本空白详细规范规定了制定环境或管壳额定整流二极管(包括雪崩整流二级管)详细规范的基本原则，制定该范围内的所有详细规范应尽可能与本空白详细规范相一致。 GB/T 6351-1998 半导体器件 分立器件 第2部分:整流二极管 第一篇 100A以下环境或管壳额定整流二极管(包括雪崩整流二极管)空白详细规范 GB/T6351-1998 标准下载解压密码：www.bzxz.net

GB/T6351—1998
本规范等同采用IEC747-2-1：1989《半导体器件分立器件100A以下环境或管壳额定整流二极管（包括雪崩整流二极管）空白详细规范》。本规范是GB/T6351一1987的修订版。本规范与GB/T6351一1986的主要差别是：在第5章中增加了5.5总耗散功率。原来的5.5热阻改为5.6，删去了c2d分组热阻。除非另有规定，在本规范第8章中引用的条号对应于GB/T4589.1一1989《半导体器件分立器件和集成电路总规范》(IEC747-10：1984)的条号，测试方法引自GB/T4023—1997。《半导体器件分立器件第2部分：整流二极管》(IEC747-2：83)试验方法引自GB/T4937一1995《半导体器件机械和气候试验方法》(IEC749：1984）。本规范由中华人民共和国电子工业部提出。本规范由全国半导体器件标准化技术委员会归口。本规范由电子工业部标准化研究所负责起草。本规范主要起草人：于志贤、刘东才、王保桢。I
GB/T 6351—1998
IEC前言
1）IEC(国际电工委员会)在技术问题上的正式决议或协议，是由对这些问题特别关切的国家委员会参加的技术委员会制定的，对所涉及的问题尽可能地代表了国际上的一致意见。2）这些决议或协议，以推荐标准的形式供国际上使用，并在此意义上为各国家委员会所认可。3）为了促进国际间的统一，IEC希望各国家委员会在本国条件许可的情况下，采用IEC标准的文本作为其国家标准，EC标准与相应国家标准之间的差异，应尽可能在国家标准中指明。本标准由IEC第47技术委员会（半导体器件)制定。本标准是100A以下环境或管壳额定整流二极管(包括雪崩整流二极管)空白详细规范。本标准文本以下列文件为依据：六个月法
47(CO)959
表决报告
47(CO)1009
表决批准本标准的所有资料均可在上表所列的表决报告中查阅。本标准封面上出现的QC号是IEC电子元器件质量评定体系（IECQ）的规范号。本标准中引用的其他IEC标准：
IEC68-2-17：1978基本环境试验程序第2部分：试验，试验Q：密封半导体器件的机械标准化第2部分：尺寸（在修订中）IEC191-2.1966
半导体器件分立器件第2部分：整流二极管IEC747-2.1983
IEC747-10:1984
半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范IEC747-11:1985
半导体器件第11部分：分立器件分规范4半导体器件机械和气候试验方法IEC7491984
中华人民共和国国家标准
半导体器件分立器件
第2部分：整流二极管
第一篇100A以下环境或管壳额定整流二极管（包括雪崩整流二极管）空白详细规范
SemiconductordevicesDiscretedevicesPart 2: Rectifier diodes
Section OneBlank detail specification forrectifier diodes (including avalanche recti-fier diodes),ambient and case-rated,up to 100AGB/T6351—1998
idt IEC 747-2-1:1989
QC750108
代替GB/T6351—1986
本空白详细规范规定了制定环境或管壳额定整流二极管(包括雪崩整流二极管)详细规范的基本原则，制定该范围内的所有详细规范应尽可能与本空白详细规范相一致。本标准是与GB/T4589.1一1989《半导体器件分立器件和集成电路总规范》(IEC747-10：1984）和GB/T12560一1990《半导体器件分立器件分规范》(IEC747-11：1985)有关的一系列空白详细规范中的一个。
