本规范规定了半导体集成电路小外形封装(SOP)引线框架的技术要求及检验规则。本规范适用于半导体集成电路塑料小外形封装冲制型引线框架。 GB/T 15878-1995 小外形封装引线框架规范 GB/T15878-1995 标准下载解压密码：www.bzxz.net

中华人民共和国国家标准
小外形封装引线框架规范
Specification of leadframes for small outline package1生题内容与适用范围
1.1主题内容
GB/T15878—1995
本规范规定了半导体集成电路小外形封装(SOP)引线框架(以下简称引线框架)的技术要求及检验规则。
1.2适用范围
本规范适用于半导体集成电路塑料小外形封装冲制型引线框架。2引用标准
GB7092—93半导体集成电路外形尺寸GB/14112—93半导体集成电路塑料双列封装冲制型引线框架规范GB/T14113—93半导体集成电路封装术语SJ/L9007—87计数检查抽样方案和程序3 术语、符号、代号
本规范所用术语、符号和代号应按GB/T14113的规定。4技术要求
4. 1设计
引线框架的外形尺寸应符合GB7092的有关规定，并符合引线框架设计的要求，4.1.1精压区
最小扁平引线键含区，宽度为标称引线宽度的80%，长度为0.381mm。4.1.2精乐深度
4.1.2.1对于0.2mm厚的材料，精压深度最小为0.013mm，最人为0.051mm。4.1.2.2对于0.25mm厚的材料，精压深度最小为0.013mm，最大为0.051mm。4.1.2.3最大精压深度也可能受最小引线间距要求的限制，最小精压深度也可能受最小键合区要求的限制。
4.1-3金属间的间隔
引线框架各内引线之间，内引线与芯片粘接区之间的距离不小于0.152mm。4.2引线架形状和置公差
4.2.1引线扭曲
引线框架内引线扭曲不得超过3°30°，即每0.254mm引线宽度范围最大偏离不超过0.015mm4.2.2芯片粘接区斜度和平整度
国家技术监督局1995-12-22批准..com1996-08-01实施
GB/T15878-1995
4.2.2.1斜度在未打凹条件下，每2.54mm最大倾斜0.025mm，在打凹条件下，每2.54mt最大斜 0.051mm。
4.2.2.2平整度测试在从中心到四个拐角的中心进行，中点被规定为离每边0.127mm处，平整度0.005mm。
4.2.3芯片粘接区打凹
从芯片粘接区中心到支撑条上的一点测量时，应在标称尺寸的土0.05mm范围内。对材料厚度为0.25mm框架，标称打凹深度为0.3mm，对材料厚度为0.2mm框架，标称打凹深度为0.2mm。4.2.4引线共面性和芯片粘接区共面性4.2.4.1引线共面性引线框架内引线精压区端头共面性在十0.1mm范围内。4.2.4.2芯片粘接区平面度在中心测量时，芯片粘接区与基准平面偏离应在十0.076mm/一0.127mm范围内。
4.2.5卷曲
引线框架条带长度方向上卷曲变形小于0.5mm。4.2-6横弯
最人横弯不得超过士0.127mm。
在150mm的长度方向上，应不超过0.05mm。4.2.8框架扭曲wwW.bzxz.Net
在每条框架上扭曲不超过0.51mm。4.3°引线框架外观
4.3.1毛刺
引线框架连筋以内垂直毛刺不超过0.02mm，连筋以外的垂直毛刺和任何位置的水平毛刺不得超过0.05mm。
4.3.2尚坑和压痕
4.3.2.1在功能区和外引线上，不应存在压痕。该区域内凹坑深度不得超过0.008rm·最大表面尺寸不得超过0.013mm。
4.3.2.2在其他区域，凹坑和其他缺陷不得影响引线框架强度，深度不得超过0.05mtml，最大表面尺寸不得超过0.13mm
4.3.3表面缺陷
无键层部位应呈金属材料本色、无锈蚀、发花等缺陷。4.4引线框架镀层
4.4. 1镀层厚度
4.4.1.1引线框架局部镀金层厚度不小十1μm。4.4.1.2引线框架局部镀银层厚度不小于3.8um4.4.2镀层外观
镀层表面应致密、平滑、色泽均句呈镀层本色，不充许有起皮、起泡、沾污、斑点、水迹、异物、发花等缺陷。应无明显污点、脱游或键层漏镀。无贯穿整个镀层的划痕。4.4.3镶层耐热性
镀层经高温试验后应无明显变色，不充许起皮、起泡、剥落、发花、斑点等缺陷。4.4.4镀层键合强度
引线框架的镀层应易干粘片健合，键合强度大于40mN。4.5引线框架外引线强度
引线框架的外引线经弯曲试验后不应出现断裂。5检验规则
GB/T15878—1995
5.1检验批的构成
“个检验批可由一个生产批或符合下述条件的儿个生产批树成。a。这些生产批是采用相同的材料.工艺、设备等制造出来的；h每个生产批的检验结果证明材料和工序的质最均能保证所生产的引线框架达到预先规定的质量水平；
c，若干生产批构成一个检验批的时间通常不超过一周，除非另有规定，最长不得超过一个月。5.2检验项目及要求
引线框架的检验项目及要求见表1,标有(D)的试验为破坏性试验，表「中所引用的试验方法系指GB/T14112附录中规定的方法。AQL抽样方案按SJ/Z9007的规定，抽样数以条为计量单位。表1
检验和试验
形位公差
镊层厚度
镀层耐热性(1)
键合度(D)
外引线强度(D)
6订货资料
试验方法
用满足测量精
度的量具测迹
附录A
X荧光测厚仪或
其他等效仪器
附录B中R1
附录B+B2
附求 B中 13
检验要求
按本规范4.3及4.4.2
按本规范4.）
按本规范4.2
按本规范4.4.1
按本规范4.4.3
按本规范4.4.4
按本规范4.5
若无其他规定，订购引线框架时至少需要以下资料：a.
产品型号、规格：
数量；
产品图纸及图号；
材料名称皮规格；
任何其他细节（适用时）。
7标志、包装、运输、贮存
7.1标志
引线框架包装盒上应有如下标志：「名或商标：
产品名称、型专、规格
产品标准编号：
数量：
生产日期」
检验批识别代码和检验员代号。[
7.2包装
为避免正常运输过程中的损坏和泄漏，产品需包装在专门设计和制造的包装箱内，包装箱应防上产品被污染和受潮。
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引线框架内包装应采用中性材料包装并密封，以保证产品不受沾污和腐蚀，防止物理损伤7.3运输
产品的包装应能适应任何交通工具的运输，并在运输过程中应防止雨淋，受潮和破损。7.4贮存
7.4.1引线框架产品应贮存在环境温度为10~35℃，相对湿度不大于80%，周围无腐蚀气体的库房中，
7.4.2、自出厂之目起，有镶层的引线框架保存期为三个月，无镀层引线框架保存期为六个月附加说明：
本标准由中华人民共和国电子工业部提出。本标准由全国集成电路标准化分技术委员会归口。本标准由厦门永红电子公司、电子工业部标准化研究所负责起草。本标准主要起草人，上官鹏、陈裕昆
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