SJ 50033.8-1994
基本信息
标准号： SJ 50033.8-1994
中文名称：半导体分立器件3DK205型功率开关晶体管详细规范
标准类别：电子行业标准(SJ)
标准状态：现行
出版语种：简体中文
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相关标签： 半导体 分立 器件 功率 开关 晶体管 详细 规范
标准分类号
关联标准
出版信息
相关单位信息
标准简介
SJ 50033.8-1994 半导体分立器件3DK205型功率开关晶体管详细规范
SJ50033.8-1994
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标准内容
中华人民共和国电子行业军用标准SJ50033/8—94
半导体分立器件
3DK205.3DK206.3DK207
3DK208、3DK209、3DK210、
3DK305、3DK306.3DK307
3DK308型功率开关晶体管详细规范1994-09-30发布
1994-12-01实施
中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
3DK205型功率开关晶体管详细规范1范围
1.1主题内容
SJ 50033/8--94
本规范规定了3DK205A~-I型NPV硅功率开关品体管详细要求。每种器件均按GJB33≤半导本分立器件总规范约规定，提供产品保证的三个等级（GP.G1和GCT级）。1.2外形尺寸
外形尺寸应按GB7581半导体分立器件外形尺寸的B2－01C放如：规定（见图1）：一代导
1.3最大额定值
中华人民共和国电子工业部1994-09-30发布A
1994-12-01实施
rrKAoNiKAca-
3DK205A
3DK205E
3DK205C
3DK205D
3DK205E
3DK205F
SDK20EG
SDK20SH
3DK2051
Pact l
T =25C
SJ50033/B—94
注：1）T≥25℃，接333mW>C的速率线性地弹额。1.4主要电特性（T=25℃）
极琅值
YeRGroVer.
Ie -- 1. 5A
Vee =3. cCV
fe -1. 5A
3DK205A~1红 15~25
2:--40
黄10~55
绿55~80
蓝85~-120
Ie = C. 15A
Ie =1. 54
IR = 5. 15A
Iw - —G. [5A
Vea =lov
f=3. 0MHz
55--175
Vew -10V |Vep —E5V
F-3 1MH.f, -0.7A
注：1）4m：≤40年档.其误差不超过一20%；1>40各档，其误差不超过±10%2 引用文
GB4587双极型晶体管测试方法
GB7581半导体分立器件外形尺寸GJB 33
半导体分立器件总规范
GJR.128半导体分立器件试验方法3要求
3.1详细要求
各顶要求应按GJB33和本规范的规。3.2设计、结构和外形尺寸
器件的没计、结构和外形尺寸应按CJB33和本规范的规定，3.2.1引出线材料和涂层
SJ 50033/8-94
引出线材料应为可伐，引出线表面应为锡层或锦层。对引出线淤层有恶择要求时，在合同或订货单凸应予规定。
3.3标志
器件的标志应按GJB33的规定。
4质量保证规定
4.1抽样和检验
：抽样和检验应按GJB33和本规范的舰定。4.2鉴定检验
鉴定检验应按 GJB 33 的现定。4.3筛选（仪对（+T和GCT级）
器件的筛选应按G33表2和本规范的规定，“列测试应按本规范表1的规定行，超过本规范表1规定极限值的器件应予剔除。筛
[见 GJ3 33 的表 2]
7.中间中参数测试
8.动率老化
9、最后观试
4.3.1功率老化条件
功率老化条件如下：
T, =162.5±12.5℃
VeE =25V
Pu 325W
4.4质量·致性检验
I uy 和hye1
见4. 3. 1
GT和GCT级
按本现范表1约A2分组：
Ice≤初好值的1CO%或00uA取较大AhEL≤始值的士20%
质量一致性检验应按GJB33的规定进行。4.4. 1 A 组检验
A组检验应按GJB33和本规范表1药规定行L.4.2B组检验
B组检验应按G[B33和本规范表2的规定进行。4.4.3C组检验bZxz.net
C 组检验应按 GJB 33栏本规范表3的规定进行。4-5检验方法
检验方法应按本规范相应的表和下列规定，4.5.1脉冲测试
脉冲测试应按（JB128的3.3.2.1的视定。TKAONKAca
SJ 5003378-94
热阻测试应按GB4587的.10和下列规定a
如功率时的1 =C.7A;
Vce =25V.
