SJ 50033.36-1994
基本信息
标准号： SJ 50033.36-1994
中文名称：半导体分立器件 3CD050型功率晶体管详细规范
标准类别：电子行业标准(SJ)
标准状态：现行
出版语种：简体中文
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标准分类号
关联标准
出版信息
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标准简介
SJ 50033.36-1994 半导体分立器件 3CD050型功率晶体管详细规范
SJ50033.36-1994
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标准内容
中华人民共和国电子行业军用标准FL5961
SJ 50033/36 -94
半导体分立器件
3CD050型功率晶体管
详细规范
Semiconductor discrete deviceDetail specification for
type 3CD050 power transistor1994-09-30 发布
1994-12-01实施
中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
3CD050型功率晶体管
详细规范
Semiconductor discrete deviceDetall specification for
type 3C050 power transistor
1范围
1.1主题内容
本规范规定了3CDO型功率晶体管（以下简称器件)的详细要求。1.2适用范匿
本规范适用于器牛的研制、生产和采哟。1.3分类
本规范根据器件质量保证等级进行分类，1.3.1器牛约等级
S.J 50033/36--94
按GJB33半导体分立器件总规范1.3条的规定，提供的质量保证等级为普军，特军和超特军三级:分别用字母 GP,GT 和 GCT 表示2引用文件
GB4587-84效极型晶体管测试方法GB7581-87半导体分立器件外形尺寸GJB 33---85
半导体分立器件总规范
GTB 128—86单导体分立器件试验与法3要求
3.1详细要求
各项要求应按GIB 33和本规范的规定，3.2设计结构和外形尺寸
器件的设比,结竭和外形尺寸应按GJB 33和本规范的规定。3.2.1引出端材料和涂层
引出端材料庭为可伐，引出端表面应为锡层或镍层。中华人民共和国电子工业部1994-09-30发布1994-12-01实施
YrKAOKAca
3.2.2器件结构
SJ 50033/36—94
采用外延台面，三重扩散及高温冶金烧结结构。3.2.3外形尺寸
外形尺寸应符合GB758的R2-91C型及始下的规定。见图1。代号
电网z
3.3最大额定值和主要电特性
3.3.1最大额定值
SCD053B
3CD350D
3CD350E
SCD350F
T= 25
—253
-·300
图1外形图
注：1)Tc>25C时，按500mW/C的速率线坐池降额。3-3-2主要电特性（1-25℃）
B2-CIC
茎极2
发射极集电极妾外壳
55~175
极限值
3CD050B-F
Ver —bV
Te 2. 5A
(3CDC50B--C)
T: =1. 2A下载标准就来标准下载网
(3CD050D~-F)
黄：40~80
绿：60--_20
蓝：10～160
3.4电测试要求
SJ50033/36—94
Vr(sal)
Vir(sat)
Ie-- 2.5A.In=0. 5A
(3CD050BC)
Ic=1.2A,t-0. 24A
3C05～F)
最火直
制测试应衍合GB4587及本规范的规定。3.5标忌
标志应符合G.IB33和本规范的规定，4质量保证规定
4.1样和检验
抽样和检验应按GJB33约规定
4.2鉴定检验
鉴定检验应按GJB33的规定：
4.3筛选（仅对GT和GCT级）
最人值
Vr--3V
Je 1. 5a
(MIi2)
最小值
Ver=—15V
Ie -1. 5A
25 C75
最大直
筛选应按GJB33表2和本规范的规定。其测试应按不规范表1的规定进行，超过本规范表1极限值的器件应子剔除。
（贝GB33的麦2）
7.中间电参数测试
8、功率老化
5.鳗后渊试
4.4质量一致性检验
Ieca和hna
功率老化条件如下
TI-162. 5±12. 5 Q
Vcz=—25V
P-≥37.5W
测试或试险
按本规范表1的A2分组
ac0初始值的100%或200mA，取较大者A1初始值的土20%
质量·致性检验应按GIB33的规定。4.4.1A组检验
A组检验应GJB33和木规范表1的规定进行。4.4.2B组检验
TTKAONKACa-
SJ50033/36—94
B组检验应按接GJB33知本规范表2的规定进行。4.4. 3 C组检验
C组检验应按GJB33和本划范表3的规定进行，4.5垃验方法
检验方法应接本规范相应的表和下列规定：4.5.1脉冲测试
球冲测试条件应按 GJB 128 的 3. 3. 2. 1 约规定。表1A组检验
检验或试验
A1分组
外观及机蕊检验
A2分组
集电极·发射极
击穿电压
3C050R
3CD050C
3CD050L
3CD050E
3CD050F
发极基极
出穿电压
集三极一基搬
截山电流
集电级发射极
截止电流
集电圾、发射极
饱相电压
SCD550B~C
基被一发射极
和中压
3CD050DF
正向电流传输比
3CD050B~C
3CD050IJ～H
A3分组
高湿工作：
集电极一基被
截上电流
低温工作：
正向电流转输比
GJ 128
本坝葱
G3 4587
发射投：基极开路：
集电报·基极开路：
ip-2mA
发射极基极开路
Vtn=VtHc
发射极基极于路
Ver\. 0. EVepr
Ve=—5V
T: - 2. GA
T+ 125+5 [.
发射搬，基极开路；
V.- -r. 7V-w?
