SJ 50033.15-1994
基本信息
标准号： SJ 50033.15-1994
中文名称：3DK306型功率开关晶体管详细规范
标准类别：电子行业标准(SJ)
标准状态：现行
出版语种：简体中文
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标准分类号
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出版信息
相关单位信息
标准简介
SJ 50033.15-1994 半导体分立器件 3DK306型功率开关晶体管详细规范
SJ50033.15-1994
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标准内容
中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
3DK306型功率开关晶体管详细规范1范围
1.1土题内容
SJ50033/1594
本规范规定了3DK30SA～G型NPN硅动率开关品体管的详细要求。每种器件均按GJB 33半导体分立器件总规范的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT和GC级）。1.2外形尺寸
外形尺寸应按GB7581&率导体分立器件外形尺寸》的B2—01C型及妖下规定（见图1)：代号
中华人民共和国电子工业部1994-09-30发布符号
B2-uIC
1994-12-01实施
1.3最大额定值
3DK306A
3DK308B
3DKSCGC
3DKECGF
3DK30rC
Tc -25'℃
SJ 50033/15--94
注：1）Zt>25C时，按500mW/C拍速率线性域降额。1.4
主要电特性（T
—25()
极限道
Vee lrV
3DK3C6A~G 棕 7~15
红15~25
橙 25~40
黄43~55
绿 55--80
VnE tan
Tc =1. 5A
Ih = 0. 5A
Fee =10V
f=3. 0MHa
-55~175
Rhj-e1
Veh 1nv
f m 0. 1MHz Vec = 25V
注：1）h：≤4C各档，其误差不超过±20%，>40各档.其误差不超过士10%。2引用文件
GB4587双极型晶体管测试方法
GB7581半导分立器件外形尺小
GJR 33
半导体分立器件总规范
GJB128半导体分立器件试验方法3要求
3.1评细要求
各项要求应按GB33和本规范的规定。3.2设计、结构和外形尺寸
器件的设计，结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。2
-rKAONKAca-
3.2.1引出线材料和涂层
SJ 50033/15—94
引出线材料应为证，引启线表面应为层或锲层。双叫出线徐层在选择要求时，在台间或货单中应予规定。
3.3标志
器件的志应按GJB33的规定。
质整保证规定
4.1抽伴和检验
抽祥和检验应按GIB 33和太规范的规定。4.2鉴定检验
鉴定检验应安GJB33的规定。
4.3筛选(对GT和GCT级)
器件的筛选应按GJB33表2和本规范的规定。一列测试应按本规范表1的规定进行，超过本规范表1规定极限值的器牛应了剔除。缔
元CJB33的表2）
7、中间电参数测式
8、动率老化
9、最启涎试
4. 3. 1 功率老化条件
功率老化条件如下：
T, = 162. 6:+ 12. 5 (:
Vue -25V
Pu 237. 5w
4.4质量一致性检验
IcaOi和AFEL
CTT级
按本规范表1放A2价组：
3初始值的00%或10A.取效大者
MR≤始值的+25%
质坚一致性检验应按GJB33药规定述行。4. 4. 1 A 组检验
A维签验应按GIB和本翘范表1的规定进4.4.2B组检验
B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行。4. 4.3 C 红检验
C纠检验应按GJB33和本规范丧3的规定进行，4.5检验片法
整验方法应接态规范拍应仿表和一列观定。4.5.1脉冲测试
$J 50033/15-94
脉冲试,应按GJR 128约3. 3. 2. 1的规定4.5.2热阻
热阻测试应按（R4587的2.10和下列规定a.加功率时的1—1.0A；
Vce --25Vt
基祥温度测减点应为管壳；
基准点温衰范围为25CTc75℃，实际温度应记录：d.
