SJ 50033.3-1994 半导体分立器件.GP、GT和GCT级GH21、GH22和GH23型半导体光耦合器详细规范 SJ50033.3-1994 标准下载解压密码：www.bzxz.net

中华人民共和国电子行业军用标准FL5961
SJ 50033/3--94
半导体分立器件
GP、GT 和 GCT 级 GH21、GH22
和GH23型半导体光耦合器
详细规范
Semiconductor discrete deviceDetail specification for semiconductor opto-couplersfor type GH21, GH22 and GH23 of GP,GT and GCT classes1994-09-30发布
1994-12-01实施
中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用准半导体分立器件
GP、GT和 GCT级 GII21、GII22和 GII23型半导体光耦合器详细规范
Seniconductor discrete deviceDctail spccification forscmiconduetoropto-couplersfor type GH2I, GH22 and GH23 of CP, GT and GCT elasses1范围
1.1主题内容
SJ 50033/3-94
本规范规定了 GH21、GH22 和 GH23 型半导体光耦合器的详细要求，该种器件按 GJB 33(半导体分立器件总规范)的规定，提供产品保证的三个等级(GP,GT和GCT级)。1.2外形尺寸
见图1
1.3最大额定值(跨非另有规定，T,=25）1.3.1红外发射二极管最大额定值VR
法：1）T-65~125C时要0.67mA/℃线性服陷额。2）脉沪宽度1.0g,每秒3000个脉冲。光敏品体管最大额定值。
注:1）T =25～125℃时接 3mW/亡线性地降额。1.3.3光耦合器最大额定值
- 55 ~ + 125
1.4 主要光电特性(T =25℃)
- 55 ~ + 125
中华人民共和国电子工业部1994-09-30发布pu
1994-12-01实施
rrKAoNiKAca-
红外发射二极管(输入)特性
SJ 50033/3—94
1.4.2光敏晶体管（输出)特性
Vce = 20V
Vcn = 20V
1.4.3光稠合器（传输)特性
V1000V(见 4.5.5)
V=0(见4.5.5)
晶控管型
见图2
一级管型
现图2
Iμ= 2mA, I = 0. 5mA
Veh - SV, Ir \ lUmA
Vex*5V,Ip=ImA
2引用文件
VaEiCEn
ic=ImA
VemRIDo
1,= 100gaA
最小最大最
Ir= mA
V(BR)EBO
Ig-100μA
Vce-5V, I,=0
Ic=10mA
下列文件的有效版本，在本规范规定的范趣内，构成本规范的一部分，GB 4587—84
GJR 33--85
GIR 128—86
SJ 2215. 1 ~ SJ 2215. 14
SI/7. 9014.2
双极型品达管试验方法
半享体分立器件总规范
半导体分立器件试验方法
半导体光耦合器测验方法
半导体器件分立器件程集成电路第5部分：光电予器件3要求
3.1概述
SI 50033/3-94
各条娶求应按GJB33uSJ/Z9014.2和本规范的规定。3.2缩写、符号和定义
本规范使用的缩写、符号和定义应符合GJB33,SI/Z9014.2和下列的规定I.-正间瞬态脉冲峰值心流
CTR一真流身流传输比。
IcEo—集电极-发射极暗电流。
Icro一架电极-基极暗电流。
rio一输人与输出间绝缘电座。
C.一输入-输出电穿。
Vio—最大直流隔离电压。
3.3设计、结构和外形尺
器件的设计、结构利外形尺寸应符合GJB33和本规范图1的规定3.3.1引线材料和涂层
引线效料应为柯伐合金或等效物。引线涂层应为镀金、镀锡或漫锡。如果要求造择引线途层，应在合同中规定(见6.2)。3.4标志
制造厂有权选择将SJB33中规定的下列标志从管体上省略a。制造厂的识别。
4质量保证规定
4.1 拍样和检验
抽样和检验应按 GJB 33 和规范的规定。4.2鉴定检验
鉴定验验应按GJB33的规定。
4.3筛选(仅对 GT 和 GCT级)
筛选应按GJB33表2和本规范的规定。下列测试应按本规范表1和2的规定进行，过表1 和2 极限的器不应接收，谛
【见 GJB 33 表 2)www.bzxz.net
1热击
6高温反将
7中间测试
8电老化
9最后测试
Ix，cC,hpE,CIKl,AfcEon=100%初始值或25Ade,取较大者。见4.2.3
本规范表1中A2分组，4IcEu100%切始值或25nAdic,取较大者。E= ±20%始值, 4CTRI 20%机始值,A-100%初始值或25μAde,取较大者，TKAONKAca
4.3.1热冲击（温度循环）
SJ 50033/3-94
