GB/T 39516-2020.Micro nano standard samples( geometric).
1范围
GB/T 39516规定了微纳米标准样板(几何量)的术语和定义、型式与基本参数、要求、检查条件、检查方法、标志、运输及储存等。
GB/T 39516适用于线间隔为0.05μm~10μm的微纳米线间隔标准样板、台阶高度为0.01μm~100μm的微纳米台阶高度标准样板、薄膜厚度为2 nm~1 000 nm的纳米膜厚标准样板和线宽为25 nm~1 000 nm的纳米线宽标准样板。
2规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T 17163-2008几何 量测量器具术语基本术语
GB/T 25915.1-2010洁净室 及相关受控环境第1部分:空气洁净度等级
3术语和定义
GB/T 17163-2008界定的以及下列术语和定义适用于本文件。
3.1
微纳米标准样板(几何量) micro nano standard samples geometric)
具有微纳米级线间隔、台阶高度、薄膜厚度、线宽几何特征结构的，可用于微纳米测量的标准样板。
3.2
线间隔 pitch
具有微纳米级准确度和均匀性、刻线间距P不大于10μm的周期性刻线。以相邻同侧周期性刻线边缘之间的距离或相邻周期性刻线几何结构中心之间的距离表征刻线间隔。
注:线间隔示意图见图1所示。
3.3
台阶高度 step height
具有微纳米级准确度和均匀性的台阶或沟槽。
3.4
薄膜厚度 film thickness
由硅基底表面和生长层薄膜表面所确定的厚度量值。
注:薄膜厚度定义示意图见图3所示。
3.5
线宽 line width
线条两侧平均线边缘之间的距离。
注:线宽示意图见图4所示。

ICS17.040.30
中华人民共和国国家标准
GB/T39516—2020
微纳米标准样板（几何量）
Micro nano standard samples(geometric)2020-11-19发布
国家市场监督管理总局
国家标准化管理委员会
2021-06-01实施
规范性引用文件
术语和定义
型式与基本参数
基本参数
5要求
性能参数要求
6检查条件
检查方法
微纳米线间隔标准样板的性能参数目
微纳米台阶高度标准样板的性能参数纳米膜厚标准样板的性能参数
纳米线宽标准样板的性能参数·标志、运输及储存
产品合格证
线间隔示意图
台阶高度示意图
薄膜厚度定义示意图
线宽示意图
微纳米线间隔标准样板型式示意图.微纳米台阶高度标准样板型式示意图纳米膜厚标准样板型式示意图
纳米线宽标准样板型式示意图
线间隔偏差有效测量区域选择示意图线边缘粗糙度考核位置示意图
rKaeerKAca-
GB/T39516—2020
GB/T39516—2020
线边缘粗糙度示意图
均匀性测量示意图
台阶高度测量示意图：
台阶区域均匀性测量时测量线选取示意图薄膜厚度偏差考核示意图
线宽偏差测量区域选择示意图…线宽均匀性测量位置选择示意图微纳米线间隔标准样板的性能参数要求·表2
微纳米台阶高度标准样板的性能参数要求.表3
纳米膜厚标准样板的性能参数要求·表4
纳米线宽标准样板的性能参数要求nrKaeerkca-
本标准按照GB/T1.1-2009给出的规则起草。本标准由中国机械工业联合会提出。本标准由全国量具量仪标准化技术委员会（SAC/TC132)归口。GB/T39516—2020
本标准起草单位：中国电子科技集团公司第十三研究所、成都工具研究所有限公司、广西壮族自治区计量检测研究院、中国计量科学研究院、上海市计量测试技术研究院、中国计量大学、珠海市怡信测量科技有限公司。
本标准主要起草人：李锁印、付兴昌、梁法国、韩志国、赵琳、冯亚南、许晓青、张晓东、姜志刚、许刚、苏冀雄、张恒、雷李华、赵军、张松涛、蔡潇雨、傅云霞用
rrKaeerkAca-
1范围
微纳米标准样板（几何量）
GB/T39516—2020
本标准规定了微纳米标准样板（几何量)的术语和定义、型式与基本参数、要求、检查条件、检查方法、标志、运输及储存等。
本标准适用于线间隔为0.05μm~10um的微纳米线间隔标准样板、台阶高度为0.01μm~100um的微纳米台阶高度标准样板、薄膜厚度为2nm～1.000nm的纳米膜厚标准样板和线宽为25nm~1000nm的纳米线宽标准样板。
规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。GB/T17163一2008几何量测量器具术语基本术语GB/T25915.1—2010洁净室及相关受控环境第1部分：空气洁净度等级术语和定义
