本部分适用于半导体器件的低气压试验。本项试验的目的是测定器件和材料避免电击穿失效的能力，而这种失效是由于气压减小时，空气和其他绝缘材料的绝缘强度减弱所造成的。本项试验仅适用于工作电压超过1000V的器件。本项试验适用于所有的空封半导体器件。本试验仅适用于军事和空间领域。本项低气压试验方法和IEC60068-2-13大体上一致，但鉴于半导体器件的特殊要求，使用本标准条款。 GB/T 4937.2-2006 半导体器件 机械和气候试验方法 第2部分:低气压 GB/T4937.2-2006 标准下载解压密码：www.bzxz.net

ICS31.080.1
中华人民共和国国家标准
GB/T4937.2—2006/IEC60749-2:2002部分代替GB/T4937-1995
半导体器件
机械和气候试验方法
第2部分：低气压
Semiconductor devices-Mechanical and climatic test methods-Part2,Low air pressure
（IEC60749-2:2002,IDT）
2006-08-23发布
数码临伤
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局中国国家标准化管理委员会
2007-02-01实施
GB/T4937.2-2006/IEC60749-2:2002本部分是GB/T4937半导体器件机械和气候试验方法》的第2部分。下面列出了本标准的预计结构：
第1部分《单导体器件机械和气候试验方法第1部分：总（1EC-60749-1第2部分《半导体器件机械和气候试验方法第2部分：低气压》（IEC60749-2）第3部分《半导体器件机械和气候试验方法第3部分：外部目检》（IEC60749第4部分《半导体器件机械和气候试验方法第4部分：强加速稳态湿热试验（HAST）》CIEC.60749-4)
第5部分《半导体器件机械和气候试验方法第5部分：稳态温湿度偏置寿命试验》IEC60749-5)
第6部分（半导体器件
第6部分：高温地存EC60749-6)
一机械和气候成验力达
第7部分平导体器件机械和气候试验方法第7部分内部水汽含量测试和其他残余气体分析（IEC60749-7）
机械和气候试验方法第8部分：密封（1EC60749-8第8部分半导体器件
第9部分（半导体器件机械和气候试验方法第9部分：标志耐久性（1EC60749-9）第10部分《半导体器件机械和气候试验方法第10部分：机械冲击》IEC60749-10）第11部分《半导体器件机根和气候试验方法第11部分：快速温度变化一双液槽法》C50-60949-11
第12部分《半导体器件机械和气候试验方法第12部分：变频振动（IEC6749-12）第13部分《半导体器件机械和气候试验方法第13部分：盐气>（IEC6074913）第14部分《半导体器件机械和气候试验方法第14部分：引线牢固性（引线强度）》(TEC60749-14)
第15部分《半导体器件机械和气候试验方法第15部分：通孔安装器件的耐焊接热》(IEC60749-15)
第19部分半导体器件
机械和气候战酸方法
剪功强度（IE90749-19)
第20部分《半导体器件机械和气候试验方法第20部分：塑封表面安装器件的耐湿和耐焊接热》（TEC60749-20）
第21部分《半导体器件机械和气候试验方法第21部分：可焊性》（IEC60749-2）第22部分（平导体器件机械和气候试验方法第22部分：键合强度0（IEC60749-22）第25部分《半导体器件机械和气候试验方法第25部分：快速温度变化（空气一空气）》(IEC60749-25)
第31部分半导体器件
的）》(IEC60749-31)
第32部分《半导体器件
的）（IEC60749-32)
机械和气候试验方法第31部分：塑封器件的易燃性（内部引起机械和气候试验方法第32部分：塑封器件的易燃性（外部引起第36部分《半导体器件机械和气候试验方法第36部分：恒定加速度》（IEC60749-36）GB/T4937的第2部分等同采用IEC60749-2.2002半导体器件机械和气候试验方法第2部分：低气压》（英文版）