除最低温度为-55C，极限温度下的试验时间至少为15min，10次循环外，所有器件都应按GIB128方法1051的试验条件B进行热冲出（温度循环）试验。4.3.1.1受监控的热冲击（温度错环）百分之百的器件都要经受一个循环的受盐控的熟冲击试验。这个试验可以在规定的热冲击试验完成之后的任一时间进行，也可在第10次热冲击之后进行。应监控所有PN结的电连续性，任何非连续都将引起该试验后器件的失效。如果经受热监控的热冲击试验后器件的失效率等于或超过10%，则全部批不能作为GT和GCT级器件交货。4.3.2高温反偏
所有器件应按GJB128方法1039试验的方法A进行试验。T。-125，Ir=U，Vc=36V,至少48h。
4.3.3功率老化试验条件
功率老化试验条件如下所述：老化电路如图3所示，Vc:=20V，VcE=10±5V，I:=40mA，T=25±3℃，P=275±25mW，时间：168h，器件上无热沉或直接的空气循环冷却。4.4质量一致性检验
质量一致性检验应按GJ333和本观范的规定，4.4.1A组检验
A组检验应按GIB33和本规范表1的规定进行4.4.2B组检验
B组检验应按本规范表2的规定进行。最后测试和4参数要求应符合本规范表4的步骤。
4.4.3 C组检验
C组检验应按本规范表3的规定进行，最后测试和么参数要求应符合本规范表4的步骤。4.5检验和试验方法
检验和试验方法应符合本规范相应的表和下列规定。4.5.1脉冲试
脉冲测试条件应符合GJB128的3.3.2的规定。4.5.2高蕴隔离电压的批验证
本试验应在红外发射二极管的正负极短路连接和品体管的集电极，发射极和基极短路连接的条件下进行。将样品分成2个数量相等的组，其中一组的样品红外发射二极管端接隔离电压Vo的阳极，品外管端接Vo的阴极；另一组的样品红外发射二极算端接Vio的阴极，晶体管端接Vo的阳极。所有电压都应在规定的环境温度条件下实施。4.5.3红外发射二极管输入试验
本试验应在输出端晶体管并路的条件下进行。4.5.4品体管输出试验
本试验应在输入端红外发射二极管开路的条件下进行。4.5.5输入-输出电容
本试验应在输入端5和7短路连接和输出端1、2和3短路连接的条件下进行（见图1)。4.6内部目检（封帽前）
内部目检应按GJB128方法2072和2073以及本规范的规定。方法2073用十检验红外4
SJ 50033/3--94
发射二极管。方法2072用于检验晶体管芯片和所有耦合器部件。4.6.1红外发射二极管芯片目检
芯片应在只能容纳一个芯片的容器内放人100倍检验。4.6.2硅晶体管芯片目检
芯片应在能容纳一个芯片的容器内放大1倍检验。4.6.3芯片位置
适用时，发射芯片不能比接收芯片超出其宽度的33%。4.6.4芯片连接
芯片与各端子项部的连接应完整无缺，集也极端子与管座小孔顶部的连接也应完整无缺。4.6.5芯座
发射管阴极上的芯座应被玻璃匹配填料完全支撑，且芯座大小不应翻过芯片边缘0.0254mmo
5交货准备
包装,此存和运输要应按 GJB 33 的规定。6说明事项
6.1说明
GIB33的说明适用于本规范。
6.2订货资料
必要时，合同中应规定引线涂层（见3.3.1)表 1 A组检验
格验和试验
A1分组
外观和执械越验
A2 分组
红外等特性：
反向电流
正向电压
晶体等特性：
架电被发射极击穿
电极-基极击穿电
SI 2215.4
SI 2215.2
SJ 22t5.7
GB4587
GJB 128
(见4.5.3)
Ie=[OmA
(见 4.5.3)
Ie= 1mA
IR=0. Ip=D
(见 4.5.4)
Ie= 100μA
Te-d,Ig-0
(见 4.5.4)
LTPD符
极限值
最小最大
外形尽寸 gD1、,Apa 符合
图1要求,外观无缺陷,
链层无明显锈蚀。
V(a) 40
Venxicny 45
TKAONKAca
检骑动试验
发射极-基极击穿电
集电极-发射极暗点
(晶体管型）
集电极-基极暗电流
（二极管型）
直流电流放人
系数（品作督型）
光耦合器特性：
直流电流传输比
（品管型）
直流电流传输比
（二极管型）
集电极-发射极饱和
输入与输出间绝缘
A3 分组
寄温工作：
晶体管特性：
集电极-发系设皓电
(晶体管型）
光耦台器特性：
直所声流传输比
（牢）
红外管特性：
正向中医！
低温工作：
光耦合辑持性，
GR4587
GR4587
SI22L5.10
SJ 2215. 10
S) 2215.8
SJ2215.13
$J 2215. 9
SJ 2215.10
SI 22:5.1
SJ 50033/3—94
续表1
GJB 128
Ie=100uA
Io=), Ip= C
(见4.5.4)
Vc= 20V
Ig=U,I,=u
(F 4.5.4)
Ves= 2UV
[元4.5.1]
Vee - sv
I= 1OmA
1==01见 2.5.4)
VeE=5V
Ip-imA
Jr=10mA
Ip-2ml
IVol=1KV
I TA = iont
Vce-20V
l=o, Ig=
（4.5.4)
Vee = 5V
J,=2mA
Iμ-1UmA
(见4.5.3)
I= - st
LTPD符号
极限值
最小最大
VCRRIERn ?