甚准温度测试点应为管壳；
基准点流度范患为25C≤T≤75C.实际温度应记录：安装应带散热装置：
f、Rm-的最大极限值应为3.0c/W4.5.3C组寿命试验
C组寿命试验成按 G[B 33和本规范的规定进行,4.5.4包定加速度
恒定如速度试验应按GJB33和本规范的划定进行。表 1 A组检验
检验或试验
A1分组
外规及机械检验
A2分组
案电极：发射圾
击穿电压
3DK2C5A
3DK265E
3DK2C5C
3DK2G51
3K2G5E
3D2C5F
3DK2156
3DK2G5H
3DK2C51
发射极·基极
击穿电压
电板一基极
截止电流
单电极·发射极
截止电流
发射极…基概
截止电流
集电极一发射极
饱邓电压
GJB 125
本规范
附录 A
2. 9. 2. 2
GB 4587
发射及一基极开路
I =5mA
集电设一基极开路，
I =ImA
发射极--基极开路：
Ves = Viko
发射设一基极于路;
Ve=→Ves
集巢电机-基极于路;
Vg= = 6V
Ie = 1. A
In =5.13A
盈验或试验
基吸-发射极
饱和电压
正而电流传输比
A3分岁
高游三作
集电极一基极
截电流
低工作
正向电流传输比
A4分组
输:电穿
导谨时间
忙存时间
降时间
A5分组
安全工作区
（直流）
试验2
试验！
3DK2C5C
SJ 50033/B—94
I - 1. 5A
It. =1. 5A
TA =125+5 C
发射极基极正路
Vtr 0. 7VcB?
T, ----5C
VcF ---5.V
fe =1. 5A
脉冲法（见4.5.1）
VeRleV
f-c. lMHz
Fe - 1. 5A
Ih --C. 15A
Irg = 0. 15A
Fr .. - 0. 15A
Tr =n. 15.1
12—.- 0. 15A
T:-25 C
t=.5单饮
+ Vet -- 15. 7V
I —3. 0A
Ver =36V
f: =1. 67A
1: -0. 57A
I =220ma
Vo cae:
F FTaS
最限循
TKAONKAca
检验或试验
SDK205E
3DK205F
SDK205C
SDK205H
DK2051
最后测试
检验或试验
31分组
标虑新久理
B2分组
热冲击(温度循环)
a.细检溺
h,粗检漏
最后测试
B3分组
稳态工作寿拿
最后谢该
B4分组
开幅内部巨检
(设核实）
键合强度
BG分组
高温考命(六性)
最后测试
SJ 50033/B—94
续表1
GB458Y
Ve110V
f -110mA
Ves 150V
I -E8mA
Vca =200V
I =32mr.A
Vt =250V
I =2imA
Veh—300y
fe—14mA
VeR = 350V
ic=15mA
见表4步1*3
表2B检验
CJB125
低温—55
其余条件见试验条件E
试验条件H
试验条作F
见表4步骤1租3
T. --162. 5+12. F C
Vee =25V
贝表4步2和4
试验条件A
TA =175 C
见变4步骤2和4
每推1个器件，
心失效
检验或试验
I分允
外形尺寸
2分组
热冲击
(玻璃力)
引州端强度
a、纪检漏
b、排检漏
综合温度/湿度周期
最后测试
3分组
变频拆动
正定加速度
最后测试
盐气(侵蚀）适月时）
（分组
意态工作寿命
最视试
e介组
集巾极
GN 4587
$.J 50033/894
表 3℃组捡验
GJE128
见图1
试验条件B
试验条件 A
试验条件日
试验条件F
见表4步骤1租3
按总范
按总规范
接总就范
Te-iccc
T =162, #±12. 5 C
VcE25V
见，表4步骤24
VeF-25V
Ir—0.7A
表 4 A 组,B组和 C 组最后测试验
坚极载止也
集电极·基极载小已流
GB#557
发射极·基极开路
1发射极型极于路
Voa=Yc
极限值
TKAONKAca
三症电流传输比
向电流传化
SJ50033/8—94
续表1
CE1557
7、-1.5A
注：）云测试超过4组投限值能器件不应接收。5交货准备
5.：包装县衣
包装要求应按GJH33药规是。
5.2购存要求
忙存要求应按33约规定。
5.3运输要求
运输要求应按GJR33的规定。
6说明事项
6.1合问或订货单可规定要求的引自线料动涂层（贴3.2.1)。6.2力使用单位需要时，典型择生曲线等可在合巨或订货单中规定。6.3直流安全工作区（见图2)。
初给省的
3DK205A
3DK205BH
3DK205C
3DK205
3DK205E
aDK205FE
3DK205G
3DK205H
3DK20SI!
