GB/T 29054-2012
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GB/T 29054-2012 太阳能级铸造多晶硅块
GB/T29054-2012
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标准内容
ICS 29.045
中华人民共和国国家标准
GB/T 29054-2012
太阳能级铸造多晶硅块
Solar-grade casting multi-crystalline silicon hrick2012-12-31发布
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局中国国家标准化管理委员会
2013-10-01实施
宇华人民共和
医家标准
太阳能级铸造多晶硅块
GB/T 2S051—2012
中国标准出服社出版发行
北京市阳区和平里街2（100013)北京市滨城区二里河北街16导(100045)网: spc, net. en
发行中心：（610351780235
总编室：（070)64275323
读若服务部：（01C)68523948
中国标推出版案皇岛印刷厂印刷各驰新华书店经销
开本 88×1230
即张0.5
字数9干学
2013年5月第-版
2℃:13年5月第一次邱刷
3号： 356066 -1-46638
如有印装差错
由态补发行中心调换
版权专有
侵权必究
举报电话：(010)68510107
本标准按照GB/T1.1—2009给出的规测起草GB/T 290542012
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会（SAC/TC203/SC2)归口本标雅起草单位：江西赛维LDK太阳能高科技有限公司、宁波品元太阳能有限公司、西安隆基硅材料股份有限公司、江苏协鑫硅材料科技发履有限公司、死尚德太阳能电力有限公司。本标雅工婴起草人，万跃鹏，唐骏、华抗美、张群社、孙龙、游达、架华英、金虹、刘林艳、段育红。1范围
太阳能级铸造多晶硅块
CB/29054—2012
本标准规定了太阳能级铸造多晶硅块的产品分炎、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、选输、贮存等。
本标通适用于利用铸造技术制备多晶硅片的多晶硅映，2规范性引用文件
下列文件对于本义件的应用是必不可少的：丸是注日期的就用文件，仅注1期的版适用于本文件。凡是不洋期的引用文件，其最新版本（括所有的修改单）适用于本文件，G3/T1550非本征半导体材料导电类型测试方法CB/T1551硅单晶电率测楚方法
CB/T1553硅和错体内少数载流子筹命测庭光电导衰减法G3/T1557硅品体中间原氧含量的红外吸收测量方法GB/T1558殊巾代位碳原子含量红外吸收测量方法GB/T6616半导体硅片电阻率及硅游膜游层电斑测试方法非接触涡流法GB/T14264半导体材料术语
SEMIPV1·C709利用高质星分辨率牌光放电质谱测景光伏级硅巾微量元紫的方法3术语和定义
GB/T14264界定的以及下列术语和义适用于本文件。3.1
硅块 sHicon hrick
一种块次半导体，通常为尺寸均到的长体，出多晶硅锭或单品硅样切而成，4分类
产品按外形尺寸（长×宽)分为[25mm×125mm和156mm×156mm，且有效高度应100mm，或由供需双方协商。
5要求
5.1外观质量
5.1.1在有效高度内无月视可见裂纹、崩边、缺口，5.1.2红外探伤检测结果不可出现尺寸大于5mm的阴影；筹块多品硅块需测四个侧面。5.1.3侧面粗度Ra0.2um
5.1.4相邻两面的乘首度为90°士0.25°，如图1所示1
GB/T 29054—2012
5.1.5倒角尺寸为1.5mm±0.5m，倒角角度为45士10°，姬图1所示。外形尺寸(长×宽)偏差士c.5nme5. 1.6
图1多晶硅块垂直度、倒角尺寸和倒角角度的定义5.2性能
性能要求其体见表1，表1中未列出的规格要求由供需双方协商，表1
阻率·cm)wwW.bzxz.Net
导类型
少数鼓流了存命/us
问腹氧浓度/(atoms/crr)）
代位浓度/(atums/cm）
基体金属浓度/1C-（pPmw）
硬浓度/ppw
6试验方法
外观：用月测检查。
C, 5-~3. 0
28×15
≤5X1
Fe,Ct,Ni,Cu,2n
TM(Tatal netal impetities)金属案质总含盘：20.4
6.2也阻率：按GB/T1551或GB/T6616进行应尽量避免在晶界处测量，选择大晶粒范围内测量，并选取电阻率测量平均值，其具体测量方法由供需双方协商。6.3导电类型：按GB/T1550进行。6.4少数载流子寿命：按GB/T1553进行。2