Verat)
检验和试验
（晶体管型）
直沉电流传输比
红外管特性：
正向电压
A4分组
输人-输出言蓉
上升时问
（晶体管型）
下隧时间
【晶体管型】
上升时间
（二极管型）
下降时间
（～极管型）
检验和试验
E1分组
可焊性
标志附久性
B2分组
热冲击
SJ 2215.10
S1 2215.12
SI2215.11
SJ 2215.11
$J 2215.11
SJ 2215.11
SJ50033/3—94
续表1
VE= SV, I-= 2mA
I=10mA(见4.5.3)
F- IMH( 4.5.5)
I Via =0
Voe= loV
(见图2)
Ve=10V
Ip-SmA
Ri.= 100G
Vcc= lV
Ir= SuA
R,=100n
(见图2)
Vee= 10V
（见图2）
表2B组检验
GJB128
停顿对间：10%
LTPD|符
至管壳距离：1.5mm
试验条件，B1
极限值
最小最大
TrKAONKAca-
检验和试验
(温度循虾)
a细检溺
克粗检漏
最后测试
B分组
高温离电
最后测试
稳态工作寿布
最后谢试
B4 分组
示调内部直延设计检验
键强度
B5分组
高祖表命(不工指)
最后测试
检验和试验
1分组
外形尺寸
C2分组
热冲出(玻玻应力)
引出端强度
，纸检漏
h郑捡漏
综合温度/湿度
周期试验
多观及机械趋照
SJ 50033/3—94
续表2
CJB128
整个试验时闻;长72h
试验条件 G或 H
试验条件 C
见表 4, 步骤 1 ,2 和 3
Vm=150v(见4.5.2)
Tr= 125, t = 24h
见表 4 步骤 1.2 和 3
Ig20mA,Pj=275±25mW
TA=2513(见图3)
器件上无热沉或直接的空气循环致冷见表 4 步骤 5 和 6
试验录件A
TA=125C
见表，步要5和6
表 3C组检验
GJR12R
见图！
试验茶件A
试验条件E
试验条性 G变 H
试验条件 C
省勝树始条件
外观无缺，镀层无明显锈蚀
儿表 4 步骤 1 和 2
每批检验一个
器件睾尖效
20(C-0)
延验动试验
变赖振动
恒定加速读
录店剐试
公组（用时)
整气（茂）
态作存印
龄验和试验
集电极-发射极据
亢流电流传输比
实电极.生射粉饱
拓电话
向电途
天电摄-整割极略
江电液传输比
SI 50033/3--94
续表3
CJB128
无下作：加速度：147[0m/s
脉冲时间：0.>ms,X1,Y1和Y2方向各冲击5次不工作：加速度：490m/3
不工作；连度：2940C0m/s，方向：X1，Y1本！Y2几表4步骤2和3
I r- 20in.A.I't= 275 # 25mW
T，-25（见图3)
器件上无热说或直接的空气循环致玲见去 4 步强 5 和 6
表 4B组和 C组最后测试
$) 2215.9
SI 2215. 10
SI 2215.8
S 2213 4
SI 2215.0
SJ 2215.10
Vcr = 2UV, Iμ =0
In-Cr见4.5.,4)
Vir = 5V, Ir= ImA
Ic=.SmA, Ir - 2mA
V=2V(4.53)
Vur = 20V, Ip-0
[n-0见4.5.4)
V=SV. Ir- ImA
极限值
土100%初始值
或25nA,最较大者
±25%的变化率
TKAONKAca-
不速接
Ver-1ov
≥R.-1000
试验电路
晶萃管型
SJ 50033/3—94
发射圾
集电极
图1外形尺寸
电压波形
图2开关时间
寸(mm)
最小值标弥值
-C 输人
最大值
心输出
试验电路
二极管型
附加说明：
SJ 50033/3-94
图3工作寿命试验电路和电老化电路本标准出中国电子标准化研究所负责起草。本标准主要起草人：张彦秋。
计划项目代号：B91008
Vet-20V
YrKAONTKAca
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