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GB/T 6588-2000

基本信息

标准号: GB/T 6588-2000

中文名称:半导体器件 分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管 第1篇 信号二极管、开关二极管和可控雪崩二极管空白详细规范

标准类别:国家标准(GB)

标准状态:现行

发布日期:2000-10-17

实施日期:2001-10-01

出版语种:简体中文

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下载大小:357117

标准分类号

标准ICS号:电子学>>半导体器件>>31.080.10二极管

中标分类号:电子元器件与信息技术>>半导体分立器件>>L41半导体二极管

关联标准

替代情况:GB/T 6588-1986

采标情况:eqv IEC 747-3-1:1986

出版信息

出版社:中国标准出版社

书号:155066.1-17526

页数:13页

标准价格:12.0 元

出版日期:2001-10-01

相关单位信息

首发日期:1986-07-24

复审日期:2004-10-14

起草人:赵英

起草单位:信息产业部电子工业标准化研究所

归口单位:全国半导体分立器件标准化分技术委员会

提出单位:中华人民共和国信息产业部

发布部门:国家质量技术监督局

主管部门:信息产业部(电子)

标准简介

本空白详细规范是半导体器件的一系列空白详细规范之一,并应与下列国家标准一起使用。GB/T 4589.1-1989 半导体器件 分立器件和集成电路总规范(idt IEC 747-10:1984)GB/T 12560-1999 半导体器件 分立器件分规范(idt IEC 747-11:1996) GB/T 6588-2000 半导体器件 分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管 第1篇 信号二极管、开关二极管和可控雪崩二极管空白详细规范 GB/T6588-2000 标准下载解压密码:www.bzxz.net

