YS/T 935-2013电子薄膜用高纯金属溅射靶材纯度等级及杂质含量分析和报告标准指南

ICS 77.150.99 H68 YS 中华人民共和国有色金属行业标准 YS/T 935—2013 电子薄膜用高纯金属溅射靶材纯度等级及杂质含量分析和报告标准指南 Standard guide for analysis and reporting the impurity content and grade of high-purity metallic sputtering targets for electronic thin film applications 2013-10-17发布 中华人民共和国工业和信息化部发布 2014-03-01实施 前言 本标准按照GB/T 1.1—2009给出的规则起草。 本标准参照了ASTM F2113-01(2011)《电子薄膜用高纯金属溅射靶材纯度等级及杂质含量的分析及报告标准指南》。 本标准由全国有色金属标准化技术委员会（SAC/TC243）归口。 本标准起草单位：有研亿金新材料股份有限公司。 本标准主要起草人：张涛、何金江、丁照崇、万小勇、徐建卫、廖赞、尚再艳、王欣平、熊晓东、吕保国。 1 范围 本标准规定了电子薄膜制备用高纯金属溅射靶材的纯度等级定义方法、杂质含量分析方法、抽样规则及靶材纯度等级报告规范等内容。 本标准适用于电子薄膜用各类高纯金属溅射靶材（以下简称靶材）。其他对纯度有较高要求的靶材纯度等级、杂质含量分析及报告规范也可参照使用。 2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T 14265 金属材料中氢、氧、氮、碳和硫分析方法通则 GB/T 20975（所有部分）铝及铝合金化学分析方法 GB/T 29658 电子薄膜用高纯铝及铝合金溅射靶材 YS/T 871 高纯铝化学分析方法 痕量杂质元素的测定 辉光放电质谱法 YS/T 922 高纯铜化学分析方法 痕量杂质元素含量的测定 辉光放电质谱法 3 术语和定义 3.1 靶材 target 物理气相沉积（PVD）工艺中用于溅射的阴极部分，本标准中指加工后待用的靶材。 3.2 原材料批 material lot batch 制造同批系列靶材所用的原材料锭批。 3.3 靶材规范 target specification 电子薄膜用溅射靶材的产品规范。 4 要求 4.1 成分要求 电子薄膜制备用高纯金属溅射靶材因用途不一，对不同材质靶材的纯度要求不同。成分要求包括金属杂质和非金属杂质检测。 4.1.1 靶材由纯金属制成时，应按靶材规范检测原材料批的金属杂质含量，并在规范中提供检测值。 4.1.2 靶材由合金制成时，应分别检测原材料批的合金成分及其余金属杂质含量，并在规范中提供检测值。 4.1.3 靶材规范中应包含碳、氢、氮、氧、硫等非金属元素检测值。 4.2 杂质检测其他要求 4.2.1 靶材规范中应列出杂质元素含量上限值及具体检测值，并注明检测方法。仪器无法给出具体数值时，应按检出限报告。 4.2.2 可按需方要求检测标准外杂质含量，并按协商方式提供报告，但不计入纯度等级评定。 4.2.3 特殊分析干扰问题需供需双方商定方法及检出限。 4.2.4 对电子薄膜性能有严重影响的特定元素（如U、Th及其总量、S等）应明确上限值及检测方法。 4.2.5 杂质上限值及检测方法可由供需双方商定。 5 纯度等级 靶材纯度等级为100%减去杂质总和后的余量（不含C、H、N、O、S等非金属杂质）。 5.1 纯度及等级划分应符合表1要求，杂质总和按4.1检测结果计算，检测值以质量分数w(B)（1×10⁻⁴%）形式表示。 5.2 按规定杂质元素计算总量并确定纯度等级。 表1 靶材纯度等级分类及要求 纯度（%） 等级 杂质含量总和要求（1×10⁻⁴%） 99.95 3N5 100 99.99 4N 50 99.995 4N5 10 99.999 5N 5 99.9995 5N5 1 99.9999 6N 0.5\