主要规定了光发射器件的辐射功率、正向电流、开关时间等电参数和光电参数的测量方法，以及光电探测器件的噪声、开关时间、响应度等电参数和光电参数的测量方法。 SJ/T 11405-2009 光纤系统用半导体光电子器件 第2部分：测量方法 SJ/T11405-2009 标准下载解压密码：www.bzxz.net

Ics33.180
备案号：
中华人民共和国电子行业标准
SJ/T11405—2009
光纤系统用半导体光电子器件
第2部分：测量方法
Semiconductor optoelectronic devices for fibre optic systemapplications - Part 2: Measuring methods(IEC62007-2:1999，IDT）
2009-11-17发布
2010-01-01实施
中华人民共和国工业和信息化部发布前言
2规范性引用文件
SJ/T11405--2009
3光发射器件测量方法..．
3.1带或不带尾纤的发光二极管(LED）红外发射二极管（IRED）、激光二极管的辐射功率或正向电流3.2带或不带尾纤的红外发射二极管、发光二极管的开关时间.3.3带或不带尾纤的发光二极管(LED）、红外发射二极管(IRED）和激光令极管的小信号截止频率(fc）3.4.带或不带尾纤的激光三极管的阈值电流3.5带或不带尾纤的发光二极管（LED）、红外发射二极管（IRED）和激光二极管的相对强度噪声6
3.6带或不带尾纤的激光二极管的开关时间..3.7带或不带尾纤的发光二极管红外发射二极管、激光二极管的载波噪声比.8
3.8带或不带尾纤的发光二极管、红外发射二极管、激光三极管及激光模块的Sii参数3.9.带尾纤、带或不带致冷器的激光模块的跟踪误差，3.10带或不带尾纤的激光二极管的光谱线宽3.11发光三极管（LED）和红外发射二极管（IRED）在1dB压缩点的调制电流（Jp（dB）3.12发光二极管：（LED）和红外发射二极管（IRED）的双频差拍失真（D12\\D21)3.13激光二极管或激光二极管模块的中心波长（）和均方根光谱带宽（A2）3.14光纤模拟传输系统或子系统的激光二极管或激光模块的复合失真3.15光纤模拟传输系统或子系统的激光三极管或激光二极管模块的二阶和三阶互调失真。3.16带或不带尾纤的激光二极管或激光模块的微分效率（）3.17带或不带尾纤的激光二极管的微分电阻ra（正向）3.18模拟激光器的载噪比..
3.19光学调制深度.
4.光探测器件测试方法
4.1PIN光电二极管的噪声.
4.2带或不带尾纤的雪崩光电二极管的过剩噪声因子4.3带或不带尾纤的光电二极管的小信号截止频率。4.4带或不带尾纤的雪崩光电二极管（APD）的倍增因子：4.5带或不带尾纤的PIN光电二极管或雪崩光电二极管（APD）的开关时间4.6PIN-FET组件的响应度
4.7PIN-FET组件的频率响应平坦度（AS/S）4.8PIN-FET组件的输出噪声功率谱密度Pno.24.9PIN-FET组件的低频输出噪声功率谱密度（PoLF）和转折频率（feor）4.10PIN-FET组件的最小可探测功率.4.11模拟PIN三极管的二阶和三阶互调失真10
SJ/T11405-2009
附录A（资料性附录）标准对照表上理意
附录B（资料性附录）本部分中的条款号与IEC62007-2.1999条款号对照表.王
主隅意
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版权专有
《光纤系统用半导体光电子器件》的预计结构如下：第1部分：基本额定值和特性；
第2部分：测量方法。
SJ/T11405--2009
本部分等同采用IEC62007-2：1999《光纤系统用半导体光电子器件第2部分：测量方法》（英文版）。
为了便于使用，本部分做了下列编辑性修改：用小数点“，”代替作为小数点的逗号“，删除国际标准的前信：
为了保持标准结构的统一，删除了原文图中的图题部分，-为了使本部分中的图号具有连续性，将原图号“图46～图49”改为“图32～图35”，原图号“图32~图45”改为”图36~图49；