GB/T17163—2008界定的以及下列术语和定义适用于本文件3.1
微纳米标准样板（几何量）micronanostandardsamples（geometric）具有微纳米级线间隔、台阶高度、薄膜厚度、线宽几何特征结构的，可用于微纳米测量的标准样板。3.2
线间隔
具有微纳米级准确度和均匀性、刻线间距P不大于10um的周期性刻线。以相邻同侧周期性刻线边缘之间的距离或相邻周期性刻线几何结构中心之间的距离表征刻线间隔。注：线间隔示意图见图1所示。
图1线间隔示意图
台阶高度
stepheight
具有微纳米级准确度和均匀性的台阶或沟槽KaeerKAca-
GB/T39516—2020
注：台阶高度示意图见图2所示。3.4
薄膜厚度
film thickness
测中范国/
a）台阶
）台阶面图
范围/m
b）沟槽
d）沟槽截面图
图2台阶高度示意图
由硅基底表面和生长层薄膜表面所确定的厚度量值。注：薄膜厚度定义示意图见图3所示。牛长层辣漠
祥基底
图3薄膜厚度定义示意图
线宽linewidth
线条两侧平均线边缘之间的距离。注：线宽示意图见图4所示
线近缘
图4线宽示意图
均匀性
uniformity
反映标准样板几何特征结构量值一致性的参数，在样板有效测量区域内均匀选取多个位置进行特征结构量值测量，以其测量结果的实验标准偏差给出。2
-nrKaeerKca-
线边缘粗糙度lineedgeroughnessGB/T39516—2020
描述由加工工艺和材料本身特性引起的刻线单侧墙微观表面形貌不规则程度及双侧墙微观形位关系的物理量。反映制造工艺、线宽测量及器件性能等刻线侧墙整体形貌特征。4型式与基本参数
4.1型式
4.1.1微纳米线间隔标准样板
微纳米线间隔标准样板型式见图5所示。图示仅供图解说明，不表示详细结构线间隔小于或等于0.5μm的微纳米线间隔标准样板，其有效区域不应小于100um×100um：线间隔大于0.5um的微纳米线间隔标准样板，其有效区域不应小于1mm×1mm。图5微纳米线间隔标准样板型式示意图4.1.2微纳米台阶高度标准样板
微纳米台阶高度标准样板型式见图6所示。图示仅供图解说明，不表示详细结构。台阶高度小于或等于1m的微纳米台阶高度标准样板，其台阶形式为凸的台阶结构：台阶高度天于1m的微纳米台阶高度标准样板，其台阶形式为凹的沟槽结构。指尔称志
1标准台阶
图6微纳米台阶高度标准样板型式示意图4.1.3纳米膜厚标准样板
纳米膜厚标准样板型式见图7所示。图示仅供图解说明，不表示详细结构纳米膜厚标准样板中心直径为10mm的区域为薄膜区域，并设计指示标记，3
rKaeerKAca-
GB/T39516—2020
4.1.4纳米线宽标准样板
标设区
有效测主区
图7纳米膜厚标准样板型式示意图纳米线宽标准样板型式见图8所示。图示仅供图解说明，不表示详细结构，纳米线宽标准样板的有效区域不小于10μm×10μm。Sio,siN
3纳米线宽标准样板型式示意图
4.2基本参数
4.2.1微纳米线间隔标准样板
微纳米线间隔标准样板的基本参数包括：线间隔、线边缘粗糙度和均匀性。4.2.2微纳米台阶高度标准样板
微纳米台阶高度标准样板的基本参数包括：台阶高度和均匀性。4.2.3纳米膜厚标准样板
纳米膜厚标准样板的基本参数包括：薄膜厚度和均匀性。4.2.4纳米线宽标准样板
纳米线宽标准样板的基本参数包括：线宽和均勾性。4
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微纳米标准样板（几何量）上不应有影响使用性能的划痕、断线等缺陷。性能参数要求
微纳米线间隔标准样板
GB/T39516-—2020
微纳米线间隔标准样板的性能参数要求：线间隔偏差、线边缘粗糙度和均匀性应符合表1的规定线间隔为0.05um～10μm之间的其他微纳米线间隔标准样板的线间隔偏差、线边缘粗糙度和均匀性可参照表1执行。
微纳米线间隔标准样板的性能参数要求表1
线间隔
线间隔偏差
土（线间隔×5%）
±（线间隔×3%）
±（线间隔×2%）
士（线间隔×1%）
土（线间隔×1%）
土（线间隔×1%）
土（线间隔×1%）
土（线间隔×1%）
微纳米台阶高度标准样板
线边缘粗糙度
均勾性
线间隔×5%免费标准下载网bzxz
线间隔×3%
线间隔×2%
线间隔×1%
线间隔×1%
线间隔×1%
线间隔×1%
线间隔×1%
微纳米台阶高度标准样板的性能参数要求：台阶高度偏差和均匀性应符合表2的规定台阶高度为0.01um～100um之间的其他微纳米台阶高度标准样板的台阶高度偏差和均匀性可参照表2执行。
