本空白详细规范规定了制定100A以下(含100A)环境或管壳额定的双向三极闸流晶体管(包括快速型)详细规范的基本原则，制定该范围内的所有详细规范应尽可能与本空白详细规范相一致。 GB/T 6590-1998 半导体器件 分立器件 第6部分:闸流晶体管 第二篇 100A以下环境或管壳额定的双向三极闸流晶体管空白详细规范 GB/T6590-1998 标准下载解压密码：www.bzxz.net

GB/T6590—1998
本规范等同采用IEC747-6-2:1991半导体器件分立器件100A以下环境或管壳额定的双向三极闸流晶体管空详细规范》。本规范是国家标准GB/T6590—1986的修订版。本规范与GB/T 6590—1986 的主要差别是,在第 4 章中增加了电流与温度的降额曲线：删去了C2c和C2的分组号,该组的内容合并到C2b分组,并调整了引用总规范及分规范的标准号。除非另有规定，本规范第8章中引用的条款号对应于GB/T4589.1—1989&半导体器件分立器件和集成电路总规范》([EC747-10:1984)的条款号.测试方法号自GB/T15291--1994&半导体分立器件和集成电路第6部分：闸流晶体管\(IEC717-6:1991);试验方法引自GB/T4937—1995半导体器件机械和气候试验方法》(IEC749：1984）。本规范由中华人民共和国电子工业部提出。本规范由全国半导体器件标谁化技术委员会归口。本规范由电子工业部标准化研究所负责起草。本规范主要起草人：于志贤.杨志丹、顾康聲，..comGB/T 6590 — 1998
IEC 前言
1)IEC(国际电工委员会)在技术问题上的正式决议或协设，是由对这些问题特别关切的国家委员会参加的技术委员会制定的，对所涉及的间题尽可能地代表了国际上的一致意见。2)这些决议或协议，以推荐标准的形式供国际,上使用,并在此意义上为各国家委员会所认可。3）为了促进国际间的统一,IEC希望各国家委员会在本国条件许可的情况下,采用 1EC标准的文本作为其国家标准，IEC标准与相应国家标准之间的差异，应尽可能在国家标准中指明。本标摊由IEC第47技术委员会（半导体器件)制定。本标是100A以下环境或管壳额定的双向三极闹流晶体管空白详细规范。本标准文本以下列文件为依据：六个月法
47(CO)986
表决报告
47(CO)1099
表决批准本标准的所有资料可在上表所列的表决报告中查阅。本标准封面上的QC号是IEC电子元器件质量评定体系（IECQ)的规范号本标准中引用的其他IFC标准：
IEC 68-2-17:1978基本环境试验程序，第2部分：试验，试验Qt密封IEC 19]-2:1966半导体器件的机械标准化,第2部分:尺寸(在修订中）IEC 747-6:1983
IEC 747-10;1984
IEC 747-11:1985
半导体器件分立器件第6部分：闸流品体管半导体器件第10部分：分立器件和桑成电路总规施第11部分：分立器件分规范
半导体器件
IEC 749.1984
半导体器件机械和气候试验方法..com引
中华人民共和国国家标准
半导体器件分立器件
第6部分：闸流晶体管
第二篇100A以下环境或管壳额定的双向三极闸流晶体管空白详细规范Semiconductor deviccs- Discrete devicesPart 61 Thyristors
Section Two--Blank detail speclfication forbidirectional triode thyrisiors (triacs).ambient or case-rated ,up lo 100AGB/T 6590— 1998
idt IEc 747-6-2:1991
QC750111
代替GB/T6590-1986
本空白详细规范规定了制定100A以下（含100A）环境或替壳额定的双向三极闸流晶体替（包括快速型)详细规范的基本原则制定该范围内的所有详细规范应尽可能与本空白详细现范相一致。本空白详细规范是与GB门4589.1一1989岁半导件体器件分立器件和巢成电路总规范（IEC747-10:1984)和GB/T12560—1990半导体器件分立器件分规范》(IEC747-11:1985)有关的—系列空白详细规范中的“个。
要求资料
下列所要求的各项为容，应列人规定的相应的空栏内。详细规范的识别：
［1]授权起草详细规范的国家标准机构的名称。「2]IECQ详细规范号。