要求资料
下列所要求的各项内容，应列入规定的相应空栏中。详细规范的识别：
[1]授权起草详细规范的国家标准机构的名称。［2]IECQ详细规范号。
[3]总规范号和分规范号以及年代号。[4详细规范号、发布日期和国家体系要求的更多的资料。器件的识别：
[5]器件型号。
[6]典型结构和应用资料。如果设计一种器件满足若干应用，则应在详细规范中指出。这些应用的特性、极限值和检验要求均应予以满足。如果器件对静电敏感或含有害物质，例如氧化铍，则应在详细规范中附加注意事项。
[7]外形图和(或)引用有关的外形标准。[8]质量评定类别。
[9]能在各器件型号之间比较的最重要特性的参考数据。[在方括号内给出的内容供指导规范制订者使用，而不包括在详细规范内。[整个空白详细规范中，当特性或额定值适用时，表示在详细规范中应填入的值。国家质量技术监督局1998-11-17批准1999-06-01实施
工发布详细规范的国家标准
机构名称
评定电子器件质量的根据：
GB/T 6351—1998
GB/T4589.1—1989《半导体器件分立器件和集成电路总规范》
GB/T12560—1990《半导体器件
分立器件分规
详细规范：
［有关器件的型号]］
订货资料：见本规范第7章
机械说明
外形标准：
根据GB/T7581一1987《半导体分立器件外形尺寸》外形图：
[可在本规范的第10章给出详细外形图』引出端识别：
［管脚排列图，包括图示符号］标志：[字母、图形或色码］
［如果可能，详细规范应规定在器件上需标志的内容」
［见GB/T4589.1—1989的2.5和（或)本规范的第6章」
［如果采用特殊方法，需标明极性[IECQ详细规范号、版本号和
(或)日期
［详细规范的国家号］
［如果国家号与IECQ号重复，则本栏不用］[5]
2简略说明
100A以下环境或管壳额定
整流二极管(包括雪崩整流二极管）半导体材料：[硅］
封装：［空腔或非空腔］
应用：见本规范第5章
注意：操作静电敏感器件时应遵守的预防措施[适用时
质量评定类别
［根据GB/T4589.1—1989的2.6]参考数据
按本详细规范鉴定合格的器件制造厂有效资料，见现行合格产品一览表。2
4极限值（绝对最大额定值）
GB/T 6351—1998
除非另有规定，这些极限值在整个工作温度范围内适用。[只重复使用带标题的条号。任何附加值应在适当的地方给出，但不编条号。[最好在本规范的第10章给出曲线。条号
工作环境温度或管壳温度
贮存温度
适用时：等效结温
按4.4和4.5中规定的电压和电流额定值的最高结温电压[应规定时间、频率、温度、安装方式等条件]1)反向重复峰值电压
反向工作峰值电压
反向不重复峰值电压
适用时：反向直流电压
电流：[应规定时间、频率温度、安装方式等条件在规定的转折点温度Tbrak下的正向平均电流（见图1)在单相电路中，电阻性负载的正弦波180°导通角4.5.2
适用时：在规定的转折点温度Tbreak下（见图1）的正向平均电流(其电流波形为规定的持续时间。和占空系数4.5.3
的方波）
适用时：正向重复峰值电流
适用时：正向直流电流
正向浪涌电流
浪涌电流额定值相当于在正向平均电流最大值下连续工作之后加的最大电流
下列电流额定值相当于正弦半波（50Hz，10ms或60Hz，8.3ms）的最大允许电流
a）无施加反向电压
b）有施加反向电压
It值，对管壳额定器件，对于正弦波（50Hz，10ms）或(60Hz，8.3ms）的最大值
a）无施加反向电压，初始
T()=25℃
b）有施加反向电压VRwMmax
初始结温T(v)=25℃
适用时：功率
最大反向浪涌耗散功率
机械额定值：
适用时：安装力矩
1）在5.3中给出了V(BR)时，4.4就不适用。符号
最小值
Tamb Tcase
IFCAV)1
IFCAV)2
IFsSM2
I’t2
最大值
5电特性
IPtAV)1
I(AV)2