安装应带散热装置；
「.Rtni 的最大极限值应为2. 0C/W。4.5.3C组寿命试验
C组寿命试验应要GJB33和本规范的规定进行。4.5.4恒定加速度
柜定加速度试验应按GJB3知本规范的规定进行。表1A组检验
验或试验
A1分组
外观及机滤检验
A2分组
集电极一发射极
击穿电压
3DK306A
3DK306B
3DK306C
3DK306D
3DK306E
3K306F
发射极一基极
法穿电玉
集电极一基极
截止电流
集电极一发射极
藏止电流
发射拯：基枢
戴止电流
集中极一发射极
他和电压
GJB128
时录A
2. 9. 2. 2
GL-4587
发射极一基极开路
Ie =3ma
集电极杰授开路：
Ie=ImA
发射极一基极开路：
Vea=VcR
发射极一基极开路;
集电极--基极开路：
Vrn = 6V
Ir. - 1. 5A
Ih —0. 3A
I,TP :等
VaREXU
毅限循
TTKAONKAca-
验或试骑
基极一发素设
恼和电压
正向电流传输比
A3分组
高漏工作
截止电流
低温工作
正向电流传输比
A4分组
输出电容
导通时间
忙存时间
下陷时间
A5分组
安全工作区
（直流）
试验1
试验2
试验3
试验1
3DK3CGA
SJ 5C033/15—94
续表1
GR 4587
Ih - 0.3A
VeR =lOV
I~—1.5A
发射极基极开路
Vc =心. VcEn
TA—-55 C
Vee 1oV
Je = I. 5A
录冲运(见4.5. 1)
VaR-10V
fe =1. 54
Is:—C. 3A
I 2 ---G. 5A
Ie =1. 5A
Iμ1 == 0. 3.4
Ing = -- G. 54
fur 5.3A
I --5. 5A
Te 25℃
t=1s,羊次
Vre -20V
2e—3.754
VcE =25V
VcE =60V
Va =400V
VnEct)
撤验或试验
3DK306B
3nk306C
3DK3C6E
3LKSC6F
晟后测试
检验或试验
31分组
可损性
标然谢久生
B2分组
热冶击:溢度循环)
，细检漏
最后洲试
3分组
稳态工作寿市
晟片测读
B4分组
并啃内部日检
设计孩安）
链会强度
B6分组
商温寿(不作)
最丘测试
SJ 5C033/1594
G 4587
Vu—450V
= 26nA
Va -- 50ov
I =22rnA
V-550V
1. -: 19mA
I: - 12m.4
Ve: =sn.V
I =10mA
见表4步骤1和3
表2B组愉验
GJR 128
低温55℃
其余条作死试验条件 F
试验茶件只
试验祭件？
见表步骤1和3
T -162.5=:2. # C
VeE25V
Pe: 237. sW
元表4步2利4
试验条件A
T#15 C
见丧1步骤名利1
每批1^器件，
c头效
20(c-0)
TTKAONKACa-
检验或试验
C1分组
外形尺寸
C2分组
热冲击
（璃版）
s端逆度
a.缅检補
b,粗捡漏
综合盘度/显度周期
最后测试
C3分组bzxz.net
变断据动
慎定们速旁
最后测试·
C4分组
气(侵蚀适用时)
L6分红
稳在工作寿命
最后测试
C8分组
GB 4587
SJ50033/1594
表3C组检验
GJB128
识验条牛B
试捡务件人
试验条件H
试验条件F
见表4元13
按总现范
接总规范
总规范
T=162.5=12.5r
T,=lroc
Ver-25V
P.n.-37. 5W
几表4步骤2和
Ve=21V
表4A组.B组和C最后测试
集气设-—基极徽电流
集极--基极截止电流
GB4587
发汞效基极大路
Veit -Veen
发吸基极示路
Ven-Veio
极装值
上向电流传输比
正向电流传输比
SJ50033/15—94
续表4
GR 45R7
4e—1.5A
V-—1eV
注：1）本测试超过A极限值的器件不应按收。5交货准备
5.1包装要求
包装要求应效G.TB33的规定，
5.7存要求
存要义应按GB33的规定，
5.3运输要求，
运输要这险按GIB 38的规定，
6说明事项
6.1合或订货单可规定要求的引出线利料和涂层（见3.2.1)6.2如使月单位需要时，共型特性曲线等可在合同或订货单.中规定，6.3直流安全工作区（见图2)。
初始值的
TKAONKAca
3DK306A
31K306E
3DK306C
33K356
3DK306E
3DK306F
23DR306G.
