本标准规定了硅单晶切割片、研磨片、抛光片弯曲度的接触式测量方法。本标准适用于测量直径大于50mm，厚度为200～1000μm的圆形硅片的弯曲度。本标准也适用于测量其他半导体圆片弯曲度。 GB/T 6619-1995 硅片弯曲度测试方法 GB/T6619-1995 标准下载解压密码：www.bzxz.net

中华人民共和国国家标准
硅片弯曲度测试方法
Test methods for bow of silicon slices第一篇方法A一一接触式测试方法主题内容与适用范围
GB/T6619
—1995
代替G136619-86
本标推规定了硅单晶切割片、研磨片、抛光片（以下简称硅片)弯曲度的接触式测量方法。本标准适用于测量直径大于50mm，厚度为200～1000μm的圆形硅片的弯曲度。本标准也适用于测量其他半导体圆片弯曲度。
2方法原理
将硅片置于基准环的3个支点上，3支点形成一个基准平面，用低压力位移指示器测量硅片中心偏离基准平面的距离，该距离表示硅片的弯曲度。3测量仪器
3.1基准环
基准环是由基座、3个支撑球、3个定位柱组成的专用器具，如图所示。国家技术监督局1995-04-18批准314
1995-12-01实施
GB/T 6619
9—1995
探头停放位盘
接地线插孔
硅片定位线
3个直径为3.18mm的硬
质台金球以20°排列，
其中心距离的直径为“”
3个尼龙减囊器以
120°排列，其中心
距离的真径为“”
最子钳的进退增
1.59± 0.127mm
图基准环
23.01±0.05mm
t0m直径mm
3.1.1基座是由温度系数小于6×10-6/℃的金属材料制成。基座外径比被测硅片直径大50.8mm在右，基座厚度大于19mm。基座底面应光滑，平整度应小于0.25um。3.1.23个支撑球由碳化钨或其他硬质合金制成，等间距分别置于基座的一定圆周上，高度误差应小于1.0μm，表面光滑，粗糙度应小于0.25μm。3.1.33个定位柱由硬质塑料制成，位于3个支撑球对应的位置上，用以保证被测硅片中心与3个支点的几何中心相重合，偏差小于1.0mm。定位柱对硅片不能有任何作用力。3.2位移指示器
3.2.1位移指示器应能上、下垂直调节，并指示出硅片中心点与基准面之间的距离。3.2.2指示器指针应处于基准环中心，移动方向垂直于基准平面，偏差小于1°。3.2.3指针头部量半球状，球体半径在1.0~2.0mm之间。3.2.4指针头部对被测硅片的压力应不大于0.3N。3.2.5位移指示器分辨率为1um。3.3读数仪表
读取位移数值的电动仪表，显示有效数字3位以上，单位为um。4试样
4.1试样表面应清洁、干燥。
GB/T6619-1995
4.2无参考面的硅片，测量前在硅片边缘应做出标记，5测量程序
5.1根据硅片试样的直径大小，选用或调节基准环的3个支点距硅片边缘3mm。5.2将硅片试样的正面（或规定面)朝上，放入基准环中。5.2.1硅片试样如有参考面，应使参考面与基罹环上的标线平行。5.2.2无参考面的硅片试样，测量时在认定位置做出标记。5.3移动基准环，使硅片试样中心处在指示器指针之下。5.4调节位移指示器，使硅片试样的正反两面都在测量量程之内。5.5测量硅片试样中心所在位置，以读数仪表上读取数值，并记作F1。5.6顺时针转动硅片试样，每转90°测量一次，从读数仪表上读取数值，分别记作F2、F3F，。翻转硅片试样，反面朝上放入基准环中，重复5.2、5.3、5.5各条测量步骤，读取测量数值，记作5.7n
B，并考虑数值的正负符号。
5.8逆时针转动硅片试样，每转动90°,对应于Fz、F3、F4的值，测量出相应的B2、B：、B之值。6测量结果计算
