SJ 50033.12-1994 半导体分立器件 3DK209型功率开关晶体管详细规范 SJ50033.12-1994 标准下载解压密码：www.bzxz.net

中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
3DK209型功率开关晶体管详细规范1范围
1.1主题内容
SJ 50033/1294
本规范规定F3DK209A--I型NPN硅功率开关晶体管的详细要求。每种器件均按GJB33&半导体分立器件总规范的规定，提供产品保证的一个等级（GP.GT和GCT级）1.2外形尺寸
外形尺寸网按GB7581半导体分立器件外形尺寸的B2一D1C型及下规定（见图1）：代号目
1.3最人额定值
中华人民共和国电子工业部1994-09-30发布2
B2-- 01C
1994-12-01实施
30K3584
3DK209B
3DK239D
3DK239E
3DK209F
3DK2GSG
3DK209H
3DK2091
To 25℃
SJ 50033/12—94
注：1)Te>25℃，按1338=W/C的返率线性地降额。生要电特性（T，25℃)
极限值
Vestet
VuEisen
Vut --5, 0V
3DK203A--1红 15--25
橙25~40
黄40~55
爆55~80
盛80~120
F --0. 75A
= 0. 75A
IF - — 0. 75A
Vee =lnV
r —1. 04
f -3. 0MHz
—55～175
Rthi-t
VcR =10V
- C. 1MHzVr -- 25V
注：1）h/≤40各档，其误差不超过±20岁，hm>40各搭，其误差不超过土1C%，2引用文件
GB4587双极型晶体管测试方法
GB7581半导体分器件外形尺专
GIB33半导体分文器件总规范
GJB128半导体分立器件试验方法3要求
3.1详细要求
各项萎求应按GJB33和本规范的规定。3.2设计、结构和处形尺小
器件的设计结构和外形尺应按GJB33和本规范的规定。3.2.1引出线材料和涂层
1. =2. 7A
TrKAONKAca-
SJ 50033/12—94
引出线材料应为前伐，引出线表面应为锡尝或镍层。对引出线除层有选择要求时，在合间或订货单中应予规定。
3.3标末
端件的标志应按GIB33的规定：
4质量保证规定
4.1拍样和检验
抽样和检验应按GJB33和本规范的规定。4.2鉴定检验
鉴定检验应按CJB 33的规定。
4.3筛选(仅对GT和GCT缴）
器件的筛选应按GJB33表2和本规范的规定。下列测试应按本规范表1的视定进行，超过本规范表1规定极限值的器件应予剔除。筋
（见CJB33的表2）
7.中间电参数测试
8.功率老化
9、殿后测试
4.3.1功率老化条件
动率老化条件如下：
T --162. 5.-12. 5'C
4.4质量一致性检验
Tegun 和 har
GT 和 GCT 级
按本规范表1的42分组
AICHun初始值的1CC%或250uA，敢较大者。≤初始值的=20%
质量一致性检验应按GJB33的规定进行，4. 4. 1 A 组捡验
A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行，4.4.2B组检验
B组检验应按GJB83和本视范表2的规定进行。4.4. 3C组检验
C组检验应按GJB 33和本规范表3的规定进行。4.5检验方法
检验方法应按本规范相应的表和下列规定，4.5.1脉注测试
脉冲测试立按GJB128的3.8.2.1的规定。4.5.2热阻
S.I50033/12—94
热再测试应按GB 4587的2.10和下列规定。却功率时的 I - 2. 7A ,
Vcc =25V;
基准温度测试点应为管壳；
d.基准点温度范为25℃Cf。RtL-的晟大极采值应为0.75℃/W。4. 5. 3C 组寿命试验
C组荐命试验应按GJB33和本规范的规定进行。4.5.4恒定加速度
恒定加速度试验应按GB33和本规范的规定进行表 1 A组检验
检验或试验
A1分组
外谢及刘械抢验
A2分组
集电极一发射极
新穿邦玉
SDR209A
EDK209B
3DK29C
31K209F
3DK209G
3DK209H
3DK209T
发射极一基板
齿穿电玉
集电极一基极
截止电流
集电极基圾
截止电流
发射极一基短
截止电流
美电极·-苯极
塑和电压
GJB128www.bzxz.net
这斑范
附录A
2. 9. 2. 2
GB4587
发射极基极开路
Ic = 5mA
集电极一基极π路;
I =5mA
发射极一基极开路；
Va = Ven
发射极基极开路;
集电极一基极开路：
VEB=6V
Ic — 7. 5A
YHRP)EBU
VeE(sm
极限假
TTKAONKAca-
检粒或试验
基概一发射极
钩和压
正向电流传输比
A3分组
商温工作
集电一基盈
