频振动
高温贮存
低温贮存
试验方法
MIL-STD-883H
方法3015.8
IEC61000-4-2:2008
MIL-STD-883H
方法2002.5
MIL-STD-883H
方法2007.3
Telcordia GR-468-CORE
(2004)3.3.2.1
Telcordia GR-468-CORE
(2004)3.3.2.1
人体放电模型
试验条件
等级4，空气放电：±15kV，10次放电；接触放电：土8kV，10次放电
加速度500g，脉冲持续时间1.0ms，5次/轴向，方向Xi、X2、YI、Y2、Z、Z
试验条件A频率：20Hz~2000Hz，加速度：20g，扫频速率：4min/循环，循环次数：4循环/轴向，方向X、Y、Z
Tatg-85C,f=2000h
Tg--40℃,f72h
YD/T2759-2014
抽样方案
YD/T2759-2014
试验类别
温度循环
恒定湿热
（高温）
试验方法
MIL-STD-883H
方法1010.8
MIL-STD-202G
方法103B
Telcordia GR-468-CORE
(2004)3.3.3.1
批允许不合格品率。
最少样品数。
一允许失效数。
表5（续）
试验条件
循环温度一40℃～+85℃，高温、低温转换时间≤1min,高低温持续时间≥15min，循环次数500次
温度85℃，相对湿度85%，=500hTop=85℃，正常工作条件，t-2000h抽样方案
在ESD极限测试中，所有样品须测试到其失效为止（通过不断增加电压到1000V）。“0”（失效数）表示测试ESD极限值小于最小容许值的器件数
6.3失效判据
6.3.1各项试验不合格判据（ESD抗扰度试验除外）各项试验完成后，10Gbit/sBIDI光模块出现下列任意一种情况即判定为不合格。a）外壳破裂或有裂纹、内部的元器件发生脱落：b）在相同测试条件下，试验前后，平均发射光功率、消光比、接收灵敏度中任何一项变化量大于1.0dB（寿命试验为1.5dB)：
c）在相同测试条件下，试验后，参数不满足表3中的技术指标要求。6.3.2ESD抗扰度试验不合格判据试验中，10Gbit/sBIDI光模块出现下列任意一种情况即判定为不合格。a）出现误码：
b）出现暂时性误码，并且恢复时间在1s以上；c）出现告警显示丢帧，并且重新开机不能恢复：d）光模块已经损坏。
6.4电磁兼容试验
6.4.1电磁兼容试验分类
10Gbit/sBIDI光模块的电磁兼容试验分为两类：a）射频电磁场辐射发射试验：
b）射频电磁场辐射抗扰度试验。6.4.2射频电磁场辐射发射试验
10Gbit/sBIDI光模块的射频电磁场发射试验按GB9254-2008中B级信息技术设备要求进行，包括1GHz以下辐射发射限值试验和1GHz以上辐射发射限值试验。6.4.2.11GHz以下辐射发射限值发射试验频率低于1GHz辐射发射限值和判据如下：6
1GHz以下辐射发射限值见表6。
表6B级信息技术设备在测量距离3m处的辐射发射限值(1G以下）频率范围（MHz）
230<1000
试验合格判据：辐射强度小于准峰值限值。6.4.2.21GHz以上辐射发射限值发射试验频率高于1GHz辐射发射限值和判据如下：1GHz以上辐射发射限值见表7。
YD/T2759-2014
准峰值限值（dBμV/m）
表7B级信息技术设备在测量距离3m处的辐射发射限值（1G以上）频率范围（GHz）
试验合格判据：辐射强度不应超过平均值、峰值。6.4.3
6.4.4射频电磁场辐射抗扰度试验平均值（dBμV/m）
峰值（dBμV/m）
10Gbit/sBIDI光模块的射频电磁场辐射抗扰度应符合GB/T17626.3-2006试验等级2的要求。试验频率、电场强度和幅度调制要求见表8。表8射频电磁场辐射抗扰度试验要求项目
频率范围
试验场强
幅度调制
80MHz~1000MHz
80%幅度调制（1kHz正弦波）
试验合格判据：在每次独立的被作用期间，其比特误码数应为零。6.5静电放电防护要求
10Gbit/sBIDI光模块在组装、传递、包装时，应采取静电放电防护措施，以防静电对产品的损伤。7检验规则
7.1检验分类
10Gbit/sBIDI光模块产品检验分为出厂检验和型式检验。7.2出厂检验
出厂检验分为常规检验和抽样检验。7.2.1常规检验
常规检验应该百分之百进行，检验项目如下：a）外观检验。通过目测，模块表面无明显划痕，无各种污点，产品标识清晰。b）光电指标测量。对光接口参数平均发送光功率、发射波长、消光比、最大灵敏度和过载光功率进行检测，检测结果满足表3的要求。c）高温加电老化。在最大额定工作环境温度下，模块正常工作状态，老化时间至少24h。恢复：在正常大气条件下恢复1h后测试。7
YD/T2759-2014
失效判据：平均发射光功率、消光比、最小灵敏度、最大过载光功率等不满足表3要求，或者变化量大于1.0dB。
7.2.2抽样检验
从批量生产中生产的同批或若干批产品中，按GB/T2828.1-2003规定抽样，取一般检查水平IⅡI，合格质量水平（AQL）和检验项目及方法如下。a）外观检验
AQL取1.5。检验方法：目测，表面无明显划痕，无各种污点，产品标识清晰牢固。b）外形尺寸检验
AQL取1.5。检验方法：用满足精度要求的量度工具测量，应符合产品技术条件规定。c）光电性能检测
AQL取0.4。检验方法：按第5章的测试方法对光电参数进行测试，其结果应符合表3的规定。7.3型式检验
7.3.1检验条件
10Gbit/sBIDI光模块有下列情况之一时，应进行型式检验。a）新产品定型或已定型产品转场时：b）正式生产后，如结构、材料、工艺有较大改变，可能影响产品性能时；c）产品长期停产12个月后，恢复生产时；d）出厂检验结果与鉴定时的型式检验有较大差别时：e）正常生产24个月后：
f）国家质量监督机构提出进行型式检验要求时。7.3.2型式检验程序
在进行型式检验前，应对样品的光电特性进行测试，并记录测试结果，然后按表5进行可靠性试验。7.3.3检验批的构成
提交检验的批，可由一个生产批构成，或由符合下述条件的几个生产批构成：-这些生产批是在相同材料、工艺、设备等条件下制造出来的：一若干个生产批构成一个检验批的时间不超过一个月。7.3.4样品检验规则
在不影响检验和试验结果的条件下，一组样品可用于其他分组的检验和试验。7.3.5产品不合格的判定
各项试验完成后，不合格的判定按6.3条规定执行，若其中任何一项试验不符合要求时，则判该批不合格。
7.3.6不合格分组产品的重新检验对不合格分组的产品，应找出不合格原因，可进行返工，以纠正缺陷或筛除失效产品，然后重新检验，重新检验应采用加严抽样方案，如通过检验，判为合格，但重新检验不得超过2次，并应清楚标明为重新检验批。
7.3.7样品的处理
凡经受了型式检验的样品，一律不能作为合格品交付使用。8
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