SJ 50033.32-1994 半导体分立器件 3DK312型功率开关晶体管详细规范 SJ50033.32-1994 标准下载解压密码：www.bzxz.net

中华人民共和国电子行业军用标准FI,5961
SJ 50033/32 - 94
半导体分立器件
3DK312型功率开关晶体管
详细规范
Semiconductor discrete deviceDetail specification for type 3DK312 powerswitching transistor
1994-09-30发布
1994-12-01实施
中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件3DK312型功率
开关晶体管详细规范
Semiconductor discrete devlce Detallspecification for type sDk312 power swifching transistor1范圈
1.1主题内容　
$J50033/32--94
本规规定了3DK312型功率开关晶体管（以下简称器件）的详细要求。1.2适用范围
本规范适用于器件的研制、生产和采购。1.3分类
本规范根据器件质量保证等级进行分类1.3.1器件的等级
接GJB33（半导体分立器件总规范1.3条的规定，提供的质量保证等级为普军、特军和超特军三级，分别用字母GP、GT和GCT表示。2引用文件
GB4587-84双极型晶体管测试方法GB7581-87半导体分立器件外形尺寸GB11499-89半导体分立器件文字符号GIB33-85半导体分立器件总规范GJB128-86半导体分立器件试验方法3要求
3.1详细要求
各项要求应按GIB33和本规范的规定3.2设计、结构和外形尺寸
器件的设计、结构和外形尺寸应按GIB33和本规范的规定。3.2.1引出端材料和涂层
引出斓材料应为可伐。引出端表面应为镐层或镍层。3.2.2器件结构
采用二重扩散台面结构。
中华人民共和国电子工业部1994-09-30发布1994-12-01实施
-TrKAONiKAca-
3.2.3外形尺寸
SJ50033/32—94
外形尺寸应符合GB7581的B2一01C型及如下的规定（见图1)。代号
2一虹
3.3最大额定值和主要电特性
3.3.1最大额定值
3DK312
re=2st
图13DK312外形图
注：1)T。>25t时，按0.93W/C的速率线栏地降额。3.3.2 主要电特性(T =25C)
B2 - 01C
引出识期
1. 一-基极
2. -—--发射极
外壳集电极
- 55 ~175
55～175
3DK312
3DK312
3.4电测试要求
Vee= sv
最小值
SJ 50033/32--94
I=-[m-0.2A
最大馍
电测试应符合GB4587及本规范的规定。3.5标志
标志应符合GB33和本规范的规定。4质蛋保证规定
4.1 描样和检验
抽样和检验按GIB33的规定。
4.2鉴定检验
鉴定检验按 GJB 33 的规定。
4.3筛选（仅对GT和GCT级）
Vretst)
最大值
f-IMHz
Reki-e)
25CA5C
Var= lav
筛选应按GJB33表2和本规范的规定。其测试应接本规范表！的规定进行，超过本规范表1极限值的器件应于以别除。
（见GJB33的表2）
7.中间电参数测试
8.功率老化
9. 最后溉试
4.4质量致唑检验
IcER:和 hrE
T, = 162.5 ± 12.5r
P 7nW
VcE=50V
测试或试验
按本规范表1 A2分组
4crR1初始值的100%或50取较大者A≤刺始值的+20%
质量·致性检验应按GB33的规定：-rKAONKAca-
4.4.1A經检验
SJ 50033/32-94
4 组检验应按 GIB 33 和本规范表1的规定进行。4.4.2B组检验
B组检验应按 GIB 33和本规获表2 的规定进行。41.3C组检验
C组检验应按 GIB 33 和本规范表 3的规进行。4.5捡验方法
检验方法应按本规范相应的表和下研规定。4.5.1脉冲测试
感冲测试条件应按 GJB128的3.3.2.1的规定。表 1 A组检验
检验或试验
A1分组
外观及机械试验
32分组
染电圾一设射板击等电压
最电极一·发射极截止电流
正向电流传编比
渠电摄一发射极饱和电压
黏敏一发射极饱和玉
.43 分组
高温工作
集电极发射被裁止三流
低温工作
正可电流传鞍比
G:B128
本规范
GR4587
基板--发射极开
I= 5mtA