检验要求见本规范的第8章，
GB/T 6351—1998
转折点
Tbreak
Tambmax
图1整流二极管电流降额曲线
Tamb,Teas
[只重复使用有标题的条号。任何附加特性应在适当的地方给出，但不编条号。厂当在同一详细规范中规定几种器件时，相关的数值应以连续方式给出，以避免相同值重复。［最好在本规范的第10章给出曲线。特性和条件
除非另有规定，Tamb或Tcae=25℃（见GB/T4589.1—1989的第4章）正向峰值电压：
在峰值电流为π倍额定最大正向平均电流IFCAV)1时的电压最大值
适用时：在方波峰值电流为额定正向平均电流IFCAV)2时5.1.2
的电压最大值
反向电流：在额定反向重复峰值电压VrRM时或在5.3给出V(BR)规定的电压时的反向峰值电流IRM的最大值在Tamb、Tcase=25℃，无正向耗散时在Tamb、Tcase（规定高温），无正向耗散时适用时：雪崩击穿电压
在规定电流下的最小值（和对可控雪崩整流二极管的最大值)
适用时：恢复电荷
在规定条件下的最大值或最小值和最大值适用时：反向恢复峰值电流
在规定条件下的最大值
总耗散功率：
随平均通态电流和导通角变化的最大总耗散功率（不作检验要求）
V (BR)
最小值
最大值
GB/T 6351—1998
表(完)
特性和条件
除非另有规定，Tamb或Tcase=25℃（见GB/T4589.1—1989的第4章）热阻（如果在4.3中规定了T()结至环境或结至管壳（不做检验要求）
2）适用时。
6标志
R(th)J-A
R th)Jc
最小值
最大值
[除(7)栏(第1章)和(或)GB/T4589.1一1989的2.5所给出的内容外，其他特定资料应在本章规定。
7订货资料
[除非另有规定，订购一种具体器件至少需要以下资料：准确的型号(需要时，给出标称电压值)；当有关时，详细规范的IECQ发布号和（或）日期；质量评定类别按GB/T12560—1990的3.7规定。如果要求，筛选顺序按GB/T12560—1990的3.6的规定；
一其他细节。
8试验条件和检验要求
[试验条件和检验要求在下表中给出，其中所用数值和确切的试验条件，应按给定型号的要求和有关标准中相关测试的要求规定。[编制详细规范时，应在替换试验或试验方法中做出选择。[当在同一详细规范中包括几种器件时，相关的条件和(或)数值应以连续的方式给出，以尽可能避免相同条件和(或)数值的重复。除非另有规定，在本章中引用的条号对应于GB/T4589.1一1989的条号，测试方法引自GB/T4023—1997《半导体器件分立器件第2部分：整流二极管》IEC747-2：1988）；试验方法引自GB/T4937一1995《半导体器件机械和气候试验方法》（IEC749：1984)及GB/T2423.231995《电工电子产品环境试验试验Q：密封》(IEC68-2-17：1978）。［抽样要求，按照适用的质量评定类别，参照或重述GB/T12560一1990的3.7的数值。］［对于A组，在详细规范中应选定AQL或LTPD方案。」5
全部检验均为非破坏性的（3.6.6)。检验或试验
A1分组
外部检验
A2a分组
不能工作器件
A2b分组
正向峰值电压
反向峰值电流
击穿电压(适用时)
A3分组
[适用时］
A4分组
[适用时］
V (BR)
GB/T6351—1998
表1A组——逐批
引用标准
除非另有规定，
T amb或T cae=25℃C
（见GB/T4589.1—1989
的第4章）
GB/T4023—1997
一见第5章
检验要求
最小值
最大值
除非另有规定，
极性颠倒
Vr>[10V PMmex]
Ir>[100IRRMimax]
GB/T 6351—1998
表2B组——逐批
（对于I类器件，见GB/T4589.1—1989的2.6）LSL=规范下限值
只有标明(D)的试验是破坏性的(3.6.6)。符号
检验或试验
B1分组
B3分组
适用时：
引出端强度
弯曲(D)，
和/或
转矩(D)
B4分组
适用时：
可焊性
B5分组
温度快速变化
继之为：
a）对非空腔器件