SJ 50033/8—94
Te=25C
305080100200400
奥电被发射极电压Yr（V）
图23DK205直流安全工作区
rKAONiKAca-
A1目的
SJ50033/8—94
附录A
集电极一发射极击穿电压测试方法(补充件）
本测试的月的是为了在规定的条性下，确定晶体管的击穿电压是否大下短定的最低蛋限，42测试电路
电压源
注：在测试电流时，电流表的接头之间实际上可看应短路，或对电球表读数作厌电流表压降的控。图A1集电极发射极察电压测减电路A3测试步骤
限流电阻R，应足够人，以避免过渡的电流流过品体管和也流表。施加规定的偏置条件，增加电压直到规定的测试电流。如果在规定的测试电流下所如的电玉大丁VKiEs 的最低极限，晶体管为合格去测试方法企图表现品休管的负阻击穿特性，在这种情况下，必须使晶体管的集成电极也施及结温保持在安会值以内，
A4规定条件
环境溢度IA
测试温度le。
附加说明：
本规范土中国电子标化研究所口口。本规范由衡阳市晶体管厂负责起草。本规范士要起草人：夏贤学、欧阳联和计划项可代号：H991001,H30160210
YIKAONIKAca-
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半导体分立器件
3DK205.3DK206.3DK207
3DK208、3DK209、3DK210、
3DK305、3DK306.3DK307
3DK308型功率开关晶体管详细规范1994-09-30发布
1994-12-01实施
中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
3DK205型功率开关晶体管详细规范1范围
1.1主题内容
SJ 50033/8--94
本规范规定了3DK205A~-I型NPV硅功率开关品体管详细要求。每种器件均按GJB33≤半导本分立器件总规范约规定，提供产品保证的三个等级（GP.G1和GCT级）。1.2外形尺寸
外形尺寸应按GB7581半导体分立器件外形尺寸的B2－01C放如：规定（见图1）：一代导
1.3最大额定值
中华人民共和国电子工业部1994-09-30发布A
1994-12-01实施
rrKAoNiKAca-
3DK205A
3DK205E
3DK205C
3DK205D
3DK205E
3DK205F
SDK20EG
SDK20SH
3DK2051
Pact l
T =25C
SJ50033/B—94
注：1）T≥25℃，接333mW>C的速率线性地弹额。1.4主要电特性（T=25℃）
极琅值
YeRGroVer.
