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GB/T 43725-2024

基本信息

标准号: GB/T 43725-2024

中文名称:直写成像式曝光设备

标准类别:国家标准(GB)

英文名称:Direct writing imaging exposure equipment

标准状态:现行

发布日期:2024-03-15

实施日期:2024-10-01

出版语种:简体中文

下载格式:.pdf .zip

下载大小:5071513

相关标签: 曝光 设备

标准分类号

标准ICS号:电子学>>31.260光电子学、激光设备

中标分类号:电子元器件与信息技术>>电子工业生产设备>>L97加工专用设备

关联标准

出版信息

出版社:中国标准出版社

页数:20页

标准价格:38.0

相关单位信息

起草人:何少锋、陈新、邱醒亚、乔书晓、沈桂珍、朱颖、陈黎阳、方林、曲鲁杰、许静平、陈东、崔良端、陆培良、吴怡然、曹可慰、赵俊莎、李香滨、严孝年、鲁男、李娜、李照辉、吴新民

起草单位:合肥芯碁微电子装备股份有限公司、广州兴森快捷电路科技有限公司、安徽省工业和信息化研究院、深南电路股份有限公司、四创电子股份有限公司、中国电子技术标准化研究院、合肥矽迈微电子科技有限公司、深圳市克洛诺斯科技有限公司、深圳拜波赫技术有限公司

归口单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)

提出单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)

发布部门:国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会

标准简介

本文件规定了直写成像式曝光设备的分类与结构、技术要求、检验规则、标志、包装、运输和贮存及产品随机文件的要求,描述了测试方法,包括试验一般条件、外观和尺寸检查、性能测试、安全性测试和噪声测试。 本文件适用于印制电路板及集成电路封装基板用直写成像式曝光设备的设计、研发、验证、制造、使用及检验等过程。