SJ 50033/15—94
2 --25
3050B0100200400
集电极发射极电压 Vcr (V)
图23TK30%直流安全T作区
41目的
SJ 50033/15—94
附录A
集电极一发射极击穿电压测试方法（补充件）
本测试的目的是为了在规定的条件下，确定晶体管的击穿电压是瓷大丁规定的最低极限。A2测试电路
电压源
注：在溉试电流时，电流表的接头之闻实际1可看成短路，或对电压表读数准因电流表压降的校正。图A1集电极一发射极击穿电压测试电路A3测试步骤
限流电阻R，应足够尺，以避免过渡内电流流过品体管和电流表：施加规定的偏置条件，增加电压直到规定的测试电流。如果在规定的测试电流下所如的电压大于V(uRC的最低极限，晶体管为合格云测试方法企表现品体管的负医击穿特性，色这种情况下，必须侵晶管的集成自极电流及结温保持在安全值以内。
A4规定杂件
，坏境温度T
b.测试温度I.。
附加说明：
本规范自中国电子标准化研究所尼口。本规范由衡阳市晶体管！负资起草，本规范主要起草人：夏贤学、欧阳映和计划项目代号：H901001,H901002- 10-
TKAoNKAca
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3DK306型功率开关晶体管详细规范1范围
1.1土题内容
SJ50033/1594
本规范规定了3DK30SA～G型NPN硅动率开关品体管的详细要求。每种器件均按GJB 33半导体分立器件总规范的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT和GC级）。1.2外形尺寸
外形尺寸应按GB7581&率导体分立器件外形尺寸》的B2—01C型及妖下规定（见图1)：代号
中华人民共和国电子工业部1994-09-30发布符号
B2-uIC
1994-12-01实施
1.3最大额定值
3DK306A
3DK308B
3DKSCGC
3DKECGF
3DK30rC
Tc -25'℃
SJ 50033/15--94
注：1）Zt>25C时，按500mW/C拍速率线性域降额。1.4
主要电特性（T
—25()
极限道
Vee lrV
3DK3C6A~G 棕 7~15
红15~25
橙 25~40
黄43~55
绿 55--80
VnE tan
Tc =1. 5A
Ih = 0. 5A
Fee =10V
f=3. 0MHa
-55~175
Rhj-e1
Veh 1nv
f m 0. 1MHz Vec = 25V
注：1）h：≤4C各档，其误差不超过±20%，>40各档.其误差不超过士10%。2引用文件
GB4587双极型晶体管测试方法
GB7581半导分立器件外形尺小
GJR 33
半导体分立器件总规范
GJB128半导体分立器件试验方法3要求
3.1评细要求
各项要求应按GB33和本规范的规定。3.2设计、结构和外形尺寸
器件的设计，结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。2
-rKAONKAca-
3.2.1引出线材料和涂层
SJ 50033/15—94
引出线材料应为证，引启线表面应为层或锲层。双叫出线徐层在选择要求时，在台间或货单中应予规定。
3.3标志
器件的志应按GJB33的规定。
质整保证规定
4.1抽伴和检验
抽祥和检验应按GIB 33和太规范的规定。4.2鉴定检验
鉴定检验应安GJB33的规定。
4.3筛选(对GT和GCT级)
器件的筛选应按GJB33表2和本规范的规定。一列测试应按本规范表1的规定进行，超过本规范表1规定极限值的器牛应了剔除。缔
元CJB33的表2）
7、中间电参数测式
8、动率老化
9、最启涎试
4. 3. 1 功率老化条件
功率老化条件如下：
T, = 162. 6:+ 12. 5 (:
Vue -25V
Pu 237. 5w
4.4质量一致性检验
IcaOi和AFEL
CTT级
按本规范表1放A2价组：
3初始值的00%或10A.取效大者
MR≤始值的+25%
质坚一致性检验应按GJB33药规定述行。4. 4. 1 A 组检验
A维签验应按GIB和本翘范表1的规定进4.4.2B组检验
B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行。4. 4.3 C 红检验
C纠检验应按GJB33和本规范丧3的规定进行，4.5检验片法
整验方法应接态规范拍应仿表和一列观定。4.5.1脉冲测试
$J 50033/15-94
脉冲试,应按GJR 128约3. 3. 2. 1的规定4.5.2热阻
热阻测试应按（R4587的2.10和下列规定a.加功率时的1—1.0A；
Vce --25Vt
基祥温度测减点应为管壳；
基准点温衰范围为25CTc75℃，实际温度应记录：d.
