SJ 50033.34-1994 半导体分立器件 F1129型NPN硅功率达林顿晶体管详细规范 SJ50033.34-1994 标准下载解压密码：www.bzxz.net

中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
F1129型NPN硅功率达林顿晶体管详纽规范
Semfconductor diserete deviceDetail specification for type FH129 NPNsi Hicon power Darling tod transistor1范围
1.1主题内容
SI 50033/34 - 94
本规范规定了FH129型NPN硅功率达林顿晶体管（以下简称器件）的详细要求1.2适用范围
本规范适用于器件的研制、生产和采购。1.3分类
本规范根据器件质量保证等级进行分类。1.3.1 器件的等级
按GJB33(半导体分立器件总规范)1.3条规定，提供质量的保证等级为誉军、特军和超待军三级,分别用字母 GP、GT和 GCT表示。2 引用文性
GB4023-86半导体分立器件第2部分：整流二极管GB4587-84双极型晶体管测试方法GB7581-87半导体分立器件外形尺寸GJB33-85半导体分立器件总规范GJB128-86半导休分立器件试验方法3要求
3.1详细要求
各项要求应按GJB33和本规范的规定。3.2设计、结构和外形尺寸
器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。3.2.1引出端材料和涂层
引出端材料应为函伐。引山摘表面应为层或镍层。中华人民共和国电子工业部1994-09-.30发布1994-12-01实施
3.2.2器件结构
单片、三董扩散、台面结构。
3.2.3电原理图
电原理图应按图1上的规定。
3.2.4外形尺寸
SJ 50033/3494
外形尺寸应符合 GB 7581 中B2-01C塑的规定。见图2。3.3最大额定值和土要电特性（T。=25℃）3.3.1最人额定值
F1129A
F1129B
E1129C
F1129D
F1129E
F1129F
Te=25t
re - 2sr
注：1)当了c>25t时，按333mW/℃线性降额；2)当Tt>25C时，按1.5W/C线性降额。3.3.2主要电特性(T,=25U)
锻限值
Ye =sV
Vce-5V
Vee-5V
Ir:= 12A
fe-20A
Vce=sV
f=1kHz
-55 -· +175
Vee= sV
f- IMHz
fe= 12A
--55-+175
1c= 20UA
Ig= 2A
型号最小值最大值最小值最大间最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小尚最大值最小值最大值色标：
红500
黄1000
绿2000
TrKAONKAca-
极限值
VCE(xt)i
fe=12A
SJ50033/3494
VeE ars
fc=20A
Yeg Veec
Ver- 5V
Vca= 10V
100H1MHz
最小查最人值此
般小值最大值最小值最大值晟小佰最大面最小值最大面最小值最大2.0
极限值
R(ahj e
Ve = 10V
25Cs1ex75t
Vc=20V
fe=T0A
Vec=20V
fe - 10A
Ier=- - Ir
最大值最小值最大值最小值殿大值鼠小宣
3.4电测试要求
电测试应符合GB4023、GB4587皮本规范的规定3.5标志
标志应符合GJB33和本规范的规定。4质量保证规定
4.1抽样和检验
抛祥和检验应符合GJB33的规定。4.2监定检验
鉴定检验应符合 GJB 33 的规定。4.3筛选（仅对GT利GCT级）
Vec= 20V
Ic=10A
Im- - Ir
V,= 12A
最小值大值！最小值：最大值
筛选应按GJB33表2和本规范的规定，其测试应按木规范表1的规定进行，超过本规范表1极限值的器件应予剔除。
（见CIB33的表2)
7.中间参数试
8.功率老化
9。最后则域
4.4质量一致性检验
SJ 50033/34 -94
Fuexi和hrz
Te≤100r
Vce =40V
Pat100W
按本规范表【的A2分
GT 和 GCT 级
A1cExl=初始值的100%或100A,取较大者4h=初始值的20%
质量一致性检验应按GJB 33的规定。4.4.1 A组检验
A组检验应按 GIB 33 和本规范表1 的规定进行。4.4.2 B组检验
B组检验应按 GI3 33 和本规范表 2 的规定进行。4.4.3 C组检验
C组检验应按 GJ3 33 和本规范表 3 的规定进行。4.5扮验和试验方法
检验和试验方法应按本规范相应的表和列规定：4,5.1 脉冲测试
脉冲測试应按GIB128的3.3.2.1的规定表 1 A组检验
检验或试验
A1分组
外观及机械检验
A2分组
集电极一发射极击穿电压
F1129A
F1129B
F1129C
F1120D
F1129E
F1129F
染电极-基圾击穿电压
GB 128
本就范
CB4587
发射极一基极开路
附录 AJc= 5mA
2.9.2.1发射极一基极开路
f SmA
极限值
最小慎最大值
VRICao
TTKAONKAca-
检验或试验
F1129A
F1129B
F1129C
F1129D
F1129E
21129F
发过极一基极载让电流
集电投--基极载止电流
集电极一发射摄止电流
基极一发射极饱和电压
集电摄--发射披饱和电压
正向电流传输比的管态值
色标，
二极管正河电压
GB4023
SJ 50033/34 - 94
续表1
GB4587
集电极一基极开路
Ven -SV
集电极-基极开路
Vca Yca
发射极一基极反偏
Ve = Veen
脉冲法（见4.5.1)
Ie=20A
球冲法（见4.5.1)
fe= 6A
脉冲法(见4.5.1)
Te-12A
脉冲法（见4.5.1)
Ic 20A
脉冲法（见4.5.1）
Vee= 5V
脉冲祛（见4.5.1)
fe-12A
Yce= 5V
脉冲法（见4.5.1)
fe-20A
脉冲法[见4.5.1)
Je=t24
Vne me2
VeEsn)i
Vckratia
被限值
最小值最大值
检验或试验
A3分组
高温工作：
集电摄一发射截止电流
集电极一发射极饱和电压
低工作：
正向电流传输比的态宜
A4分组
小信号短路正可电流传
色标：
小信号短路正向电流传
输比娠谊
开路输出电容
开启时间
存储时间
下降时间
A5分组
安全工作区（直流）
SJ50033/3494
续表1
GB4587
TA-150C
发射极一基板反偏
Ver - Vrm?