Ie -- 1. 5A
Vee =3. cCV
fe -1. 5A
3DK205A~1红 15~25
2:--40
黄10~55
绿55~80
蓝85~-120
Ie = C. 15A
Ie =1. 54
IR = 5. 15A
Iw - —G. [5A
Vea =lov
f=3. 0MHz
55--175
Vew -10V |Vep —E5V
F-3 1MH.f, -0.7A
注：1）4m：≤40年档.其误差不超过一20%；1>40各档，其误差不超过±10%2 引用文
GB4587双极型晶体管测试方法
GB7581半导体分立器件外形尺寸GJB 33
半导体分立器件总规范
GJR.128半导体分立器件试验方法3要求
3.1详细要求
各顶要求应按GJB33和本规范的规。3.2设计、结构和外形尺寸
器件的没计、结构和外形尺寸应按CJB33和本规范的规定，3.2.1引出线材料和涂层
SJ 50033/8-94
引出线材料应为可伐，引出线表面应为锡层或锦层。对引出线淤层有恶择要求时，在合同或订货单凸应予规定。
3.3标志
器件的标志应按GJB33的规定。
4质量保证规定
4.1抽样和检验
：抽样和检验应按GJB33和本规范的舰定。4.2鉴定检验
鉴定检验应按 GJB 33 的现定。4.3筛选（仪对（+T和GCT级）
器件的筛选应按G33表2和本规范的规定，“列测试应按本规范表1的规定行，超过本规范表1规定极限值的器件应予剔除。筛
[见 GJ3 33 的表 2]
7.中间中参数测试
8.动率老化
9、最后观试
4.3.1功率老化条件
功率老化条件如下：
T, =162.5±12.5℃
VeE =25V
Pu 325W
4.4质量·致性检验
I uy 和hye1
见4. 3. 1
GT和GCT级
按本现范表1约A2分组：
Ice≤初好值的1CO%或00uA取较大AhEL≤始值的士20%
质量一致性检验应按GJB33的规定进行。4.4. 1 A 组检验
A组检验应按GJB33和本规范表1药规定行L.4.2B组检验
B组检验应按G[B33和本规范表2的规定进行。4.4.3C组检验bZxz.net
C 组检验应按 GJB 33栏本规范表3的规定进行。4-5检验方法
检验方法应按本规范相应的表和下列规定，4.5.1脉冲测试
脉冲测试应按（JB128的3.3.2.1的视定。TKAONKAca
SJ 5003378-94
热阻测试应按GB4587的.10和下列规定a
如功率时的1 =C.7A;
Vce =25V.
甚准温度测试点应为管壳；
基准点流度范患为25C≤T≤75C.实际温度应记录：安装应带散热装置：
f、Rm-的最大极限值应为3.0c/W4.5.3C组寿命试验
C组寿命试验成按 G[B 33和本规范的规定进行,4.5.4包定加速度
恒定如速度试验应按GJB33和本规范的划定进行。表 1 A组检验
检验或试验
A1分组
外规及机械检验
A2分组
案电极：发射圾
击穿电压
3DK2C5A
3DK265E
3DK2C5C
3DK2G51
3K2G5E
3D2C5F
3DK2156
3DK2G5H
3DK2C51
发射极·基极
击穿电压
电板一基极
截止电流
单电极·发射极
截止电流
发射极…基概
截止电流
集电极一发射极
饱邓电压
GJB 125
本规范
附录 A
2. 9. 2. 2
GB 4587
发射及一基极开路
I =5mA
集电设一基极开路，
I =ImA
发射极--基极开路：
Ves = Viko
发射设一基极于路;
Ve=→Ves
集巢电机-基极于路;
Vg= = 6V
Ie = 1. A
In =5.13A
盈验或试验
基吸-发射极
饱和电压
正而电流传输比
A3分岁
高游三作
集电极一基极
截电流
低工作
正向电流传输比
A4分组
输:电穿
导谨时间
忙存时间
降时间
A5分组
安全工作区
（直流）
试验2
试验！
3DK2C5C
SJ 50033/B—94
I - 1. 5A
It. =1. 5A
TA =125+5 C
发射极基极正路
Vtr 0. 7VcB?