为了便于引用，将文中公式进行了编号为了在条款号编排上体现的层次更清晰，将IEC62007-2中的二级条款的字母改为分条号，条款号的对照表在增加的附录B中说明，因IEC:620073.18e)公式中对-“B”-的说明不是直接对公式说明，而是对与K1相关的变量说明，故本部分对“B”的说明用注释表述。本部分的附录A、附录B为资料性附录。本部分由工业和信息化部电子工业标准化研究所归口。本部分起草单位：工业和信息化部电子工业标准化研究所。兰王幼林。
本部分主要起草人：赵英、陈主I
生理育
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救专有版权专有
1范围
光纤系统用半导体光电子器件
第2部分：测量方法
SJ/T·11405—2009
本部分规定了用于光纤系统/子系统的半导体光电子器件（以下简称“器件”）的测量方法。2：规范性引用文件
本章无内容。
3光发射器件测量方法
版权专
带或不带尾纤的发光二极管(LED)红外发射三极管(IRED)激光二极管的辐射功率或正向电3.1
3.1.1目的
在规定的条件下，测量带或不带尾纤的发光二极管（LED）、红外发射二极管IRED）管的辐射功率。或正向电流。
3.1.2测量装置、
测量装置见图1
积分球
被测器件
3.1.3装置说明和要求
遮光屏
激光三极
探测器（校准的）
器件的辐射是积分球内壁反射的所有辐射的积分和，使表面产生与辐射通量成正比的均匀光。探测头位于球体内壁测量光辐射，遮光屏屏蔽了来自被测器件的直接照射。3.1.4注意事项
在器件被测量时，遮光屏和光电探测器孔径应该比积分球面小很多SJ/T11405—2009
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球的内表面和遮光屏表面应有一层高均匀度、高反射系数（不小于0.8）的漫反射镀层。对积分球和光电探测器应予校准，
应注意功率损耗引起的峰值发射波长和辐射通量的变化：当被测器件为脉冲工作时，光电探测器测得的是辐射平均值。3.1.5测量程序
将被测器件放置在积分球入口处，避免光电探测器直接受到照射测量辐射功率时，给器件施加规定的正向电流1，用光电探测器测量其辐射功率：测量正向电流时，给器件施加电流直到使器件达到规定的辐射功率）记录此时的电流值。
3.16规定条件
环境或管壳温度：
辐射功率（当测量正向电流时）一正向电流（当测量辐射功率时）。3.2带或不带尾纤的红外发射二极管、发光二极管的开关时间3.2.1自的
测量带或不带尾纤的红外发射二极管、发光二极管的开通时间t（开通延迟时间ta（o）+上升时间t）和关断时间to（关断延迟时间tacorm)十下降时间t）。3.2.2电路图免费标准下载网bzxz
电路图见图2。
汉专有
刮无菱
3.2.3电路说明
具有高阻抗的电流脉冲发生器：电流偏置源（直流）
电压偏置源（直流）
与信号发生器阻抗相匹配的电阻：-被测器件：
光电探测器
负载电阻：
M—一测量仪器；
Syn.同步信号。
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注意事项
为了保证测量精度，光电探测器的响应时间、测试电路和测量仪器的响应时间、输入电流脉冲的上升时间和下降时间都应足够短；2
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在光脉冲的顶部（见图3）所得到的平均输出功率可能不等于在偏置电流为直流偏置和输入脉冲电流之和时的连续辐射功率；仅考虑被测器件的光学窗口。
3.2.5测量程序
给被测器件施加规定的直流和脉冲电流；用测量仪器M测量开关时间；
图3中100%是在辐射脉冲顶部测得的平均输出功率，0是在直流偏置下测得的输出功率输入脉冲电流
相对辐射
输出功率
图中：
fd(on)
开通延迟时间：
上升时间；
下降时间：
关断延迟时间：
开通时间；
关断时间。
3.2.6规定条件
环境或管壳温度；
直流偏置电流；
输脉冲电流、脉冲宽度和占空比：光学端口；
输入脉冲电流
直流偏置
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一光学结构。