GB/T4937.2-2006/IEC60749-2:2002为便于使用，本部分做了下列编辑性修改）用小数点“”代替作为小数点的逗号“”b）删除国际标准的前言
本部分代替GB/T4937—1995半导体器件机械和气候试验方法》中第Ⅲ箱第3章低气压。本部分与GB/T4937-1995第Ⅲ篇第3章低气压的主要差异为：本部分规定了完整的低气压试验方法，而GB/T4937-1995第Ⅲ篇第3章低气压是在引用GB2423.21电工电子产品基本环境试验规程试验M：低气压试验方法》的基础上规定了半导体器件的特殊要求，本部分由中华人民共和国信息产业部提出本部分由全国半导体器件标准化技术委员会归口本部分起草单位：中国电子科技集团公司第十三研究所。本部分主要起草人·崔波、陈海蓉。本部分第一次修订。
GB/T4937.2-2006/IEC60749-2:2002本试验是模拟飞机或其他飞行器在高空飞行中所遇到的低气压条件来进行的。即使低气压不会使介质完全击穿，但会增强电量放电及其介质摄耗和电离等有害影响。此项模拟高空条件的试验还可以用来检验低气压下的其他微应（其中包绝缘材料介电带数的变化和确博空气使元器件散热能力降低）对元器件工作特性的影响。
1范围
GB/T4937.2-2006/IEC60749-2:2002通尊惠
半导体器件机械和气候试验方法第2部分：低气压
本部分适用于半导体器件的低气压试验，本项试验的目的是测定元器件和材料避免电击穿失效的能力，而这种失效是由于气压减小时，空气和其他绝缘材料的绝缘强度减弱所造成的。本项试验仅适用于工作电压超过1000V的器件。
本项试验适用于所有的空封半导体器件。本试验仅适用于军事和空间领域。本项低气压试验方法和1EC-60068-2-13大体上一致，但签于半导体器件的特殊要求，使用本部分条款。规范性引用文件
下列文件中的条款通过GB/T4937的本部分的引用而成为本部分的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本部分，然而，鼓励根据本部分达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本部分。
IEC60068-2-13环境试验第2部分：试验M：低气压3试验设备
本试验所需仪器设备包括一台真空泵、一个合适的密封室（必要时该密封室还应具备能观察样品的装置），一台可用于测量密封室模拟高度的气压表和一只能在直流到30MHz内检测电流的微安表或示波器
4程库
样品应按规定放置在密封室内，并按规定把气压减小到表1中的某个试验条件。把样品保持在规定的气压下，对它们进行规定的试验，在试验期间及试验前的20min内，试验温度应为25℃士10℃，对器件施加规定的电压，在从常压到规定的最低气压并恢复到常压的整个过程中监测器件是否出现故障。表1气压对应高度的试验条件
试验条件
最大气压
200000
GB/T4937.2--2006/IEC60749-2:20024.1试验测量
连接器件，进行测量，并且在整个抽气过程中施加规定的电压，用微安表或示波器监视施加最大电压（见5e））的器件引出端，从直流到30MHz范围内看其是否出现电晕放电电流。在未放置试验器件的情况下，施加适用的试验条件，校准试验线路电流，以保证试验数据真实反映被试器件的特性。4.2景露后处理
在试验的最后，将样品从密封室中移出并在标准大气条件下保持2h~24h。样品上吸附的冰和水汽应预先除去
4.3失效判据
如果在详细规范规定的条件下，器件的参数超过极限或功能无法实现，则认为器件失效。如果器件
出现飞弧、有害的电晕或任何影响器件工作的缺陷或退化，都应视为失效。明
有关的采购文件应规定如下的内容：a)
安装方法（见第4章）。
试验条件（见第4)、除另有规定外应采用条件E降压期间的测试（见第4章）除另有规定外，器件应承受在额定工作条件下的最人电压暴露后处理时间（见第4章）。
适用时，进行终点测试（见第4章）除另有规定外，应对器件规定的特性或参数进行全面的电测试。
样品尺寸。
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书号：155066：1-27687
GB/T49372-2006
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