台阶高度
微纳米台阶高度标准样板的性能参数要求台阶高度偏差
土（台阶高度×10%）
土（台阶高度×5%）
土（台阶高度X4%）
土（台阶高度×3%）
土（台阶高度×2%）
土（台阶高度×1%）
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均匀性
台阶高度×5%
台阶高度×2.5%
台阶高度×2%
台阶高度×2%
台阶高度×2%
台阶高度×1%
GB/T39516—2020
台阶高度
纳米膜厚标准样板
表2（续）
台阶高度偏差
土（台阶高度×1%）
士（台阶高度×5%）
土（台阶高度×5%）
土（台阶高度×5%）
土（台阶高度×5%）
土（台阶高度×5%）
土（台阶高度×5%）
均匀性
台阶高度×1%
台阶高度×1%
台阶高度×1%
台阶高度×1%
台阶高度×1%
台阶高度×1%
台阶高度×1%
纳米膜厚标准样板的性能参数要求：薄膜厚度偏差和均勾性应符合表3的规定薄膜厚度为2nm~1000nm之间的其他纳米膜厚标准样板的薄膜厚度偏差和均勾性可参照表3执行。
薄膜厚度
纳米线宽标准样板
纳米膜厚标准样板的性能参数要求薄膜厚度偏差
±（薄膜厚度×15%）
土（薄膜厚度×10%）
士（薄膜厚度×10%）
±（薄膜厚度×5%）
士（薄膜厚度×4%）
土（薄膜厚度×2%）
土（薄膜厚度×2%）
土（薄膜厚度×2%）
±（薄膜厚度×1%）
均勾性
±（薄膜厚度×10%）
土（薄膜厚度×8%）
士（薄膜厚度×5%）
士（薄膜厚度×2.5%）
士（薄膜厚度×2%）
土（薄膜厚度×1%）
土（薄膜厚度×1%）
土（薄膜厚度×1%）
±（薄膜厚度×0.5%）
纳米线宽标准样板的性能参数要求：线宽偏差和均勾性应符合表4的规定，线宽为25nm~1000nm之间的其他纳米线宽标准样板的线宽偏差和均勾性可参照表4执行。表4
纳米线宽标准样板的性能参数要求线宽偏差
±（线宽×5%）
KaeeiKca
均勾性
线宽×5%
检查条件
表4（续）
线宽偏差
±（线宽×4%）
土（线宽×2%）
士（线宽×1%）
±（线宽×1%）
±（线宽×1%）
GB/T39516—2020
均匀性
线宽×4%
线宽×2%
线宽×1%
线宽×1%
线宽×1%
微纳米标准样板（几何量）检查时，环境温度应为20℃土2℃，温度变化不大于土1℃/h，相对湿度不应大于80%，洁净度不低于ISO6级（见GB/T25915.1—2010）。检查方法
宜采用光学显微镜对微纳米标准样板（几何量)进行外观检查。7.2
微纳米线间隔标准样板的性能参数7.2.1线间隔偏差
测量设备
使用扫描电子显微镜或原子力显微镜对微纳米线间隔标准样板的线间隔偏差进行测量，或使用技术性能相当的其他测量仪器测量。7.2.1.2
数据采集区的选取
在微纳米线间隔标准样板的有效测量区域内，选取多个周期的线间隔长度作为数据采集区。选取依据如下：
对于线间隔小于1um的微纳米线间隔标准样板，在微纳米线间隔标准样板的有效测量区域内选取任意10个线间隔的长度作为数据采集区，见图9所示；对于其他尺寸的微纳米线间隔标准样板，可以在微纳米线间隔标准样板的有效测量区域内选取2～10个线间隔长度作为数据采集区。KaeerkAca-
GB/T39516—2020
说明：
线间隔尺寸实测值：
m个周期线间隔第i次测量结果。效测主区减
测二区
图9线间隔偏差有效测量区域选择示意图7.2.1.3测量步骤
微纳米线间隔标准样板线间隔偏差的测量步骤如下a）在数据采集区的同一位置连续重复测量10次，并记录测量数据按照公式（1），计算10次测量数据的平均值作为微纳米线间隔标准样板线间隔的实测值。b）
式中：
线间隔尺寸实测值，单位为微米（μm）；m个周期线间隔第i次测量结果，单位为微米（um）；选取的周期数；
重复测量次数，此处n=10。
按照公式（2），计算微纳米线间隔标准样板的线间隔偏差。△P=P-P,
式中：
线间隔偏差，单位为微米（um）；线间隔尺寸实测值，单位为微米（um）；线间隔标称值，单位为微米（um）。线边缘粗糙度
测量设备
按7.2.1.1规定的测量设备对微纳米线间隔标准样板的线边缘粗糙度进行测量。7.2.2.2
数据采集区的选取
在微纳米线间隔标准样板的测量区域中，选择5个有效位置（上、中、下、左、右）作为考核区域，见图10所示。位置O为微纳米线间隔标准样板测量区域几何中心；其他各测量位置与微纳米线间隔标准样rKaeerKAca-
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