3.3带或不带尾纤的发光二极管(LED）、红外发射二极管(IRED）和激光二极管的小信号截止频率(fc）3.3.1目的
在规定的条件下，测量带或不带尾纤的发光三极管（LED）红外发射二极管（IRED）和激光三极管的小信号截止频率（f）。
3.3.2电路图
电路图见图4。
3.3.3电路说明和要求
被测器件；
可调交流频率信号发生器；
直流信号发生器；
光电探测器；
-交流工作状态辐射功率测量仪：CC—耦合电容。
3.3.4注意事项
应尽量减少反射入激光三极管内的辐射功率，以避免由于失真而影响测量精度。光电探测器的频率响应必须高于起
3.3.5测量程序
对于LED和IRED，施加规定的直流正向电流，或施加能获得规定辐射功率所需的直流正向电流；对于激光三极管，施加一大于或等于阅值电流的直流正向电流，或施加一能获得高于规定辐射功率所需的直流正向电流；
用信号发生器G在低频（小于f/100）条件下调制正向电流，并用M测量交流辐射功率；在调制幅度保持恒定的水平下，增加调制频率，直到在M上测得的辐射输出功率下降到一半时，该频率就是小信号截止频率（f）3.3.6规定条件
对于发光二极管（LED）和红外发射二极管（IRED）-环境、管壳或热沉的温度；
直流电流或辐射功率。
对于激光二极管：
版权专有
一环境、管壳或热沉的温度；
一直流正向电流和阈值电流之差或辐射功率。3.4、带或不带尾纤的激光二极管的阈值电流夏制无大
版权专有
3.4.1目的
测量带或不带尾纤的激光二极管的阅值电流3.4.2电路图
电路图见图5。
3.4.3电路说明和要求
DUT—被测器件
PD光电探测器：
A电流表：
G信号发生器（脉冲或置流）
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对于脉冲测量，电流发生器应提供满足振幅、脉冲时间和重复频率要求的脉冲电流。3.4.4注意事项
应尽量减少反射入激光二极管内的辐射功率，以避免由于失真而影响测量精度。不能超过激光二极管的极限值（和中）
3.4.5测量程序
给二极管施加正向电流，并记下二极管的辐射功率与正向电流之间的关系，记录辐射功率与正向电流关系的二阶导数曲线，该曲线上第一个极大值对应的电流，即是阈值电流Im（见图6）
辐射功率
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正向电流
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3.4.6规定条件
一环境、管壳或热沉温度：
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一对于脉冲测量，正向电流的重复频率和脉冲时间。红外发射二极管（IRED）和激光二极管的相对强度噪声3.5带或不带尾纤的发光二极管（LED）3.5.1目的
在规定的条件下，测量带或不带尾纤的LED、IRED和激光三极管的相对强度噪声（RIN)。3.5.2电路图
电路图见图7
电路说明
直流电流信号发生器，
被测器件
透镜装置：
正向电流：
光电探测器：
负载电阻；
在光辐射下光探测器的反向电流；直流偏压信号发生器：
交流信号放大器（增益G）
中心频率f.和等效噪声带宽Af的滤波器；M-一测量仪器（如：强度计等）。3.5.4注意事项
应尽量减少反射入激光二极管内的辐射功率，以避免由于失真而影响测量精度。3.5.5测量程序
给器件施加正向电流使器件达到规定的辐射功率，用测量仪器M测量噪声功率N，同时，在光辐射下测量光探测器的反向电流I用一个相同波长范围的宽光谱辐射光源替代被测光发射器件：调整光源功率，使得在光辐射下的光探测器达到所测得的反向电流值此时用测量仪器测得的噪声功率N相当于光探测器的散粒噪声和放大器噪声之和，-相对强度噪声RIN可由公式（1）计算：产
RIN= (N-)/(RX GX ANX R).
单位为Hz\。
3.5.6规定条件
环境、管壳或热沉温度：
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