标准图片预览






标准内容

ICS31.260
CCS L 97
中华人民共和国国家标准
GB/T43725—2024
直写成像式曝光设备
Direct writing imaging exposure equipment2024-03-15发布
国家市场监督管理总局
国家标准化管理委员会
2024-10-01实施
规范性引用文件
术语和定义
分类与结构
技术要求
测试方法
检验规则·
标识、标志、包装、运输和贮存产品随机文件·
GB/T43725—2024
GB/T43725—2024
本文件按照GB/T1.1一2020《标准化工作导则第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)提出并归口。本文件起草单位:合肥芯碁微电子装备股份有限公司、广州兴森快捷电路科技有限公司、安徽省工业和信息化研究院、深南电路股份有限公司、四创电子股份有限公司、中国电子技术标准化研究院、合肥矽迈微电子科技有限公司、深圳市克洛诺斯科技有限公司、深圳拜波赫技术有限公司。本文件主要起草人:何少锋、陈新、邱醒亚、乔书晓、沈桂珍、朱颖、陈黎阳、方林、曲鲁杰、许静平、陈东、崔良端、陆培良、吴怡然、曹可慰、赵俊莎、李香滨、严孝年、鲁男、李娜、李照辉、吴新民。1范围
直写成像式曝光设备
GB/T43725—2024
本文件规定了直写成像式曦光设备的分类与结构、技术要求、检验规则、标志、包装、运输和贮存及产品随机文件的要求,描述了测试方法,包括试验一般条件、外观和尺寸检查、性能测试、安全性测试和噪声测试。
本文件适用于印制电路板及集成电路封装基板用直写成像式曝光设备的设计、研发、验证、制造、使用及检验等过程。
2规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中,注日期的引用文件,仅该日期对应的版本适用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T191
包装储运图示标志
GB/T2893.2图形符号安全色和安全标志第2部分:产品安全标签的设计原则3声学声压法测定噪声源声功率级和声能量级采用反射面上方包络测量面的简GB/T3768
GB/T3785.1
电声学声级计第1部分:规范
GB/T5226.1一2019机械电气安全机械电气设备第1部分:通用技术条件GB/T6388
GB/T13306
运输包装收发货标志
GB/T13384
GB/T16471
机电产品包装通用技术条件
运输包装件尺寸与质量界限
GB/T18209.2一2010机械电气安全指示、标志和操作第2部分:标志要求SJ/T10668—2023电子组装技术术语3术语和定义
SJ/T10668一2023界定的以及下列术语和定义适用于本文件。3.1
器spatiallightmodulator
空间光调制器
采用光反射、电光相互作用、声光相互作用等方式改变光传播方向或能量分布的器件。3.2
直写成像式曝光directwritingimagingexposure利用激光二极管、发光二极管或其他光源通过空间光调制器(3.1)进行光束扫描的技术。3.3
分辨率
resolution
在光学曝光成像中,一种曝光设备或一种光致抗蚀剂等感光材料所能产生清晰图像的最小图形尺寸。1
GB/T43725—2024
注:通常用最小图形线宽、两个图形间的最小间距以及最小的空间(线对)周期表征。3.4
linewidth
除非另有规定,随机选取印制板上导线的任意点,从其正上方观察到的宽度【来源:SJ/T10668一2023,9.27,有修改3.5
line widthuniformity
线宽均匀性
某个曝光区域内,相同特征图形实际曝光结果的特征尺寸差异。注:用百分数(%)表示。
throughput
单位时间内完成曝光的面积,
注:产能也指在指定基板规格尺寸的情况下,单位时间内完成曝光的面数。3.7
图形拼接精度
pattern stitching accuracy
曝光图形由多个扫描场曝光组成,相邻两次扫描曝光图形存在拼接,拼接处图形和设计图形之间的误差。
line spacing
在一个导电层上,隔离的导电线路的相邻边缘之间(不是中心到中心的距离)观察到的间距。[来源:SJ/T10668—20239.26,有修改]3.9
能量密度
energydensity
单位曝光面积上接收到的能量
注:单位为毫焦每平方厘米(mJ/cm2)。3.10
外层对准精度
outerlayeralignmentaccuracy
对印制板或封装基板进行曝光时,感光材料上的曝光图形与印制板或封装基板上外层图案的相对位置精度。
注:单位为微米(μm)。
double-sidealignmentaccuracy双面对准精度
对印制板或封装基板进行曝光时,正反两面曝光后图形的相对位置精度。注:单位为微米(μm)。
在多次拼接成像曝光中的每一个单次曝光区域注:通常为条状,
soldermaskdam
阻焊堤
阻焊坝
在相邻导体间较狭小空隙中的条状阻焊图形。注:阻焊堤起到阻挡焊锡流通的作用。2
阻焊开窗
solder mask opening
阻焊图形中不覆盖阻焊剂的空白区域。分类与结构
产品分类
GB/T43725—2024
直写成像式曝光设备的机型按照曝光应用类型分为:应用于线路曝光的线路直写成像式曝光机型和应用于阻焊曝光的阻焊直写成像式曝光机型。通常按照分辨率或最大有效曝光尺寸对直写成像式曝光设备分级。推荐的最大有效曝光尺寸见表1。本文件产品性能要求按分辨率分级。表1推荐的最大有效曝光尺寸
线路直写成像式
曝光机型
阻焊直写成像式
曝光机型
产品结构组成
加工对象
封装基板
类载板、高密度互连印制板、刚性印制板、挠性印制板、刚挠印制板高密度互连印制板、刚性印制板、挠性印制板、刚挠印制板刚性印制板、挠性印制板、刚挠印制板刚性印制板、挠性印制板
封装基板、类载板、高密度互连印制板、刚性印制板、挠性印制板、刚挠印制板
直写成像式曝光设备主要结构组成见表2。表2
曝光台面
成像系统
环控系统
定位系统
控制系统
对位系统下载标准就来标准下载网
调焦系统
直写成像式曝光设备主要结构组成说明
具备吸附、固定功能的基板放置台面光源、成像及空间光调制器
控制设备内部温度、湿度的模块多轴定位平台系统
控制模块和输人、输出接口
用于基板图形靶标对准的模块
调整焦平面位置的模块
最大有效曝光尺寸
mm×mm
560X610
625×660
625×725
725×1250
1250×1250
725×1250
GB/T43725—2024
设备工作条件
除另有规定外,直写成像式曝光设备工作条件见表3。表3
技术要求
工作条件
环境光源
相对湿度
洁净度
地基振动级别
外观和尺寸
直写成像式曝光设备工作条件
22℃±2℃
50%±10%
10000级及以上
交流380V;16A;50Hz;7kW
直写成像式曝光设备的外观和尺寸应符合下列要求:a)
设备尺寸符合设计规格;
设备外观完好,表面平整光洁、色泽均勾,无裂纹、褪色及永久性污渍,无明显变形和划痕,金属件无腐蚀;
设备表面及显示面板上的标志清楚可辨。性能
分辨率、线宽、线距、阻焊堤和阻焊开窗5.2.1
按6.3.4测试后,线路直写成像式曝光机型的分辨率、线宽和线距指标应满足表4的要求,阻焊直写成像式曝光机型的分辨率、阻焊堤和阻焊开窗指标应满足表5的要求表4
线路直写成像式曝光机型分辨率、线宽和线距指标机型
线路直写成像式曝光机型
分辨率
GB/T43725—2024
阻焊直写成像式曝光机型分辨率、阻焊堤和阻焊开窗指标分辨率
阻焊直写成像式曝光机型
线宽均匀性
阻焊堤
阻焊开窗
除另有规定外,按6.3.5测试后,各分辨率线路直写成像式曝光机型在其极限分辨率下的线宽均匀性应不大于土10%。
能量均匀性
按6.3.6测试后,各分辨率线路直写成像式曝光机型和阻焊直写成像式曝光机型在其分辨率下的能量均匀性应不小于95%。
图形拼接精度
除另有规定外,按6.3.7测试后,各分辨率线路直写成像式曝光机型和阻焊直写成像式曝光机型在其分辨率下的图形拼接精度应不大于土10%。5.2.5外层对准精度
按6.3.8测试后,各分辨率线路直写成像式曝光机型在其分辨率下的外层对准精度应满足表6的要求,各分辨率阻焊直写成像式曝光机型在其分辨率下的外层对准精度应满足表7的要求。表6
5线路直写成像式曝光机型外层对准精度机型
线路直写成像式曝光机型
分辨率
外层对准精度
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