te=12A
脉冲法(几4.5.1)
Ta--55t
Vee-5V
f心=12A
脉冲法(见4.5.1)
Vu:=5V
Vee-sv
于= 1MHz
附录A
Ycn=lov
100kSIMH
Vo=20V
附录 AVec-20V
阴录 A
Ie-10A
I - - Iμ2= 1A
Fe=LOA
Ir. - - 1- - IA
Te=2sc
=15单次
VeEt mis
最小值「最大值
TTKAONKAca-
扮险助试验
试验2
试验 3
FH129A
FH129B
FH129C
FH129D
FHI29F
FHI21F
最后测试
安全工作区
(除浒的）
试验1
试验 2
FHI29A
FH129B
FH129C
FHI29D
FH129F
最后淡试
SJ 50033/34 94
续衰1
GH4587
Ve:=11.25V
Te\20A
Ver-20V
Feu11.25A
Vre= 300V
fe=C.065A
Vee = 400V
Je=0.037A
Ve- 500v
Vee=600V
Ic= 0,017A
Vee= TUUV
Ic=0.0125A
VcE=800V
见表4步骤1和3
Jc=25V
= 1 rrus单次
Va:=&UV
fe = 10A
VcE - 300V
I, =1 75A
VeE= A00V
Vca= 500
VcR=600V
Vc =700 V
VeE - ROV
Ie= 0.48A
见表4步桑1和3
极限值
最小值wwW.bzxz.Net
最大值
拉验或试验
B1分组
可焊性
标志的耐久性
B2分组
热冲击(温度循环)
a.细检溺
b. 检漏
最后测试
B3 分组
稳态工作寿命
最后测试
B4 分组
并帽内部(设计核实)
键合强度
E6分组
高湿寿命（非工作状态）
最后试
检验或试验
CI分组
外形尺寸(除 BI 分组之外
的全部尺寸)
C2分组
热冲士(璃应力）
引出端强度
细检凝
SJ50033/34-94
表2B组检验
GJB128
T+= +175C T#- -$sC
试验条件H
试整条件F
见表4步骤1和3
Tes100c
VeE=40V
见表4步骤2和4
试验条件A,每个器件的全部引线都应受拉力
TA=175
见表 4 步聚 2 和 4
表 3C组检验
CJB128
(见图1)
试验条牛
试验条件A
时间=[55
试验条件 H
试验条件F
LTPD符
每批一个器件/0失效
20(C=U)
极限值
摄小值最大值
-rKAONKAca-
检验或试验
综合湿度/湿度周期试验
外观及机械检验最后测试
C3分组
变频振动
恒定加速度
最后测试
C4分组
（造用对
盐气(腐蚀)
C6 分组
稳态工作寿命
最后测试
C7 分组
SJ 60033/34 - 94
续表3
G:B128
见表 4 步骤 1 和 3
见表 4 步骤 1 和 3
1026 1 TL≤ 100C
Vee -- 40V
Pre100W
见表4步2和4
GB 4587 Vce=10V
25$Trs75r
LTPD符
表 4 A、B 和 C组最后测试
GB4587
集电极一发射极截止电疏 2.14
集电极一发新极藏止电流
正向电流传验比静态值
正间毛流值传输比变化盘
发射被一基被反偏
Vee\ -1.5V
Vcr= Veo
发射极-一基极反偏
Vre-Vii
Vte=sV
Ie--2A
脉冲松(见 4,5.1)
Vee= 5V
脉计法(见 4.5.1)
极限值
最小值最大個
极限摘
最小值
最小個
相当于朽始痘的
SJ 50033/34-94
性：1)本测试超过A组极限微的寒件不应接收。5交货准备
5.1包装要求
包装要求应按GJB33的规定。
5.2贮存要求
贮存要求应GJB33的规定。
5.3运输要求
运输要求应按GTB33的规定。
说明事项
6.1订货资料
合间或订货单位应规定下列内容：a.本规范的名称和编号；
。等级(见1,3.1)：
c、数量：
d。需要时,其他妻求。
6.2对引出端材料和涤层有特殊要求时，应在合同中规定（见3.2.1)。6.3如使用单位需要时，典型特注些线等可在合同或订货单中规定。6.4安全T作区见图3。
6.5功率减额曲线见图4。
图1原理图
TrKAONKAca-
SJ50033/34-94
图2外形图
E2-01C
出端识别
-—基极
2一发射极
外壳··巢毛极
SJ 50033/34 94
FH129F
FH:129D
.FH129c
FH129R
FH123A
集电极 -发射极电压 Yer( V)
图3安全工作区
二次击穿减额由线
密乓减如曲线
120L(亮量亡)175
图4功率减额曲线
TrKAONKAca-
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