6.1按照公式计算硅片弯曲度D。D = JF- BI
式中；D—弯曲度，μm;
i—1、2、3、4;
F硅片正面测量数值.μm;
B;——硅片反面测量数值，um。6.2取D、D2、D3、D4个数值中的最大值作为该硅片的弯曲度。7精密度
本方法单实验室标准偏差为士3.0μm(R1S)。8试验报告
试验报告应包括下列内容：
硅片试样批号、规格；
测量仪器名称和型号；
测量结果；
d．本标准编号；
测量单位及测量者；
测量日期。
第二篇方法B—非接触式测试方法9主题内容与适用范围
本标准规定了硅片弯曲度的非接触式测量方法。3.6
GB/T6619.-1995
本标准的适用范围同第一篇方法A第1章。10方法原理
将硅片置于基准环的3个支点上，3支点形成一个基准平面，用只尤接触的测量探头，测量硅片中心偏离基准平面的距离，该距离表示硅片的弯曲度。11 测量仪器
11.1 基准环免费标准下载网bzxz
同第一篇方法A第3.1条。
11.2测量仪
测量仪由测量探头、显示器、花岗岩平台三部分组成。11.2.1测量探头是一对无接触位移传感器，上、下探头处在问一轴线上，能够上、下垂直调节，轴线与基准平面的法线之间的夹角应小于2°，每只探头能独立地测量与硅片最近表面的距离，探头分辨率优于 0.25 μm。
11.2.2显示器具有将测量探头输出的讯号进行数字处理，计算、存储功能，并用数字显示出探头与硅片表面的距离。
11.2.3花岗岩平台是一块结构细密、表面光滑的石板，面积大于305mm×355mm。测量区面平整度小0.25um，并装有限制基准环移动范围的限位器。11.3厚度校准片
测量仪应备有的附件，用以校正测量仪。12试样
同第一篇方法A第4.1～4.2条。
13测量程序
13.1仪器校正
13.1.1根据硅片试样直径和厚度的大小，选用相应规格的基准环和厚度标准片，标准片与硅片试样的厚度之差小于50μm。
3.1.2将选好的基雅环置于花岗岩平台上的限位器处，放入厚度标准片，使基准环中心对准测量探头。
13.1.3将测量仪拨到“设定”位置，调整测量探头使其在有效测量范围内。再把测量仪拨到“测黛”位置，转动“厚度调节”旋钮，使显示值达到标雅片的厚度值。13.1.4取出厚度标准片。
13.2测量
13.2.1从测量仪上取出上探头，只使用下探头测量。13.2.2将硅片试样正面向上放入基准环，使硅片的主参考面（或标记)与基准环上的标线平行。13.2.3移动基准环，使下探头对准硅片试样中心位置。13.2.4显示器复位。
13.2.5测量下探头至硅片下表面的距离，读取数值，记作F1。13.2.6顺时针转动硅片，每转90°测量一次，从读数仪表读取数值，并分别记作F2、F和F4。13.2.7翻转硅片试样，反面朝上，放入基准环中，重复5.2.3~~5.2.5各条测量步骤，读取测量数值，记作B，并考虑数值的止负符号。
13.2.8逆时针转动硅片试样，每转90°,对应F2、1、F，之值，测量出B2、B.和B之值。17
14测量结果计算
同第一篇方法A第6.1～6.2条，
精密度
GB/T6619-1995
本方法的精密度是经5个实验室巡回测试确定的，测试硅片试样共25片，硅片直径为76.2mml100mm和125mm3种规格，精密度的2倍标准偏差的平均值为士4.0μm(R2S）。16试验报告
同第一篇方法A第8章。
附加说明：
本标准由中国有色金属工业总公司提出本标准由洛阳单晶硅厂负责起草。本标推主要起草人王从赞、郭瑾、袁景怡。本标准方法A等效采用美国材料与试验协会标准ASTMF534一91《硅片弯曲度测试方法》。3·18
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