截止电流
低溢工作
正向电流传输比
A4分组
输出电容
等迹时间
贮存时间
了降时间
A5分维
全工作区
（盛流）
试验1
试验2
试照3
3DK209B--1
试验1
SDK209C
SJ 50833/12--94
续表1
GB 587
Ie = 7. 54
Iu = 0. 75.4
VcE - 5. oV
Ic =7. RA
T, 125±5
发射极一基报开路
Vc: =0. 7Vck>
Ta= 55
Vce =: 5. 0V
脉和法(反,4, 5, 1)
Va =1nV
Ig 0. 75A
[ 产—0. 75A
Ta =0. 75A
1——0.75A
TeI =0. 75A
Iμ ——0.75A
Tr. - 25 C
1 = 16 ,单欧
Vrk -- 13. 3V
Fe =15A
VtE =30V
Vce -50V
Ve: =80V
le=497mA
VeEtuts
极限值
捡验或试验
SDK209D
3DK209E
SDK209F
SDK200G
3DK2UYH
3DK2091
最店测试
检验或试验
B1分组
可焊性
标志耐久性
B2分组
热润击（温度循环）
a、细检满
b、粗检漏
晟庐測试
B3分组
稳态工作寿命
最后测试
B4分组
六忆内部目检
（设计核读）
键含强度
高爆寿命（不工作）
最后渊试
SJ 50033/12—94
续表1
GH4587
Vce =11oV
t=214mA
Vcz =150V
Ie =94mA
Vez -200V
c =44mA
Vce -250V
I --24mA
Ver 300V
Ie =mA
Vee=350V
Ie-1GaA
死表4步乐1和5
LTPD！符
表 2 B组检验
GJB128
低湿—55℃
其余条件见试验条件 F
试验条件H
试验条件 F
见表步乐13
T+ =162. 5.1 12. 3 C
Vce == 25V
贝表4步骤2和4
试验茶伴 A
TA175 C
见表步骤2和4
每批1个器件，
0失效
20(c0)
TTKAONKACa-
检验或试验
C1分组
外形尺寸
C2分组
热冲击
(玻璃应力）
引出端强度
a、细检祸
b.粗检漏
综合温度/湿度周期
最后测试
C3分组
变凝振动
恒定加速度
最后测试
C4分组
盐气(侵蚀）(适用时）
C6分组
稳态工作寿卸
最后测试
C8分组
GB4587
SJ 50033/12--94
表 3C组检验
见图！
试验条件 B
试验条件 A
试验条件H
试验条件F
无表4步骤1和5
按总规范
按总规范
教总规范
Te=100C
T,=162. 5±12. 3℃
Vce25V
Pri=100w
见表4步骤2和4
Vce25V
表4A组,B组和C组最后测试
集电极一基报载止电流
第电极基极截止电流
GB4587
发射极一基极开路
VeR-Vc30
发射极基极开路
Vcn-Vcir
极限值
极限值
正向电流传输比
4正海出得输出
SJ 50033/1294
CR4587
Ver = 5. 0V
Vce 5. 0v
，1）本测讼据位A汇极限值的器准不应接改。5交货准备
5.1包装要求
起装要求应按GJB33的规定：
5.2贮存要求
存需求应按GJB33的规定。
3.3运翰娱求
运输要求应按GJB33的规定。
6说明事项
6.1合同或订货单可规定要求的引出线材料和涂层（见3.2.1)。6.2如使用单位需要时，典型特性曲线等可在合同或订货单中规定6.3直流安全工作区（元图2)。
初婚值的
TTKAONKAca-
3DK209A9
3:0DK20
3DK209D7
EDK209E
3DK209F
-3DK205G
3DK209H
3DK2091
SJ50033/1294
Te 25C
305080100200100
集电极—-发射极电压Vk（V）
图23DK209直流安全工作区
A1目的
8J50033/1294
附录A
集电极一发射极击穿电压测试方法（补充件）
本测试的月的是为了在规定的条下，确定晶体管的击穿也压是否大于规定的最低极限。A2测试电路
电后源
注：在测试电流时，电流表的接头之间实际上可署或短路，或对电压表读数作因电流表压降的校正，图A1集电圾一发射板士穿电压测试电路43测试步骤
限流电阻R，应足够大，以避免过渡的电流流过晶本管和电流表。施规定的偏置条件，增加电压直到规定的测试电流。如果在规定的测试流下所加的电压大于Vr9RCEo的最低极限，晶体管为合格，本测试方法企图表现晶体管的负阻击穿特性，在这种情况下，必须使就计营的集成电极电流及结温保持在安全值以内。
A4规定条件
环境温度TA1
测试温度 Ic c
附加说明：
本规范由中国电子标准化研究所归口。本规范主衡阳市晶体管厂负责起草。本规范主要起草人：夏贤学欧阳映和计划项代号，H901002、H90100210
TrKAONiKAca-
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