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标准内容

rcS 3T.080.10
中华人民共和国国家标准
GB/T 6588—2000
cqIEC747-3-1:1986
QC750001
半导体器件分立器件
第3部分:信号(包括开关)和调整二极管第1篇信号二极管、开关二极管和可控雪崩二极管空自详细规范
Sepiconductor devices Discrete devicesPart 3.Signal(including switching )and regulator diodesSection OneBlank detail specification fur signal diodesswilching diodes and controlled-avalanche diodes2000-10-17发布
2001-10-01实施
国质量技术监臀局发布
B/T658B—2000
本标准等效尽用1F℃747-3-1:1!86半导体器件分立器作第3部分:信号(包括并关)和两整二控管第「篮-
一倍号二极管,开关二极管和可控雪期二极管空凹详继规范3对GB/T6-1986通信妥和(或)开关半导什“极群空白详细期范进行够订。由于IEC747-3-1别用的EC747-11半导体器件第11部分:半异体幕件分规范思1985年版本,在此之后EC747-11进行了多次魅改,我国等向采用EC74711:156快订了GB/12560—1999半导件器件分立器件分规募,为/快标准更其有先进性和可操作性,本标准引用了GR/T12560—1999。本标准与GB/T65861986的主费差溯如下。在标难,文水前面增加了前亢与 IEC 前白:引用的标准更改而够收的内容有:第标准处
全文中净及判“总
规范“处
R8、Cs分组电附
F,日45分起
C3.C4分班
交变担热
G137T 63991466
强件总胆范?
G108-1985导体
件接收和可痛性>
GB/T1937—1985半导体分立非:件机低机气燃或特方选3
G/ 2123.4—181<工电*
品些本环境武验规程式将:交变证势式验方法8www.bzxz.net
增加了4.4.3\正问浪涌电施”
小增加可控谢二莺的按不内穿:年标覆
GB/T45B9.1989半导体器片
分立盟供和集放电路总期范3IEX:747-10,1964)
GB/T55711535车导体长
分立器件第3都分偿号(包括开
关)和评整二营EC747-3,1965)
13-105半导体需件机
诚和气款试验为法31h749:1984.G1/537-1595半停器件机
械和气慢试驶方法3(IEC4911984)5根据(571—15对2个电参数名称进行了您收:原版4.3,1中\恒定(真范)反问出压”改为\反向文流电”;原版4.4.1中\定直流?正向电流\改为\l断直电流”6根据原文对几个电季数名称和符号或测试承件进行的静改G3/T 65381956
4. 4. 1 中*Ir(T)\
4. 5. : 中\Pm(T)\
1.6和C2分组中\R\mHM通
L5B8F:44589分江中副成参件\A2外组\(分红的鼠后道试\IR.Vr..M.
本现范
ARRM:RIK
Ka:ab:/N.urm./RucH.
A2L组
按划定
GB/T6588—2000
了泊了原附录A雪期和可控百随整演二检区向峰值功率和反向限态能量的酒试方送3(参件)。
本标准与1FC,747-3-1:1986的主要差别是:1本标准第7章引用GB,125601999的条号在EC747-3-[中为3.7*和“3.6*,根期GB/T12560改为\3.Q\和\3.7\2B组、C组量活测试在IEC7473I中为\Im、\.根据A组检验顶日本规范改为*I、V.\。3IFC747-5-1第5至\5.10热阻\没有对试验分组进行规,则该条没有您义+根据GB/T12560中定,本标准在第5章\5.10热隧\中规定成验分组为\C2d”,间时在心组中增加此行组:4C747-3-1剪5卓\5.10热阻\没有热定到引规定点的热附符号,本规抢规定为Hm).5B5分组\封*的第件栏EC.74731中为*7.2..3或7.4\,概据GB/4937政为*7.3或Y.4,3.5\
本标降引用的回际标准是:
1E68-2-171578基木环境试验规账第2部分:试幢试验Q密封IEC2:166半导体器件机被标准化第2部分:尺于1FC.747-3-1引用的标准对监于国家标准足!GB/T65711S5半导体器件分止件第3部分:信号(包括.关)和整二极管(1EC7173:1985
GB/T437—1U5半导体器件机成和候试验方送(IEC743:1984)中际证由中华人艮共和国信总产业部提出。本标准出全国半导体分立薪件标准化分技术委员会归口本标难由信息产业部电子工业标维化研究所负资起节,本标准士要起草人,赵英、
本标准首次发有时间:996年7月,B658B—20
IEC前言
1)正(国际业要式会年技术可期上的正点决这或好设盘比对这些融特期采切的回穿旁员会获如的据术委最会制案对份涉及的问实尽可能地长表了国际上放整益见。2)这此决议或协议以雄举标准的形式供国际」使用并在此意义上为各国家委员会认可。3)为了促进国际间的统一.IEC希望各国家委员会,性本国条件许可的情说下采用FC标准的支本作为其国家标准,IE标准与相应国家标准之的差片,应总叫能地在国家标准中指出,本标难内国际电工委层会第行技术委员会:半录体器件技术委员会制定。本标准是信号二极管、开关二极管和可控雪单二锻管空凹详细规范。本标准文本以下列文件为依据:6个月法
47(co)
表决报告
7(c)9!