[3］总规范号和分规范号以及年代号。[4]］详细规范号、发布日期和国家体系要求的更多的资料。器件的识别：
[5] 器件型号。
[6]典型结构和应用资料。如果设计-种器件满足若千应用，则应在详细规范中指出。这些应用的特性、极限值和检验要求均应子以满足。如果器件对静电敏感，或含有害物质，例如氧化敏，则应在详细舰范中附加注意事项。
[?外形图和(或}引用有关的外形标雅。_8]质量评定类别。
[9] 能在各器件型号之间比较的最重特性的参考数据,[在方括号内给出的内容供指导规范制定者使用，而不包括在详细规范内。-［整个空白详细规范中，当特性或额定值适用时，×表示在详细规范中应填入的值。］国家质量技术监督局1998-11-17批准1999-06-01实施
发布详细规范的国家标雅
机构名称
评定电子器件质量的根据：
GB/T 6590- 1998
GB/T4589.1-1989《半导体器件分立器件和集成电路总规范》
GB/T12560--1990半导体器件分立器件分规范》
详细规范：
[有关器件的型号_
订货资料：见本规范第7章
机械说明
外形标准
[IECQ详细规范号、版本号和
(或)期工
「国家详细规范弓
如果详细规范号与IECQ号重复，则本栏可以不填]
2簡略说明
100A以下环境或管充额定
根据GB/T7581—1987《半导体分立器件外形尺寸》
外形图：
[可在本规范的第10章给出详细外形图引出端识别：
【管脚拼列图，包括图示符号］标志：字丹、图形或色码
[如果可能，详细规范应规定在器件上需标志的内客！
_见 GB/T 4589.1—1989的2.5和(或)本规范的第6章1
［如果采川特殊方法，需标明极性］的双向三极阐流晶体管
半导体材料：[硅
封装：[空腔或非空腔]
质量评定类别
[根据 GB/T 4589. 1—1989 的 2. 6]_8]参考数据
按本详细规范器定合格的器件制造厂有效资料，见现行合格产品一览表。[9]
4极限值(绝对最大额定值）
GB/T 6590—1998
除非异有规宗，这些极限俏在整个工作温度范围内适用，[只重复使用有标题的条号。征何附加值应在适当的地方给出，但不编条号。]「最好在本规范的第10章给出也线。条号
环境盘度或管壳温度
贴存温度
适用时:有效结湿
电压应规定时间、频率、温度，安装方式等茶件（见第5章的注1)
断态工作峰值电压
断态重复峰值电压
断态不重复峰值电压
电流应规定时间、频率,温度、安装方式等条件]（见第5章的注1)
在转折点温度处的通态均方根电流（见图1）在单相电路中，电阻性负载的正弦波导通角为180°4.4.2适用时：
通态重复峰值电流
通态浪涌电流
通态浪涌电流相当于在最大通态均方根电流下连续工作之后施加的最大电流
假设充许控制极失控，紧跟着的电流额定道相当于允许的正弦半波（在50Hz下10ms或60Hz下8.3ms)的最大电流光需再施加断态电压
造用时：
通态电流临界上升率
I\t 值,仅对管壳额定器件对于 10 tus(50 Hz)或 8. 3 ms（60Iz)的正弦波的俏
a）无施加反向电压；初始结温：Ti-T(iekb）有施加反向电压VWMmx+初始缩温：T=25℃「控制极额定值
[应规定时闻、赖率，温度安装方式等条件]控制极峰值耗散功率
4.5.2控制极平均耗散功率
机械额定值：
适用时：安装转矩
最小值
Tab/Taune
IT(RMs)
PGtAv)
..comx
最大值
5电特性
IT(M5)
GB/T 6590 —1998
转断点
T'rneak
T eonlkay
Teutuai
图】双向二极闸流晶体管额定电流特性曲线（通态均方根电流与温度的关系）检验要求见本规范的第8章。
只重复使用带标题的条号。任何附加特性应在适当地方给出，但不编条号[当在同一详细规范中规定了几种器件时，相关的数值应以连续方式给出，以避免相同值的重复。[最好在本规范的第 10 章给出曲线。］特性和件(见注1)
除非有规定,Tm或 T=25℃
(GB/T 4589.1—1989的第4章）
通态峰值电压：
在峰值电流为/2倍额定最大通态均方根电流IT(KMs)时的电压最人值
断态峰值电流：额定断态重复峰值电压VuRy下的最大值：
在25℃下
在规定高温下
维持电流最大值
萃住电流最大值
控制极触发电流：最大值
控制极触发电压最大值
控极不触发电压：最小值
换向电压临界上升率;小值
适用时：
