首页 > 电子行业标准(SJ) > SJ 50033.24-1994 半导体分立器件 3DK310型功率开关晶体管详细规范
SJ 50033.24-1994

基本信息

标准号: SJ 50033.24-1994

中文名称:半导体分立器件 3DK310型功率开关晶体管详细规范

标准类别:电子行业标准(SJ)

标准状态:现行

出版语种:简体中文

下载格式:.rar .pdf

下载大小:138917

相关标签: 半导体 分立 器件 功率 开关 晶体管 详细 规范

标准分类号

关联标准

出版信息

相关单位信息

标准简介

SJ 50033.24-1994 半导体分立器件 3DK310型功率开关晶体管详细规范 SJ50033.24-1994 标准下载解压密码:www.bzxz.net

标准图片预览






标准内容

中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
3DK310型功率开关晶体管详细规范1范围
1.1主题内容
S3 50033/2494
本规范规定了3DK310A~G型NPN硅功率开关晶体管的详细婴求。每种器件均按GJB3B平导体分立器件总规范的规定,提供产品保证的三个等级(GP,GT和GCT级)1.2外形尺寸
外形尺计应按GB7581半导体分立器件处形尺寸2的B2一01C或B2一01D基及射一规(见图1):
中华人民共和国电子工业部1994-09-30发布2
R2—C1C
mix minnomjmax
e32915
30.4042.7
16, 89
1994-12-01实施
1.3最人额定值
3DK31A
3DK3:0B
EDK310D
SDK310E
2DK310G
Te—5C
SJ50033/24—94
注:1)Tc>25C,按2C00mW/C的速率线生地降额。1.4主要电特性(Ta=25 C)
梦 25 ~~ 40
黄40~-55
绿 55--80
Vee =lav
fe - 7. 5A
禁 7~15
3DK310A-~G红 15~25
Ic =7. 5A
13 =1. 5A
1 = -- 2. 5A
Ve:=10V
I. =2. 0A
-55~175
Vcn =lUV
Vu -25V
F=3. 0MHz - (0. 1MHz 4. 0A(Mz)
往:1)E140各偿,其误差不超过士20%;hr1>各当其误差不超选土10折2引用文件
双极型晶体管测试方法
GB4587
GB 7581
GJB 33
半导体分立器件外形尺寸
半导体分立器件总规范
GJB128半导体分立器件试验方法3要求
3.1详细要求
各项要求应按GJB 33和本规范的规定。3.2设让、结构和外形尺寸
器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。3.2.1引出线材料和涂层
TrKAONKAca-
SJ 50033/24—94
引出线材料应为可伐,引出线表面应为锡暑或镍层,对引出线涂层有选择要求时,在合同毁订货单中应予规定。
3.3标恶
器件的标志应按G,B33的规定
4质量保证规定
4.1抽样和检验
拍杆和检验应按(iJH 33 和本规范的规定,4.2鉴定检验
鉴定检验应按GJR33的规定
4. 3筛选(仅对 GT 和 GCT级)
器件的筛选应按GIB 33表2 租本规范的规定,下列測试应按本规克表1 的规定进行,超过本规范表1规定极限值的器件应予别除筛
(见 GJ13 33的表 2)
7,中可二参数测试
8、功率老化
9、最后测试
4.3.1功率老化条件
功率老化条件如下;
T162. 5±12. 5 C
VLE =25V
4.4质量--致性检验
I 和 FFi
GT和CCT级
按本规范表1的A2分组:
AFe剂始值的100%或35uuA,政较大者。BE1初始道的+25%
质熹一致性检验应按GJH33的规定进行。4.4. 1A 组检验
A组捡验应按GJB 38和本规范表1的规定进行4.4.2B组检验
B组验应按(JB53和本规范表2的规定进行4.4.3C组检验
组检验应接GIB 33和本规获表3的规定进行4.5检验方法
捡验方法应按本规范相应的表和下效规定。4.5.1脉冲测试
脉冲测试应按(JR128的3.3.2.2的规定。4.5.2热阻
SJ 50033/24--94
热阻测试应接GB 4587的2.10和下列规危。a.
加对率旺的1c=4.0A:
b. Vce =25V!
基准温度测试点应为管壳:
d,基准点温度范围为25℃≤T≤75℃,实际温度应记录安装应带散热装置:
t.Kms-的最人极限值应为o.5℃/W。4.5.3C组寿命试验
C组寿命试验应按GJB33和云规范的规定进行。4.5.4恒定加速度
忆定加速度试验应接GIB33和本规范的规定进行表 1 4 组检验
检验或试验
A1分组
外观及机械检验
A2分组
集电极一发身圾
击穿电压
3DK310A
3EK310B
3DK310C
3D310E
3DK310F
3DK51CG
发射极一基极
室穿电压
集电极一基极
截止电流
集电极一发射极
截止电流
发身极一基摄
截止电流
巢生没一发射慢
GiB 128
本规范
附录,A
G3 4587
发射极-基极开路
Te =5mA