6.5间隙氧涨度：按G13/T1557逊行。6.6代位碳度：按GB/T1558进行。GB/T 29054.--2012
6.7红外探衔检测方法：将太用能级铸造多晶硅块置于(400~~3000)Ⅱm红外光源下，通过摄像机观察成像效果。
6.B金屑杂质和硼含量：选取太能级铸造多品雅快中直径为（20~～40)mtx，厚度为(5-~20)mml的多晶能，利用GDVS测量元素利金微染质会量的操作，其具体摄作力法可参考SEMIPV1-0709。6.9侧面粗糙度：用表面粗度测试仪测得，测试点在所试表面随机裴得。测试要求测是硅块的相邻两侧面，两端面不用浏最。
6.10外形尺寸：用游标卡或相应精度的量具进行。6.11相邻两边的垂直度：用万能角尺或相应精度的量具进行。7检验规则
7.1检验和验收
7.1.1产品应由供方技术(质量)监督部门违行检验，保避产品质符合本标推的规定,并填写产品质肇保证书：
7.1.2需方可对收到的产品按本标准（或订货合同）的规定避行检验，若检验结果与本标准（或订货合同>的规定不符时，应在收到产品之口起。个月内向供方提出，由供需双方协商解决。7.2组批
多品猫块以批的彩式提交验收，啦讲相同规蔡多品硅块组成，7.3检验项目及取样
多品硅块应进行红外探伤、号电类型、电阻率、少数载流子寿命、外形寸及排块外溅等项国的检验。
7.4插样
每批产品随机抽墩20%的试样做导电类型、电阻率、少数载流子寿命检验，如婆求按照其他方案逝行，由供截双方商定。
7.5检验结果的判定
红外探伤,外尺寸及硅块外观捡验有1项不贪格，则该块多晶催块为不翁格。除去不合格的多昂硅块后，余下的多品硅块逊行导电类型，电阻率和少数载流子券命检測若有1项不合格，厕意复试验，重复试验仍不合格，卿判该批产品不合。8标志、包装、运输和贮存
8、1标志、包装
8.1.1使用防震材料创装，然后将经过装的多晶硅映装入包装箱内，并装满填充物，防止多晶硅快松，特殊包聚由铁双方弥商。
8.1.2包装箱外侧应有“小心轻放”“防潮”、“易碎”、“防腐”等标识.并标明：a）需方名称,地点；
irKAONiKAca
GR/T 29054-2012
产品名称及规格：
c）产品件数及重量（毛重/净重）；供方名称，
8.2运输、购存
产品在选翰过程中应轻装轻卸，勿挤压，并采取防震、防潮措施，产晶应贮存在清洁、干燥的环境巾。质量保证书
每批产品应有质量证明书，写明：a)
供方名称；
产品名称及规格：
产辑批号：
产解净重及多晶块数；
各项参数检验结果和捡验部门的印记；本标摊编号；
出厂月期。
9订货单(或合同)内容
订购本标准所列产品的订货单(或合同)应包括下列内容：a）产品名称；
规格；
重量，
本标雅综号；
其他。
GB/T 29054-2012
打印：期：2013年6月19月F097
版权专荐复权必究
书号：155066-1-48638
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中华人民共和国国家标准
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太阳能级铸造多晶硅块
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本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会（SAC/TC203/SC2)归口本标雅起草单位：江西赛维LDK太阳能高科技有限公司、宁波品元太阳能有限公司、西安隆基硅材料股份有限公司、江苏协鑫硅材料科技发履有限公司、死尚德太阳能电力有限公司。本标雅工婴起草人，万跃鹏，唐骏、华抗美、张群社、孙龙、游达、架华英、金虹、刘林艳、段育红。1范围
太阳能级铸造多晶硅块
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本标准规定了太阳能级铸造多晶硅块的产品分炎、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、选输、贮存等。
本标通适用于利用铸造技术制备多晶硅片的多晶硅映，2规范性引用文件
下列文件对于本义件的应用是必不可少的：丸是注日期的就用文件，仅注1期的版适用于本文件。凡是不洋期的引用文件，其最新版本（括所有的修改单）适用于本文件，G3/T1550非本征半导体材料导电类型测试方法CB/T1551硅单晶电率测楚方法
CB/T1553硅和错体内少数载流子筹命测庭光电导衰减法G3/T1557硅品体中间原氧含量的红外吸收测量方法GB/T1558殊巾代位碳原子含量红外吸收测量方法GB/T6616半导体硅片电阻率及硅游膜游层电斑测试方法非接触涡流法GB/T14264半导体材料术语
