ICS 29.045 H82 YS 中华人民共和国有色金属行业标准 YS/T 1167—2016 硅单晶腐蚀片 Monocrystalline Silicon Etched Wafers 2016-07-11 发布 2017-01-01 实施 中华人民共和国工业和信息化部 发布 前言 本标准按照 GB/T 1.1—2009 给出的规则起草。 本标准由全国有色金属标准化技术委员会（SAC/TC243）提出并归口。 本标准起草单位：天津市环欧半导体材料技术有限公司、天津中环领先材料技术有限公司、洛阳鸿泰半导体有限公司、有研半导体材料有限公司、杭州海纳半导体有限公司。 本标准主要起草人：由佰玲、张雪因、蒋建国、孙燕、王飞尧、沈浩平。 1 范围 本标准规定了硅单晶腐蚀片的牌号及分类、要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单（或合同）内容。 本标准适用于采用直拉法、悬浮区熔法（包括区熔中子嬗变和气相掺杂）制备的硅单晶研磨片，经化学腐蚀液去除表面损伤层后制备的酸腐蚀片和碱腐蚀片（以下简称腐蚀片）。产品主要用于制作晶体管、整流管、特大功率晶闸管、光电器件等半导体元器件，或进一步加工成硅抛光片。 2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件；凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T 1555 半导体单晶晶向测定方法 GB/T 2828.1 计数抽样检验程序 第1部分：按接收质量限（AQL）检索的逐批检验抽样计划 GB/T 6616 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻率测试方法 非接触涡流法 GB/T 6618 硅片厚度和总厚度变化测试方法 GB/T 6620 硅片翘曲度非接触式测试方法 GB/T 11073 硅片径向电阻率变化的测量方法 GB/T 12962 硅单晶切割片和研磨片 GB/T 12965 硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法 GB/T 13387 硅片参考面结晶学取向X射线测试方法 GB/T 13388 硅片直径测量方法 GB/T 14140 半导体材料术语 GB/T 14264 半导体材料牌号表示方法 GB/T 14844 铝及铝合金阳极氧化 阳极氧化膜镜面反射率和镜面光泽度的测定（20°、45°、60°、85°角度方向） GB/T 20503 硅片切口尺寸测试方法 GB/T 26067 硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法 GB/T 29505 硅材料原生缺陷图谱 GB/T 30453 硅片边缘轮廓检验方法 YS/T 26 硅片包装 YS/T 28 硅片边缘轮廓检验方法 3 术语和定义 GB/T 14264 和 GB/T 30453 界定的以及下列术语和定义适用于本文件。 3.1 表面光泽度（surface glossiness） 在规定的光源和接收器张角条件下，样品在镜面反射方向的反射光光通量与标准陶瓷板样品在该镜面反射方向的反射光通量之比。光泽度值通常以数值表示，单位为 Gs（光泽单位）。 3.2 表面反射率（surface reflectivity） 在规定的光源和接收器张角条件下，样品在镜面反射方向的反射光光通量与入射光光通量之比，其数值通常以百分数表示。 3.3 表面腐蚀晶胞（surface etched unit cell） 硅单晶片的不同晶面腐蚀速率不同，腐蚀过程中晶胞的三维形貌发生变化后，在硅单晶片表面形成的图形。通过显微镜能够观察硅单晶片表面腐蚀晶胞的形貌，并测量腐蚀晶胞的长、宽等参数。 注：表面腐蚀晶胞的形貌强烈依赖于硅单晶片的晶向和掺杂剂浓度、化学腐蚀液性质以及腐蚀工艺条件等。酸腐蚀和碱腐蚀的硅单晶片表面腐蚀晶胞具有完全不同的形貌，参见附录A。 4 牌号及分类 4.1 牌号 腐蚀片的牌号表示方法参照 GB/T 14264 的规定执行。