集电极一基设开路:
Ic =5mA
发射极一基极开路:
Ver = Vcn
发射极一基极开路:
Ven Vero
集电钣一基极开路:
Vhe = aV
Te -- 7. 5A
LTPD符
.EFIEr
Vakero
VeRIor
极军值
TTKAONKAca-
捡教或试验
基极…发射圾
施和电压
正向电硫传辑书
A.3分组
高温工作
集电极一基极
截止电碗
低蕴工作
正向电流传控比
A4分组bzxZ.net
怖出电容
导通时间
跑存缺间
我陷时间
A5分组
安全工作区
(直流)
试验1
试验2
试验9
试验4
3DK31CA
SJ 50033/24—94
续表1
GB4587
+e = 7.5A
Te =1. 5A
Ver 10V
Ta =125±5 C
发射极一基极路
Vce =0. 7Vero
TA = -55 C
VeE=1nV
球冲法(见4.5.1)
Vep=10V
Ie =7. 5A
Iα 1.5A
Ir =—2.5A
I: = 7. 5A
Is - —2- 5A
I = - 2. 5A
Te=25c
t-18,单饮
Vee—20V
fe=154
Ver a 25V
ft =12A
Ver = 60V
VeE =200V
fc -41m4
衔号國
极限值
检验或试验
3DKSEB
3DK315C
IK315E
最后测试
验验甄试险
B1分组
可焊性
标志时久性
B2分组
热中击(温度循环)
a、细检激
b.粗检端
最后測试
B3分组
稳态二作寿雄
最后测试
B4分组
开耀内部目检
(设计核实)
键合强度
36分组
高虚苯命(不江性)
最后测试
SJ 50033/24—94
续表:
GB 486?
Ves -50v
L =32mA
V.. - 500V
Ic =26mA
Ve: =550V
Ir -22mA
Ve: =600V
Fe-18mA
Ve =700V
fc—13mA
Ve: =800v
I, =ImA
成表41和3
LTrD符
表2B维检验
GJR 128
低温s5C
其余条件玩试验条件F
试验条仰H
试验条件 F
见表4步骤1租3
T: 162. 5±12. 5 C
Vee —25
Par150W
见表4步骤和4
诚验条件 A
T:=175 C
见表4步骤2租4
极限值
每杜1个器件,
2(e= 0)
TTKAONKAca-
检验或试验
C1分组
外形尺业
C2分组
热冲击
(获璃应力)
引出端强度
a、纽检漏
七、检蒲
终合湿度/湿度周期
最后测试
C3分组
变频探动
恒定加速度
最后测试
C4分组
盐气(侵蚀)《适用时)
C6分组
稳态工作寿命
最后测试
ds分组
GB 4587
SJ 50033/24--94
表3(组检验
GJE128
见图1
试验条件B
试验条件 A
试验条件H
试验条件F
表北骤上和3
按总规芯
按总规范
按总规范
T = 162. 5±12. 5
Te=000
Ver =25V
1s—150W
见表4步骤2和4
Ve= 25V
Ic-- 4. JA
表4A组、B组和C组最后测试
集电极一基极裁上电流
集电极一基极截止电流
CB4587
发射梭一基被开路
Vca=Veah
发射极·基极开路
Ven Ves
极跟值
极限值
正向电流传输比
正向电流传比
SI 50033/24--94
续表4
CB4587
Vee =10V
Te = 7. 5A
Vce=10V
Ie = 7. 5A
注,1)本测试超过A组极限值的器件不应接收,5交货准备
5.1包装要求
包装要求应按JB33约规定。
5.2贮存要求
贮存要求应按JB 33的规定。
5.3运输要求
送输要求应按GJB 33的规定。
6说明事项
6.1合同或订货单可规定要求的引出线材料和涂层(见3.2.1),6.2如使用单位需要时,,典型特性曲线等可在合同或订货单中规定。6.3直流安全工作区(见图2)
初始值的
TKAONKAca
HDK310A
DK210B
3DKaOD
—红3
3DK310F
3DK310G1
SJ 50033/2494
Te = 25 ℃
3050B0100200#400
填电极一发射极电压aV)
图23DK310直流安全工作区
A1目的
SJ 50033/24-94
附录A
集电极一发射极击穿电压测试方法(补充件)
本测试的目的是为丁在规定的条传下,确定品体管的击穿电压是否大规定的最低极限,A2测试电路
屯压源
注:在测试电源时,电流表的接头之司实际上可看成短路,或对中压表读数作因电流表乐隧的控正。图A1集电极一发射极击穿电压测试电路A3 测试步骤
限流电阻R,应足够大,以避免过渡的电流流过晶体管和电流表,施加规定的偏置条件,增如电压直到规定的测试电流。如果在规定的测试电流下所加的电医大丁V(aR)CEo的最低极限,晶体管为合格。本测试方法企图表现晶体管的负阻击穿特性,在这种情沉下,必须使品体管的集成电极电流及结温保持在安全值以内。
A4规定件
环境温度TA;
b,测试蕴度T:。
附加说明:
本规范白中国电子标准化研究所归口,本规范白衡阳市晶体管厂负责起草。本规范主要起草人:夏贤学、欧阳映和计划项日代号:H901001H90100210
TKAoNiKAca
小提示:此标准内容仅展示完整标准里的部分截取内容,若需要完整标准请到上方自行免费下载完整标准文档。