安装应带散热装置；
「.Rtni 的最大极限值应为2. 0C/W。4.5.3C组寿命试验
C组寿命试验应要GJB33和本规范的规定进行。4.5.4恒定加速度
柜定加速度试验应按GJB3知本规范的规定进行。表1A组检验
验或试验
A1分组
外观及机滤检验
A2分组
集电极一发射极
击穿电压
3DK306A
3DK306B
3DK306C
3DK306D
3DK306E
3K306F
发射极一基极
法穿电玉
集电极一基极
截止电流
集电极一发射极
藏止电流
发射拯：基枢
戴止电流
集中极一发射极
他和电压
GJB128
时录A
2. 9. 2. 2
GL-4587
发射极一基极开路
Ie =3ma
集电极杰授开路：
Ie=ImA
发射极一基极开路：
Vea=VcR
发射极一基极开路;
集电极--基极开路：
Vrn = 6V
Ir. - 1. 5A
Ih —0. 3A
I,TP :等
VaREXU
毅限循
TTKAONKAca-
验或试骑
基极一发素设
恼和电压
正向电流传输比
A3分组
高漏工作
截止电流
低温工作
正向电流传输比
A4分组
输出电容
导通时间
忙存时间
下陷时间
A5分组
安全工作区
（直流）
试验1
试验2
试验3
试验1
3DK3CGA
SJ 5C033/15—94
续表1
GR 4587
Ih - 0.3A
VeR =lOV
I~—1.5A
发射极基极开路
Vc =心. VcEn
TA—-55 C
Vee 1oV
Je = I. 5A
录冲运(见4.5. 1)
VaR-10V
fe =1. 54
Is:—C. 3A
I 2 ---G. 5A
Ie =1. 5A
Iμ1 == 0. 3.4
Ing = -- G. 54
fur 5.3A
I --5. 5A
Te 25℃
t=1s,羊次
Vre -20V
2e—3.754
VcE =25V
VcE =60V
Va =400V
VnEct)
撤验或试验
3DK306B
3nk306C
3DK3C6E
3LKSC6F
晟后测试
检验或试验
31分组
可损性
标然谢久生
B2分组
热冶击:溢度循环)
，细检漏
最后洲试
3分组
稳态工作寿市
晟片测读
B4分组
并啃内部日检
设计孩安）
链会强度
B6分组
商温寿(不作)
最丘测试
SJ 5C033/1594
G 4587
Vu—450V
= 26nA
Va -- 50ov
I =22rnA
V-550V
1. -: 19mA
I: - 12m.4
Ve: =sn.V
I =10mA
见表4步骤1和3
表2B组愉验
GJR 128
低温55℃
其余条作死试验条件 F
试验茶件只
试验祭件？
见表步骤1和3
T -162.5=:2. # C
VeE25V
Pe: 237. sW
元表4步2利4
试验条件A
T#15 C
见丧1步骤名利1
每批1^器件，
c头效
20(c-0)
TTKAONKACa-
检验或试验
C1分组
外形尺寸
C2分组
热冲击
（璃版）
s端逆度
a.缅检補
b,粗捡漏
综合盘度/显度周期
最后测试
C3分组bzxz.net
变断据动
慎定们速旁
最后测试·
C4分组
气(侵蚀适用时)
L6分红
稳在工作寿命
最后测试
C8分组
GB 4587
SJ50033/1594
表3C组检验
GJB128
识验条牛B
试捡务件人
试验条件H
试验条件F
见表4元13
按总现范
接总规范
总规范
T=162.5=12.5r
T,=lroc
Ver-25V
P.n.-37. 5W
几表4步骤2和
Ve=21V
表4A组.B组和C最后测试
集气设-—基极徽电流
集极--基极截止电流
GB4587
发汞效基极大路
Veit -Veen
发吸基极示路
Ven-Veio
极装值
上向电流传输比
正向电流传输比
SJ50033/15—94
续表4
GR 45R7
4e—1.5A
V-—1eV
注：1）本测试超过A极限值的器件不应按收。5交货准备
5.1包装要求
包装要求应效G.TB33的规定，
5.7存要求
存要义应按GB33的规定，
5.3运输要求，
运输要这险按GIB 38的规定，
6说明事项
6.1合或订货单可规定要求的引出线利料和涂层（见3.2.1)6.2如使月单位需要时，共型特性曲线等可在合同或订货单.中规定，6.3直流安全工作区（见图2)。
初始值的
TKAONKAca
3DK306A
31K306E
3DK306C
33K356
3DK306E
3DK306F
23DR306G.
SJ 50033/15—94
2 --25
3050B0100200400
集电极发射极电压 Vcr (V)
图23TK30%直流安全T作区
41目的
SJ 50033/15—94
附录A
集电极一发射极击穿电压测试方法（补充件）
本测试的目的是为了在规定的条件下，确定晶体管的击穿电压是瓷大丁规定的最低极限。A2测试电路
电压源
注：在溉试电流时，电流表的接头之闻实际1可看成短路，或对电压表读数准因电流表压降的校正。图A1集电极一发射极击穿电压测试电路A3测试步骤
限流电阻R，应足够尺，以避免过渡内电流流过品体管和电流表：施加规定的偏置条件，增加电压直到规定的测试电流。如果在规定的测试电流下所如的电压大于V(uRC的最低极限，晶体管为合格云测试方法企表现品体管的负医击穿特性，色这种情况下，必须侵晶管的集成自极电流及结温保持在安全值以内。
A4规定杂件
，坏境温度T
b.测试温度I.。
附加说明：
本规范自中国电子标准化研究所尼口。本规范由衡阳市晶体管！负资起草，本规范主要起草人：夏贤学、欧阳映和计划项目代号：H901001,H901002- 10-
TKAoNKAca
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