断态电压临界上升率，最小值
总耗散功率：最大总耗散功率曲线是通态均方根电流和导道角的函数
最小值最大值
GB/T 6590—1998
表（完）
特性和条件(见注 1)
除非有规定，Tm或Te=25℃
（见GB/T 4589.1--1989的第4章）5.11
热;(如果T<)在 4. 2 规定时)结至管壳的最大值L不要求检验]
Raebyie
最小值
最大值
注1.这些额定俊和特性是以双向三极阐流晶体管工作的对称性，应根据两个工.作方向的极限值为基础的，如果某个特性对于控制极触发方式是敏感的，则应规定合适的触发方式。6标志
[除[7]栏（第1章)和(或)GB/T4589.11989的2.5所给出的内容外，其他特定资料应在本章规定
7订货资料
[除非另有规定，订购一种具体器件至少需要以下资料：谁确的裂号(需要时，给出标称电压值)；当有关时，详细规范的IECQ发布号和(或)日期：质量评定类别按GB/T12560---1990的3.7规定。如果要求，筛选顺序按GB12560的3.6的规定：
其他细。」
8试验条件和检验要求
「试验条件和检验要求在下表中给出，其中所用数值和确切的试验条件，应按给定型号的要求和有关标准中相关测试的要求规定，[编制详细规范时，应选定替换试验或试验方法。]【当在同一详细规范中包括几种器件时，相关的案件和（或)数值应以连续的方式给出，以尽可能避免相同条件和(或)数值的重复。除非另有规定，在本章中引用的条号对应于GB/T4589.1—1989的条号；测试方法引自GB/T15291—1994\半导体器件和集成电路第6部分闸流晶体管》（IEC747-6.1983）试验方法引自GB/T4937—1995《半导体器件机械和气候试验方法》(IEC749-1:1984)及GB/T2423.23—1995&电工电子产品环境试验试验Q：密封(1EC68-2-17:1978）。[抽样要求,按照适用的质量评定类别参照或重述GB/T1256D—1990的3.7的数值。][对于 A 组,在详细规范中应选择 AQL 或 LTPD 方案。]全部检验均为非破坏性的(3，6.6)。检验或试验
A1分组
外部检验
A2a分组
不能工作器件
A2h分组
通态峰值电乐
(脉冲法）
断态峰值电流
控制被触发电流
控制触发电压
A3分组
断态峰值电流
A4分组
换向电压
临界上升率
控制极
不触发电压
GB/T 6590—1998
表 1 A 组-—逐批
引用标施
除非另有规定，
Tm或Ta=25℃
(见 GR/T 4589. 1-1989
的第 4 竞)
GB/T 152911994
GB/T 15291—1994
GB/T 15291—1994
GB/T 15291 1994
见注2
峰值电流-[ V2 倍额
定最大通态均方根电
流 Ir(RMSHrn]
VRM[额定值]
断态电压
VI,-[12V,除非另有
规定]
[控制报电路条件]
见注2
VoRM =[额定值]
T-[Tax或
见注2
通态峰值电流=[V2
倍额定最大通态均力
根电流[TRt)ma]
T-[Taam或
Tanban]
VoWM=［额定值
L控制极电路条件下
T=[Tum或
检验要求极限
最小值
最大值
除非另有规定，极性
Vt≥[10Vm]
Imt[100cdr
往 2:应规定控制极和主端于 2 的极性。如果某个特性对于控制极触发方式是敏感的,则应规定合适的触发方式。
GB/T 65901998
表 2 B组-
(对于I类器件，见GB/T4589.1--1989的2.6)LSL = 规范下限值—
只有标明（D)的试验是破坏性的（3.6.6）符号
检验或试验
B1分组
B3分组
适用时：
弯曲(D)
联决于封装
B4 分组
适用时：
可焊性
B5分组
快速温度变化
继之为：
a）对非空腔器件
循环暹热(D)
最后测试：
通态峰值电压
断态峰慎电流
b）对空腔幕件
最后测试：
通态峰值电压
断态峰值电流
B8分组
电耐久性
(168h)
最后测试：
通态峰值电压
断态峰值电流
CRRL分组
引用标准
附录 1
GB/T 4937—1995
GE/T 4937—1995
GB/T 4937—1995
GB/T 4937—1995
GB/T 4937—1995
GB/T 2423.23
GB/T 15291—1994
提供 B3,B4,B5 和 B8 的计数检查结果USL = 规范上限值
除非另有规定，
Tamb或 Ta= 25'C
