ICS 29.045 H80 中华人民共和国有色金属行业标准 YS/T 985—2014 硅抛光回收片 Polished reclaimed silicon wafers 2014-10-14 发布 2015-04-01 实施 中华人民共和国工业和信息化部 发布 前言 本标准按照 GB/T 1.1—2009 给出的规则起草。 本标准修改采用 SEMI M38-0307《硅抛光回收片规范》。本标准与 SEMI M38-0307 相比存在技术性差异，这些差异涉及的条款已通过在其外侧页边空白位置的垂直单线（│）进行了标识。 内容与 SEMI M38-0307 的主要差别在于： - 仅采用了 SEMI M38-0307 中关于100mm、125mm、150mm和200mm硅抛光回收片的内容； - 删除了原标准中关于50.8mm、76.2mm和300mm直径硅抛光回收片的内容（包括附录1和附录2）； - 将 SEMI M38-0307 中表1和表2中关于100mm、125mm、150mm和200mm硅抛光回收片的规范合并，形成本标准中的表1； - 根据我国标准编写习惯进行了排版，并将技术要求表格提前。 本标准由全国有色金属标准化技术委员会（SAC/TC243）归口。 本标准负责起草单位：浙江金瑞泓科技股份有限公司。 本标准参加起草单位：有研半导体材料股份有限公司、杭州海纳半导体有限公司、万向硅峰电子股份有限公司、上海合晶硅材料有限公司。 本标准主要起草人：何良恩、刘丹、许峰、张海英、孙燕、曹孜、王飞尧、楼春兰、徐新华。 1 范围 本标准规定了硅抛光回收片的要求、检验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单（或合同）内容。 本标准适用于用户提供的或来源于第三方的硅回收片（主要包括100mm、125mm、150mm和200mm单面或双面抛光硅片、未抛光硅片或外延硅片）经单面抛光制备的硅抛光片。产品主要用于机械、炉处理、颗粒和光刻中的监控片。 另外，使用方需注意硅回收片的热历史、体沾污和表面沉积物情况。 2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件；凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T 1554 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法 GB/T 1555 半导体单晶晶向测定方法 GB/T 1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 GB/T 1558 硅中代位碳原子含量的红外吸收测量方法 GB/T 2828.1 计数抽样检验程序 第1部分：按接收质量限（AQL）检索的逐批检验抽样计划 GB/T 4058 硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法 GB/T 6616 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法 GB/T 6618 硅片厚度和总厚度变化测试方法 GB/T 6619 硅片弯曲度测试方法 GB/T 6620 硅片翘曲度非接触式测试方法 GB/T 6621 硅片表面平整度测试方法 GB/T 6624 硅抛光片表面质量目测检验方法 GB/T 11073 硅片径向电阻率变化的测量方法 GB/T 12962 硅单晶 GB/T 12964 硅单晶抛光片 GB/T 13387 硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法 GB/T 13388 硅片参考面结晶学取向X射线测试方法 GB/T 14140 硅片直径测量方法 GB/T 14144 硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法 GB/T 14264 半导体材料术语 GB/T 14844 半导体材料牌号表示方法 GB/T 19921 硅抛光片表面颗粒测试方法 GB/T 19922 硅抛光片局部平整度非接触式检测方法 GB/T 24575 硅和硅外延片表面 Na、Al、K 和 Fe 的二次离子质谱测试方法 GB/T 24578 硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法 GB/T 26066 硅晶片上浅腐蚀坑检测的方法 GB/T 26067 硅片切口尺寸测试方法 GB/T 26068 硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光导衰减测试方法 GB/T 29505 硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法 YS/T 26 硅片边缘轮廓检验方法 SEMI MF1451 全自动无接触扫描法测量硅片峰谷差的方法（Test method for measuring sori on silicon wafers by automated non-contact scanning） 3 术语和定义 GB/T 12964 中定义的相关术语适用于本文件。 其他相关术语定义见 GB/T 14264。 4 要求 4.1 产品应符合相应尺寸规格及表面质量要求。 4.2 产品应满足硅抛光回收片相关技术指标要求。 4.3 产品的检测项目及性能指标应符合标准规定。