YS/T 1105-2016半导体封装用键合银丝

ICS 77.150.99 H68 YS 中华人民共和国有色金属行业标准 YS/T1105—2016 半导体封装用键合银丝 Silver bonding wire for semiconductor package 2016-04-05发布 中华人民共和国工业和信息化部发布 2016-09-01实施 前言 本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。 本标准由全国有色金属标准化技术委员会（SAC/TC243）提出并归口。 本标准起草单位：烟台一诺电子材料有限公司、北京达博有色金属焊料有限责任公司、有色金属技术经济研究院、山东科大鼎新电子科技有限公司。 本标准主要起草人：林良、向翠华、向磊、苗海川、臧晓丹、苗洪远、闫茹、李天祥、周晓光、刘洁。 1 范围 本标准规定了半导体分立器件、集成电路、LED封装用键合银丝（以下简称银丝）的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存、质量证明书及订货单（或合同）等内容。 本标准适用于半导体封装用键合银丝。 2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T1423 贵金属及其合金密度的测试方法 GB/T8750—2014 半导体封装用键合金丝 GB/T10573 有色金属细丝拉伸试验方法 GB/T11067（所有部分）银化学分析方法 GB/T15072（所有部分）贵金属合金化学分析方法 GB/T15077 贵金属及其合金材料几何尺寸测量方法 3 要求 3.1 产品分类 3.1.1 种类、型号、牌号、状态和规格 银丝按化学成分分为普通银丝和合金银丝两大类。普通银丝为Ag含量≥99%的银丝（CS），合金银丝根据合金元素及含量不同分为AS1、AS2、AS3和AS4等型号。银丝的种类、型号、状态和直径应符合表1规定。 表1 种类、型号、牌号和直径 普通银丝：CS，牌号Ag99，半硬态 合金银丝： AS1：Ag88AuPd AS2：Ag92AuPd AS3：Ag95PdAu AS4：Ag97PdAu 直径范围：0.018 mm、0.020 mm、0.023 mm、0.025 mm、0.028 mm、0.030 mm、0.032 mm、0.033 mm、0.035 mm、0.038 mm、0.040 mm、0.045 mm、0.050 mm 注：可根据需方要求增加其他直径规格。 3.1.2 标记示例 每轴银丝标记按产品名称、标准编号、牌号、状态及尺寸规格顺序表示。 示例：直径0.025 mm、长度500 m、CS型号、牌号Ag99的银丝标记为：键合银丝 YS/T1105 Ag99 φ0.025×500m。 3.2 化学成分 银丝化学成分应符合表2规定。 普通银丝Ag≥99%；合金银丝中主要含Ag、Au、Pd等元素，其中Au含量约0.15%～7.5%，Pd含量约0.5%～6.0%，不同型号对应不同配比范围。 杂质元素包括但不限于Cu、Pb、Fe、Sb、Se、Te、Bi等。 3.3 尺寸偏差 3.3.1 直径及允许偏差 银丝直径以微米或英制单位标记时需注明单位，毫米单位可不标注单位。 3.3.2 长度偏差 单轴长度为500 m或其整数倍，允许偏差≤-1%。 3.4 力学性能 银丝的最小拉断力及伸长率应符合标准表3规定（原表内容在OCR中部分缺失）。