见GB/T4589.1--1989
的第4章）
力=[见G/T4937—1995
[接规定：优先采用
焊槽法]
Th=ThF
循环饮数=
试验 Db,方式 2,
严酷度：55℃
循环次数一
按A2b
按A2b
7.3或7.4
Qc试验
按A2h
接A2b
VTIM-[翻定值]
[在 50 Hz 或 60 Hz],
温度一[最高额定值]
[交流阻断或工作寿命,
按 IT(RMS) =
20% ~50%ITIRAt3)]
按A2b
接A2b
根据A组
检验要求极限
最小值
最大值
见本规范第1章
无损坏
润湿良好
只有标明C1分组
C2a 分组
维持电流
（见注3）
攀住电流
（吨注3)
C2h分组
控制极触发电流
控制极触发电压
断态峰慎电流
验证额定值：
断态不重复峰
值电压
控制极不触发电压
通态浪涌电流
通态电流临界上升
GB/T 6590—1998
表 3 C组——周期
引用标准
LSL = 规范下限值-
USL=规范上限值
非另有规定，
Tamb或 Te=25 C
见 GB/T 4589. 11989
的第4章）
GB/T 15291—1994
GB/T 15291—1994
GR/T 15291--1994
断态电压 Vp=-12V 除
非另有规定」
应规定控制极电路条
断态电压Vi=[12V
除非另有规定，
应规定控制极电路条件
断态电压V=F12V
除非另有规定」
[控制极电路条件]
见注3
VrRM=「额定值]
T-[Taurn
或 Tamma]
VreM=［额定值
T=,Teamu或
Taunbrax
ITsM=[额定值]
[一个正弦半波额定|TsM
单脉冲无再施加断态电压
T-[Ter或
di/dr=[额定],峰值电
流一/2倍最大通态
均方根电流IT(RM51A*
根据A组
检验要求极限
最小值
最大值
（见本规范第1章）
检验或试验
C4分组
耐焊接热（D）
最后溅试：
通态峰值电压
厮态峰电流
C7分组
稳态混热(D)
循环湿热(D)
[对非空腔器件]
最后测试：
通态峰值电压
断态峰值电流
C8 分组
电耐久性
(至少10）
最后测试：
通态峰慎电压
断态峰值电流
C9分组
高游贮存(D）
最后渊试：
通态峰电旺
断态峰值电济
CRRL分组
GB/T 6590—1998
表3（完）
引用标准www.bzxz.net
除非另有规定，
Tab或 Te = 25 C
(见GB/T4589.1—1985
的第4章）
GB/T4937--1995
GB/T 4937—1995
G3/F4937—1995
GR/T 15291—1994
GB/T 4937—1995
［按规定］
按A2h
按A2b
试验5R严酷度1
方法和持续时间
[按规定］
按A2h
按A2h
高温交流阻断或工作
VDWu=[额定债
[在 50 Hz 或 60 Hz]
IrRxs)mm =20% ~ 50%
ITERMmLE
温度一最大额定工作
按A2b
按A2h
［在T最大值时至少
按A2b
按A2h
提供 C4.C7.C8 和 C9的计数检查结果,C8 前后的测试数据注3.本试验应按A2b分组确定的lcrVaT对控制极和主端子2每个极性进行检验要求极限
最小值
最大值
D 组一-鉴定批准试验
检验或试验
电耐久性试验
（巩对环境额
定的器件）
最后翘试
通态峰值电压
断态峰值电流
D2分组
热循环负载试验
［只对管荒额定
的器件
最后测试：
通态峰值电压
断态峰值电流
1D3分组
恒定加速度
【只对空腔器件］
最后测试：
通态峰值电压
断态峰值电流
10附加资料[不作检验用]
GB/T 6590—1998
表4D组-
鉴定批准试验
GB/T 15291—1994
GB/T 4937—1995
【只要器件规范和使用需要，就应给出附加资料，例如：-与极限值有关的温度降额曲线；-测试电路或补充方法的完整说明，一详细的外形图1。
USL－规范上限值
IVD=各个器件的初始值
除非另有规定，
Tb或 Tm = 25 C
(见 GB/T 4589. 1—1989
的第4章）
1000,工作寿命
[如果本试验在 CB 分
组完成，在此不要求
溢度一最大额定工作
按A2b
按A2b
循环次数—{按规定]
按A2b
按A2b
按规定
按A2b
按A2b
检验要求极限
最小值
最大值
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