SEMIPV1·C709利用高质星分辨率牌光放电质谱测景光伏级硅巾微量元紫的方法3术语和定义
GB/T14264界定的以及下列术语和义适用于本文件。3.1
硅块 sHicon hrick
一种块次半导体，通常为尺寸均到的长体，出多晶硅锭或单品硅样切而成，4分类
产品按外形尺寸（长×宽)分为[25mm×125mm和156mm×156mm，且有效高度应100mm，或由供需双方协商。
5要求
5.1外观质量
5.1.1在有效高度内无月视可见裂纹、崩边、缺口，5.1.2红外探伤检测结果不可出现尺寸大于5mm的阴影；筹块多品硅块需测四个侧面。5.1.3侧面粗度Ra0.2um
5.1.4相邻两面的乘首度为90°士0.25°，如图1所示1
GB/T 29054—2012
5.1.5倒角尺寸为1.5mm±0.5m，倒角角度为45士10°，姬图1所示。外形尺寸(长×宽)偏差士c.5nme5. 1.6
图1多晶硅块垂直度、倒角尺寸和倒角角度的定义5.2性能
性能要求其体见表1，表1中未列出的规格要求由供需双方协商，表1
阻率·cm)wwW.bzxz.Net
导类型
少数鼓流了存命/us
问腹氧浓度/(atoms/crr)）
代位浓度/(atums/cm）
基体金属浓度/1C-（pPmw）
硬浓度/ppw
6试验方法
外观：用月测检查。
C, 5-~3. 0
28×15
≤5X1
Fe,Ct,Ni,Cu,2n
TM(Tatal netal impetities)金属案质总含盘：20.4
6.2也阻率：按GB/T1551或GB/T6616进行应尽量避免在晶界处测量，选择大晶粒范围内测量，并选取电阻率测量平均值，其具体测量方法由供需双方协商。6.3导电类型：按GB/T1550进行。6.4少数载流子寿命：按GB/T1553进行。2
6.5间隙氧涨度：按G13/T1557逊行。6.6代位碳度：按GB/T1558进行。GB/T 29054.--2012
6.7红外探衔检测方法：将太用能级铸造多晶硅块置于(400~~3000)Ⅱm红外光源下，通过摄像机观察成像效果。
6.B金屑杂质和硼含量：选取太能级铸造多品雅快中直径为（20~～40)mtx，厚度为(5-~20)mml的多晶能，利用GDVS测量元素利金微染质会量的操作，其具体摄作力法可参考SEMIPV1-0709。6.9侧面粗糙度：用表面粗度测试仪测得，测试点在所试表面随机裴得。测试要求测是硅块的相邻两侧面，两端面不用浏最。
6.10外形尺寸：用游标卡或相应精度的量具进行。6.11相邻两边的垂直度：用万能角尺或相应精度的量具进行。7检验规则
7.1检验和验收
7.1.1产品应由供方技术(质量)监督部门违行检验，保避产品质符合本标推的规定,并填写产品质肇保证书：
7.1.2需方可对收到的产品按本标准（或订货合同）的规定避行检验，若检验结果与本标准（或订货合同>的规定不符时，应在收到产品之口起。个月内向供方提出，由供需双方协商解决。7.2组批
多品猫块以批的彩式提交验收，啦讲相同规蔡多品硅块组成，7.3检验项目及取样
多品硅块应进行红外探伤、号电类型、电阻率、少数载流子寿命、外形寸及排块外溅等项国的检验。
7.4插样
每批产品随机抽墩20%的试样做导电类型、电阻率、少数载流子寿命检验，如婆求按照其他方案逝行，由供截双方商定。
7.5检验结果的判定
红外探伤,外尺寸及硅块外观捡验有1项不贪格，则该块多晶催块为不翁格。除去不合格的多昂硅块后，余下的多品硅块逊行导电类型，电阻率和少数载流子券命检測若有1项不合格，厕意复试验，重复试验仍不合格，卿判该批产品不合。8标志、包装、运输和贮存
8、1标志、包装
8.1.1使用防震材料创装，然后将经过装的多晶硅映装入包装箱内，并装满填充物，防止多晶硅快松，特殊包聚由铁双方弥商。
8.1.2包装箱外侧应有“小心轻放”“防潮”、“易碎”、“防腐”等标识.并标明：a）需方名称,地点；
irKAONiKAca
GR/T 29054-2012
产品名称及规格：
c）产品件数及重量（毛重/净重）；供方名称，
8.2运输、购存
产品在选翰过程中应轻装轻卸，勿挤压，并采取防震、防潮措施，产晶应贮存在清洁、干燥的环境巾。质量保证书
每批产品应有质量证明书，写明：a)
供方名称；
产品名称及规格：
产辑批号：
产解净重及多晶块数；
各项参数检验结果和捡验部门的印记；本标摊编号；
出厂月期。
9订货单(或合同)内容
订购本标准所列产品的订货单(或合同)应包括下列内容：a）产品名称；
规格；
重量，
本标雅综号；
其他。
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