ICS 77.040 H21 YS 中华人民共和国有色金属行业标准 YS/T 24—2016 代替 YS/T 24—1992 外延钉缺陷的检验方法 Test methods for spike of epitaxial layers 2016-04-05发布 中华人民共和国工业和信息化部发布 2016-09-01实施 前言 本标准按照GB/T 1.1—2009给出的规则起草。 本标准代替YS/T 24—1992《外延钉缺陷的检验方法》。与YS/T 24—1992相比，主要变化如下： 增加了“规范性引用文件”和“术语和定义”；增加了“方法2 无损测试”。 本标准由全国有色金属标准化技术委员会（SAC/TC243）提出并归口。 本标准起草单位：南京国盛电子有限公司、有研半导体材料有限公司、上海晶盟硅材料有限公司。 主要起草人：马林宝、杨帆、孙燕、徐新华。 本标准所代替标准的历次版本发布情况为：YS/T 24—1992。 1 范围 本标准规定了外延钉缺陷的检验方法。 本标准适用于判断硅外延片上是否存在高度不小于4 μm的钉缺陷。当钉缺陷数量较少且彼此不相连时，可对钉缺陷进行计数。本标准不能测量钉缺陷的高度。 2 规范性引用文件 GB/T 14264 半导体材料术语 3 术语和定义 GB/T 14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件。 3.1 钉缺陷 spikes 外延生长过程中形成的表面突起物，通常由衬底表面颗粒引起的外延硅突起结构。 4 方法1 有损测试 4.1 方法提要 有损测试是将聚酯塑料薄膜沿三个不同方向在试样表面推动，在两个或两个以上方向与表面突起物发生接触的位置判定为钉缺陷。 4.2 材料 4.2.1 真空吸片装置或镊子。 4.2.2 聚酯塑料薄膜：厚度25 μm，尺寸50 mm × 50 mm。 4.3 测试步骤 4.3.1 用真空吸片装置固定试样背面或用镊子夹持试样，必要时可将外延面朝上置于清洁表面。 4.3.2 用拇指和食指夹持聚酯薄膜，使其延伸约25 mm，并与试样表面成45°夹角。 4.3.3 在主参考面对面，使薄膜与试样表面接触（见图1）。 4.3.4 将薄膜向主参考面方向推动，并进行平行叠加移动（方向1）。 4.3.5 重复上述移动操作。 4.3.6 记录薄膜与突起物接触的位置。 4.3.7 对另外两个方向（方向2、方向3）重复相同操作，三个方向约成120°角。 4.3.8 在两个或两个以上方向发生接触的位置判定为钉缺陷。 注：必要时可用显微镜确认缺陷位置。 4.4 精密度 单个实验室精密度为±5%，多个实验室精密度为±10%。 5 方法2 无损测试 5.1 方法提要 无损测试采用光散射逐行扫描方式测量硅外延片表面突起物，使用表面颗粒测试仪器进行检测。 5.2 仪器 表面颗粒测试仪器通常包括激光系统、扫描系统、检测系统、晶片运动系统及软件系统等。 5.3 干扰因素 5.3.1 部分直射式仪器可能无法区分形貌，测试结果可能包含凹坑数量，可结合目检进行区分。 5.3.2 未清洗样品表面大颗粒会影响测试结果。 5.4 测试环境 在洁净环境中进行测试，温湿度按相应洁净级别要求执行。 5.5 试样 硅外延片表面应清洁干燥，必要时需预先清洗。 5.6 测试步骤 5.6.1 将试样正面朝上放入专用载片架并置于测试位置。 5.6.2 设置扫描下限为4 μm。 5.6.3 仪器自动扫描表面。 5.6.4 输出颗粒数量及分布结果。 5.6.5 统计粒径≥4 μm的颗粒数量，即为钉缺陷数量。 5.7 精密度 单个实验室重复性为8%，三个实验室再现性为11%。 5.8 试验报告 试验报告应包括：产品类型、样品编号、钉缺陷试样数与总试样数、标准编号等内容。