表决批准本标准的详细资料可在上表所列的表决报告中查阅,本标准均面上的QC号为国原要助会电子无涨作质量评定体系(IECQ>的规范号。车标惟中引用的共他EC岛版物:58217(:!75)量本环填试鉴规:第2部分:试验试验Q:密封191-2(1966):半导体器件机械标准化第2邢分:尺寸747.3(1985):半导体器件分立器件第部分:信号(包括开关)和调整二挺管749(1984):半导体器件批码和气试龄方法引言
中华人民共和国国家标准
半导体器件分文器件
第3部分:信号(包括开关)和调整二极管第1篇信号二极管、开关二极管和可控驾崩二概管空自详细规范
Semiconductor devicca-Iiscrete devicesPart 3Slgnal (including ywilchinxJand rrgulutor diudesSectlaa DneBlank detall apceification far sigual diades,spilching diodes mad runtrollrd-uraianche diulesGB/T6588—2000
eq3EC747-3-1.1986
QC750001
代*GB/653R198G
IEC电子元器件质量评定怀系邀循IFC章程并在IFC授权下T作。该体系的月的是确定盘评定程序,以这种方式使.个参加国按有关规范要求效行的电子元器件尤需进一步试验他为共他所有多加五向祥接帆,
本自洋细规范半导体器件的一系列空白详细规范之一,并应下列国标准-起快用GR/T4589.1—1985导体器作分立器件和靠做电路总规范(id+1EC747-10:1984)GB/T12560—1999半导体解件分立解件分规范(idt1F了47-11:1S96)要求的资料
本再改下此方括号内的数字与下列各项婴求的资料相对应-逆些资料应填人相应烂。详细规范的识别
[1]授权发布详纳规范的闽家标准化机构客栋。[2]伴细规也的TEC编号,
[3]总规范,分规他的编号改版本号。.4」详细规范的国家编号,发布口期及国家标准体系要求的任何资料。器件的识别
二5器件导。
典型结构和应用宽料。如果一税器件有儿种应用,则应在评细观也说明.这紫应用的特性极推值和检验要求均应予以满足。如果器性是前心敏感型,应在详细规范中给出注商事项[门外形用利(变)引用有关的外形标演,[B]质量评定的类别
!能在器作型安之间比较的感重要特性的够考款据,【在本规范中方括甲给由的文字用于指导净细规萨的辆与,本应纳人津细煤获中。]【在当规范中,\X“表示虑在详期规中规定让或额定莅的值,国案质技术监滑厨2000-10-17批准2001-10-01实施
二负击发布规范的国家代表机构(NA1)或团什的等称(池证)
评定电了元性质量的依折:
GH,T6588--2000
QC750001XXX
IECQ详细规范编号版本和()日期。二[3]
二详细肥范的宜家频号1
总规范:GB/T4589.11966半导体器件分立器性汇染成电路总规柜
分规范:心B/12560-19半屏体器件分文器将分帮范
详维规范:
“有差器件的型号
订货料,见车想也第了章,
凯械说明
形标准:
TEC T91-:
GBT75511987半导述分器件外形尺外形图
如采国家编与TFCO编号相同,期本烂可不填写
简费说明
[]!宁体微管,环境概定或管壳额定,包括;[6]信号二报管(s)1
一关一披管(Sw);
控雪期二极管(-A5
半导体楼格:[Si]。
「可以转到本规范的第1)章或陷出史详润的资装空腔心非些腔],格]
给出即刻夺医,创括图形荐与,标志,季母杆图形或码]
3质量评定类别
[按GR 4533.1—198的2.6.
要求时,详细规范应规完标心在器仆上的内容。多考数据[见T45%!.1一剂的2.5利(或本规范常6。1
【如采用特深力法瑞标明语性:按本详细规稳定合格药器件,其制设厂的有关资料死现行合齐产品一览志[8.
4极展但(绝时量大帮定值制)
GB/T 65882000
除非另有现定-这些极阻值适用干樊个工作租度范围,[只重总使用带有标题的条号。任向府加的伯在适当的地方给出,但没有秉号。][也线最好士本规范的第U章给出。]参数称
工作环境很度或管范温变
吃片温度
反向中压:
要求时培出温度降额曲绒(见第10章):反南奇流出E
反向趋值电压(如军不同)在规定脉冲条件下正向电流:
适用时,在规定的安要策件下
正间德出筑温您的业线(见第10章)正向重发峰值电流
在规定的工作条性下
仅对Sw和C-A
正向浪通电漆
在规定的工作条性下
耗散齿率(近用时):
(应规定通风或安装的转殊条件)最大耗敏功率F与溢度的曲线(见第10章)剪量高有效(等效\绪温
和最大托救功率
仅对CA:
反向耳登峰值托救功和(或)区向浪托散功率和():
反问重复蜂值朗基利感反向浪绝能【底规定条件,划时间频率)
5由特性(物验要求见杰超范英8符号
最心值
PR/3SK
EM/RRy
【只再支地用有标题的秉号。任何附加的特性在当的地力给出-有条导,量大侦
「当在同一样细规范中退几种器件时,有关的位应以逆续的方式给出,以避免相同值的重女。[曲线,好在本的第10章给山]
反间电流
GB/T65882000
特性和条件
除非另有规定,T=或T.25℃
(GB4589.1-1999第)
在最大反向点流电压V时
反向流
在规定的反问直流电压V最好在V和商温时正向应正
在正向人电流1时(白流或脉冲条件接规定)间口正(适用时)
在正两小电流时(直变脉冲条件,接规定)电寄
在规定低电乐Vk时量好=1MHz
受对Sw:
反向恢村间
该发电付
在规定条件下
仅对SwC-A(用时
正向恢女州间
在规实然性下
仪对 Sig 用于检波;
电压控被做率