Ｒ = 1000
腺神法
(沈4.5.1)
脉冲法
（见4.5.1)
肽冲法(见4.5.1)
TA=125±3C
VrE-900V
1 R = 1000
T. - - SSC
VeE-SV免费标准bzxz.net
脉神冲齿(见 4.5.1)
LTFD符号
极限值
最小檀最大值
(a)ceb 900
检验或试验
A4分组
输出电容
开通时间
存储时间
下降时间
AS分组
安全工作区(直流)
试验！
试验2
试险3
最后测试
检验或试验
BE 分经
可焊性
标忘弱久性
R2分组
燃冲击
（温度循环）
a细检漏
b粗检漏
最后源试
秘志工作荐命
最启测试
SJ 50033/3294
GB4587
VcB = 10V, Ie - 0
J= 1MHz
Igt = - Je -0.2A
Im - Jm=0.2A
Jm -- Ir=0.2A
Te = 25℃
2= Is,单次
Vre= 28V
Ve100V
VcE= 900V
Te= 0. 02A
现表 4 步骤 1 和 3
表2B组检验
GJB128
试验条件 H
试验条件F
见裘4步骤1和3
T, - 162. 5 ± 12. 5r
Ve= 50V
见表 4 步 2 和 4
被限值
殿小面最大值
TKAONKAca
检验或试验
B4 分组
(仅对 GCT 级）
开帽内部目检
(设计核实）
键合强度
E6 分组
高溢寿命
(非工作状态)
最后滇试
跨验或试验
C1分组
外彬尺寸
2 分组
热冲去(玻璃应力)
引出强度
b粗检漏
综合温度/湿度质期试验
外观及机械检查
最后测试：
C3分组
变频据动
恒定加速度
最后测试
CA分组
(适用时)
盐气（侵蚀）
C6分组
稳态工作寿韵
最后测试
$J50033/3294
GJB128
试验条件 A
TA-175C
见表1步深2称4
表3C组检验
EJB 128
见图1
试骑条件B
试验条拌A
试验条计 H
坛验各件F
见表4步骤1和3
现表 4 步释 1 和 3
T,=162.5±12.5
正式4步睾?和4
每批一个器件，
20(C=0)
爱限值
殿小信最太值
协验或试验
C8 分组
GB4587
SJ 50033/32—94
GJB128
Ic =2A
Vce = 10v
25CTE75C
表4A、B和C组量后测试
GB4587
集电板-发射极截止电流
载电板一发射极敲止电流
正向电滑传输比
正海电流传换比
注：11本测试超过只组极限值的器件不应接收。5企货准
5.1包装要求
包装要求应按 GIR 33 的规定。5.2贮存要求
贮存要求应按GJR33的规定。
5.3运输要求
运输要求应按GI833的规定。
6说明事项
预建用途
V=900V
R- I0oa
V 000V
酸冲法
(见4.5 1)
Vct=5V
脉冲湛
极裂值
最小彼最大值
行会本规范的器件实学设备设计使用和现索的后勤保障用52订货资料
合同或订货单应规定下则内穿：规范的名称和编号：
极服值
最小值最大值
初娠值的
±25 %
TrKAONKAca-
等级（见1.3.1)；
数量：
d，需要时，其它要求。
SJ50033/3294
6.3对引出端材料和涂层有特殊要求时，应在合同或订货单中规定（现3.2.1)。6.4如需要时，典型特性油线等可在合同或订货单中规定。6.5直流安全工作区贝图2。
Te = 25C
图230K312直流安全工作区
Vea(v)
Al 目的
SJ 50033/32-94
附景A
集电极一发射极击穿电压测试方法(补充件）
本测试的目的是为了在规定条件下，确定晶体管的击穿电压是否大于规定的最低被限。A2测试电路
电压源
图A1集电极一发射极击穿电压测试电路注：在测试电流时，电流表的接头之间实际上可看或短路，或对电压表读数作固电流表压降的教正。A3测试步骤
限流电阻R1应足够大，以避免过度的电流流过晶体管和电流表。施加规定的偏置条件，增加电压直到规定的测试电流。如果在规定的测试电流下所加的电压大于VzR)CEn的最低极限，晶体管为合格。本测试力法企图表现晶体管的负阻击穿特性，在这种情况下，必须使晶体管的集电极及结温保持在安全值以内。
A4规定条件
环境温度TA；
测试电流Ico
附加说明：
本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由第八七七厂起草：
本规范主要起草人：王保桢、张滨、蔡仁明。计划项目代号：B11036
-rKAONKAca-
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