循环湿热(D)
最后测试：
正向峰值电压
反向峰值电流
b）对于空腔器件
B8分组
电耐久性
(168h)
最后测试：
正向峰值电压
反向峰值电流
CRRL分组
引用标准
附录B
GB/T4937—1995
GB/T4937—1995
GB/T4937—1995
GB/T4937—1995
GB/T4937—1995，I，7
GB/T2423.23
GB/T4023—1997
提供B3、B4、B5和B8的计数检查结果USL=规范上限值
除非另有规定，
T amb或T cae=25℃
（见GB/T4589.1—1989
的第4章）
力=见GB/T4937-
1995,1,1.2
[按规定；优先用焊槽
TA=，TB=
循环次数=50[对非空
腔器件
试验Db，方式2，
严酷度：55℃，
循环数=
按A2b
按A2b
7.2、7.3或7.4
Qc试验
高温反偏
工作寿命，（在高温下）
此时：
IP(AV)=
(80%~100%)Ip(AV)mzx
按A2b
按A2b
根据A组
检验要求极限
最小值
最大值
［见本规范第1章］
无损坏
润湿良好
标有(D)的试验是破坏性的(3.6.6)。检验或试验
C1分组
C2a分组
适用时：
恢复电荷
C2b分组
反向峰值电流
C2c分组
正向浪涌电流
最后测试：
正向峰值电压
反向峰值电流
C4分组
耐焊接热(D）
最后测试：
正向峰值电压
反向峰值电流
C7分组
稳态湿热(D）
交变湿热(D)
（对非空腔器件）
最后测试：
正向峰值电压
反向峰值电流
C8分组
电耐久性
（1000h至少）wwW.bzxz.Net
最后测试：
正向峰值电压
反向峰值电流
c9分组
高温贮存(D)
最后测试：
正向峰值电压
反向峰值电流
CRRL分组
GB/T 6351—1998
表3C组—一周期
引用标准
LSL=规范下限值
USL=规范上限值
除非另有规定，
T amb或Tcase=25℃
（见GB/T4589.1—1989
的第4章）
附录B
GB/T4023—1997
GB/T4023—1997
GB/T4023—1997
GB/T4937—1995
GB/T4937—1995
GB/T4937—1995
GB/T4023—1997
GB/T4937—1995
在额定的VRRM和Tamb、
T cne=［规定的高温]
f=50Hz或60Hz
T amb、T case =[T (v)mex]
按A2b
按A2b
［按规定］
按A2b
按A2b
［按规定]
试验Db，方式2
严酷度55℃
循环数=
按A2b
按A2b
高温反偏
工作寿命[在高温下]
[IP(AV)=
(80%~100%)IP(AV)mxI
按A2b
按A2b
在Tstg最大值下
至少1000h
按A2b
按A2b
提供C4、C7、C8和C9的计数检查结果，C8前后的测试数据根据A组
检验要求
最小值
最大值
见本规范第1章
一鉴定批准试验
9D组—
检验或试验
D1分组
电耐久性试验3
（只对环境额定的器
最后测试：
正向峰值电压
反向峰值电流
D2分组
热循环负载试验
［只对管壳额定的器
最后测试：
正向峰值电压
反向峰值电流
D3分组
恒定加速度
［只对空腔器件］
最后测试：
正向峰值电压
反向峰值电流
GB/T 6351—1998
一鉴定批准检验
表4D组一
USL=规范上限值
IVD=各个器件的初始值
除非另有规定，
引用标准
GB/T4023—1997
GB/T4937—1995
3）如果在C8分组中完成这个试验，则本试验不要求。附加资料[不作检验用」
[只要器件规范和使用需要，就应给出附加资料，例如：有关极限值的温度降额曲线；
测试电路或补充方法的完整说明；详细的外形图等。
Tamb或T cae=25℃
（见GB/T4589.1—1989
的第4章）
工作寿命
循环次数=[按规定］
按A2b
按A2b
[按规定］
按A2b
按A2b
检验要求极限
最小值
最大值
[按C8]
[按C8]
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