在现定象性下
5.9!仅对C-A:
雪脑街穿电压
在规定反向电流时(味冲条件接规定)5.10
热用(站月吋)
结到环境的热座或
结到肾完的热或
结到引线见定点的热阻
[)对魅需件录送1H,对销骼件号筛55℃。5标志
Ranied
R山iha
小大值
除了前第7第1卓:或G451一15即的2-5所给出的外,代剂其他持速资料应在这重规定。
采用说明
1京文改消规是:本规冠规定结到以缺规定点的势的符与考R:,思文设有试监分端证行现定,规整现定试验分组为C2d,4
7订货资料
GR/T6566--2000
「验非另有现定、订数一种具体器件至少落要以下资料:推确的型号(如果要求、给出标称电床怕当有关时.带版木号知(或)口期的1EC2详细规范号:-按G5/112550—1的3.8规定的质量评定类别:按(B/T12560-1999的3.7-规定的效顺序(如求时)
一其他特殊要求。
8试验案件和检验要求
【在下表户给出成验杀件和检验要求,其小所有数值和确切的试临杀件,应安照给定望号的需求和按有关标准的有关试验的要求极定。二骗写纫境态时,应选定叮供替换的试验或试验方法,当车回详继规范中包括几种规格的馨件时,有关条性和或)效值应以连统的方式给止,以尽以能谢免相同条件和(或)数值的重录,在以下各表中除非男有规定,用药条号对应于GB门4599.1的杀号·测诚法叫引口Gn/T12561999的第4章,
拍样费求,按照适用的质量评定类别,参照成重述G14/T125G51999的3.8:7的数伯二二对于A组:在详细热范中选择AQT.或I.1PD方案。A组
全部试都是非破环性的3.5.6)
引来标准
检整或试验
A1分组
外部诊
不能工斯据作
辰向电充
正向电
征对C-A:
山海电乐
G1/T12550
GH/T 45K5, —[989
13-4:32
院非因有规定”或了
(CB/T4589.1—1089第4)
R—最大流
一二大的直流电流求球外条性\,按规[是的账冲策件”,没现定
孕费要求提限
最小位
是大位
或 1-10Vr
或e21100/k
采用:
1文为3.7文号用的是47-115限,等过后有了新版,B/12502年同的品747放条号有所变动,
2城交为6,因同
检验或试验
A3 分组
仅对5
风向快复方间
:家豆电币
仅对 S 和<:-A
止内恢复间
:《适用时)
A4分组
[细求
引探准
)境选的腺冲条并t,-3C
GB/T65882000
表(荒)
除.非与有她定或.-25T
(比 GR/1 4585,1.-1989第4章)In和VR.减Tuu-「规值
r,向电降条--【规定造]
V,—规定值
正向恢电
(对1类的要求,见G/T45R9.1一19HD的2.G)1.SI.规范的下限值
七S=规范的上限值
11有标(D)的试验量照坏性的(3.6.6)。引用标准
R3分组
引强良
引线膏曲(D)
(迈川时)
下样性
B分期
快迎的医变北
避之以
之变配热D
(对非究腔游件)
GB/T 49371995
GB/T158S.1—:680
4.%3.降录H
根据A组
来非有规足-7l或7~25
(死 GB/T 1EBS. 1-1980第 1 旁)力.,1..
该规定,就灯用煤情
按规定
|技规定i
格要求限
最小值
最大位
检险妞求程
最小匠
数大直
兄规港第「章
润良好
控验或试验
呆后测试
反司电配
正向电压
和,仅对C-A
击穿电压
(对整监据件)
电耐性16%>
账后测试
放向电疏
正向出日
山深电
LRR1.分证
引用标准
GB/T 6588—2000
表(芜)
GB/T 937—1095
CE/T 5571-1095
除非奶样规定Tm吸T=25℃
(0CBT4589119第4)
按A动组
按A2组
1.3或7.4.7.5-数个1EC 序2-17使用[高品区偏率作存命”
要A2#分
查A26分组
接A2b分印
H3,B1,B:和H3升延的计数检查能料C组
L.SL=规范的下限值
UST.规芯的上限值
只右标(13的成龄足破外性的(3.些-6)引用标术
快独或洪照
C1分组
6:2n外
仅活于检被管:
C分组
适用时
正向电压
向电产
采说仰
GH/T 49:7—1595
tK/T 4580. [-198]
4.2.2.附录1
HC:1269
G 12560
振据A组
非有规T成=2
[见 GB/T 4:s.1—1GH第1 食
Va--低值二,-「最好!MH2
确置电陷和,=[频是们]
—[小的高电流或脉冲条件\,独规定」
u-[规爱值,好只VR.,]比度亲温
1实于效有下角标“1\,根期期检粗求月,麻加下确标”,2原之中为\7.2,7.或7.1\报据GHT47收为\y.3或7.1.V.”快险要求快限
最心鼠
最小位
最大位
见本规范第1五
检验变试监
C3:分组
仅则c-a:
反指能动率
C4分证
配焊接(
正西电压
手1.对 -A:
穿电压
本是川
机嵌神击或
性之效;
阳定这率
(空腔霜化》
向电话
.“F向应下
利A:
C1 分组
全变能块:D)
非腔)
「按规是]
采川说别:
引训珠控
GB/T65862000
表 (缕)
除非另有规定,成—25
GB/T 4537-1595
48.1-18第4章
GH/T -2560
CT12550
[如要求,按政择的急数增定策件和敏后到试」
[教使=[是定伯」
L楼烘定
楼A分期
按A2h分组
装4分组
培A2h分组
控A26分组
[作说定」
按定」
1,境中此的见年章说明[1~
原支中没布标“-\,费组检验与同,应加下角标\1”格要极
录人值
无振坏
[接提定】
【按规定]
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