T, ----5C
VcF ---5.V
fe =1. 5A
脉冲法（见4.5.1）
VeRleV
f-c. lMHz
Fe - 1. 5A
Ih --C. 15A
Irg = 0. 15A
Fr .. - 0. 15A
Tr =n. 15.1
12—.- 0. 15A
T:-25 C
t=.5单饮
+ Vet -- 15. 7V
I —3. 0A
Ver =36V
f: =1. 67A
1: -0. 57A
I =220ma
Vo cae:
F FTaS
最限循
TKAONKAca
检验或试验
SDK205E
3DK205F
SDK205C
SDK205H
DK2051
最后测试
检验或试验
31分组
标虑新久理
B2分组
热冲击(温度循环)
a.细检溺
h,粗检漏
最后测试
B3分组
稳态工作寿拿
最后谢该
B4分组
开幅内部巨检
(设核实）
键合强度
BG分组
高温考命(六性)
最后测试
SJ 50033/B—94
续表1
GB458Y
Ve110V
f -110mA
Ves 150V
I -E8mA
Vca =200V
I =32mr.A
Vt =250V
I =2imA
Veh—300y
fe—14mA
VeR = 350V
ic=15mA
见表4步1*3
表2B检验
CJB125
低温—55
其余条件见试验条件E
试验条件H
试验条作F
见表4步骤1租3
T. --162. 5+12. F C
Vee =25V
贝表4步2和4
试验条件A
TA =175 C
见变4步骤2和4
每推1个器件，
心失效
检验或试验
I分允
外形尺寸
2分组
热冲击
(玻璃力)
引州端强度
a、纪检漏
b、排检漏
综合温度/湿度周期
最后测试
3分组
变频拆动
正定加速度
最后测试
盐气(侵蚀）适月时）
（分组
意态工作寿命
最视试
e介组
集巾极
GN 4587
$.J 50033/894
表 3℃组捡验
GJE128
见图1
试验条件B
试验条件 A
试验条件日
试验条件F
见表4步骤1租3
按总范
按总规范
接总就范
Te-iccc
T =162, #±12. 5 C
VcE25V
见，表4步骤24
VeF-25V
Ir—0.7A
表 4 A 组,B组和 C 组最后测试验
坚极载止也
集电极·基极载小已流
GB#557
发射极·基极开路
1发射极型极于路
Voa=Yc
极限值
TKAONKAca
三症电流传输比
向电流传化
SJ50033/8—94
续表1
CE1557
7、-1.5A
注：）云测试超过4组投限值能器件不应接收。5交货准备
5.：包装县衣
包装要求应按GJH33药规是。
5.2购存要求
忙存要求应按33约规定。
5.3运输要求
运输要求应按GJR33的规定。
6说明事项
6.1合问或订货单可规定要求的引自线料动涂层（贴3.2.1)。6.2力使用单位需要时，典型择生曲线等可在合巨或订货单中规定。6.3直流安全工作区（见图2)。
初给省的
3DK205A
3DK205BH
3DK205C
3DK205
3DK205E
aDK205FE
3DK205G
3DK205H
3DK20SI!
SJ 50033/8—94
Te=25C
305080100200400
奥电被发射极电压Yr（V）
图23DK205直流安全工作区
rKAONiKAca-
A1目的
SJ50033/8—94
附录A
集电极一发射极击穿电压测试方法(补充件）
本测试的月的是为了在规定的条性下，确定晶体管的击穿电压是否大下短定的最低蛋限，42测试电路
电压源
注：在测试电流时，电流表的接头之间实际上可看应短路，或对电球表读数作厌电流表压降的控。图A1集电极发射极察电压测减电路A3测试步骤
限流电阻R，应足够人，以避免过渡的电流流过品体管和也流表。施加规定的偏置条件，增加电压直到规定的测试电流。如果在规定的测试电流下所如的电玉大丁VKiEs 的最低极限，晶体管为合格去测试方法企图表现品休管的负阻击穿特性，在这种情况下，必须使晶体管的集成电极也施及结温保持在安会值以内，
A4规定条件
环境溢度IA
测试温度le。
附加说明：
本规范土中国电子标化研究所口口。本规范由衡阳市晶体管厂负责起草。本规范士要起草人：夏贤学、欧阳联和计划项可代号：H991001,H30160210
YIKAONIKAca-
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