Ta—-- 55 C
V-r=-5V
IPD将号
极限值
转小最大位
Vher-a
检验或试验
SCDS0B~C
3CLU5CD--F
A4分E
安全工作区
（直流）
武验 1
3C050R~C
3CT05D-~F
试验2
3CD050B~t
试验3
C00303
3CD5tC
3CD050E
3CD050F
最后测试：
整验或诚验
B1分组
可焊性
标志尉久性
热冲击
【温度循环）
a.细检漏
SJ 50033/36—94
续表：
GB4587
Te -1. 2A
豚冲法(见 1.5. 1)
T—25Ct=-s,
Vee15V
Vur-- 30V
VrF-—25V
Vr-1n3V
Ie-81mA
WF---155Y
VF-200V
T:=29mA
Vs:--250V
I =16mA
Vap*— 300V
fr--OmA
见凌4步骤1和3
表2B组检验
GJR125
温55℃
其会为试照条件上
试验条件H
极限恺
殿小值最大值
TKAONKAca
检验或试验
h.粗检漏
最后测试：
B3分组
稳态工作寿命
最片测试：
B4 分组
（仅对GCT级）
（设计核续）
键合强妻
高温寿命
（非「作状态）
最后測试：
检验或试验
C1分组
外彩泛寸
2分组
热冲击
(菠璃虚力）
引出端强度
a.细检漏
b.短检漏
综含温度/湿度
周期试验
外观及机被检验
最尼源试：
变频振戏
定加速度
最后测试：
SJ 50033/ 36-- 94
续表2
GJE128
试验条件F
见表 4 步骤1 和 3
T,= 162. : 112. 5C
Ve-=-25V
见表4步2本
试验茶件 A
Ta- 175 C
见表4步骤1利3
表 3 C组捡验
GJB128
试验件B
试验条件 A
试验条件H
试验条件 F
见表 4 步骤 1 和 3
见表4步骤1和3
每托1个器件，
“失效
极限值
最小值段大值
检验或试验
C4分组
（适用时）
盐气侵蚀）
心6分组
稳态「作寿命
最后测：
集电极基
极截止中流
集电极·基
极戴止电
正向电流传
3CD0563~C
正向电流传
3CT050B~C
3CD050UF
GB4587
S.J 50033/36--94
缕表3
T,62-5上12.5C
VcE~- —25V
Pu≥37.5W
见表4步骤?和4
Vee -- --cV
1、 4A
25 0≤71375 C
表 4A组,组和心组最危测试
GB 4E87
发射极基开路！
Ves-Vei
发射极一基极开路：
Vca—Vek)
Vre----5V
I - 2. 5A
fe=1 21
脉冲法(见 1. 5. 1)
Vcr--5V
Ie 2. 5A
脉冲法(见 1)
注;1)本测试超还 A 组极限的器件不应接收。5交货准备
5.1包装要求
包装要求应按GJB 33的定
5.2妙存要求
赠存要我应接GJB 33的规定。
极裂值
最小值最大值
极限值
最小值
最大值
TTKAONKAca-
5.3运输要求
运输要求应按GJR33的规定。
6说明事项
6.1预定用途
SI50033/36—94
符合本规范的器件供新设备设计使用和供现有的后保障用。6-2订货资料
合同或订货单应规定下列内容：a、木观范的名秘和编号，
h.等级（见1.3.1);
c、数基；
d。需要时,其他要求。
6.3对引出端材料和涂层有特殊要求时，应在金同或货单中规定（见3.2.1)6.4如需要时，典型特性曲线等可在合间或订贷单规意，6.5直流安全工作区见图2，
SCD050B
3CD050C
SCDO5OD
3CDOECE
-3CD050F
集电极发射极电压Vc(V）
图23CDC5的直流安全T准区
A1目的
SJ 50033/36—94
附录A
集电极--发射极击穿电压测试方法（补充件）
云测试的日的是为了在规定的条件下，确定晶体管的击穿电压是否大丁规定的最低极限，A2测试电路
电压源
图A1集电极一发射敬击穿电压测试电路，工测试电流时，电流表的接义之司实际上门看成短路，或然电压衣读数作因电流丧压降的校正。A3测试步骤
限流电阻R，应足够大，以避免过渡约电流流过晶体管和中流衰。TKAONKAca
施加境定的偏置条件，增加电压直到规定的测试自流，如呆在规定的测试电谛上所加的电压大于VaRICEc的最低极限，旱体管为合格。本测试方法企图表现晶体管的负阻击穿特性，在这种情况下，必须使显体管的集电极电流及缩温保持在安全值以内，
规定条件
环境温度TA:
h.测试电流Ic。
附加说明：
本规范由中国电子技术标准化研究所归几本规范出中国电子技术标准化研窄断负责起草本规范主要起草人：蔡仁亚、乃德炭。计划项目代号：J11001。
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SJ 50033/36 -94
半导体分立器件
3CD050型功率晶体管
详细规范
Semiconductor discrete deviceDetail specification for
type 3CD050 power transistor1994-09-30 发布
1994-12-01实施
中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
3CD050型功率晶体管
详细规范
Semiconductor discrete deviceDetall specification for
type 3C050 power transistor
1范围
1.1主题内容
本规范规定了3CDO型功率晶体管（以下简称器件)的详细要求。1.2适用范匿
本规范适用于器牛的研制、生产和采哟。1.3分类
本规范根据器件质量保证等级进行分类，1.3.1器牛约等级
S.J 50033/36--94
按GJB33半导体分立器件总规范1.3条的规定，提供的质量保证等级为普军，特军和超特军三级:分别用字母 GP,GT 和 GCT 表示2引用文件
GB4587-84效极型晶体管测试方法GB7581-87半导体分立器件外形尺寸GJB 33---85
半导体分立器件总规范
GTB 128—86单导体分立器件试验与法3要求
3.1详细要求
各项要求应按GIB 33和本规范的规定，3.2设计结构和外形尺寸
器件的设比,结竭和外形尺寸应按GJB 33和本规范的规定。3.2.1引出端材料和涂层
引出端材料庭为可伐，引出端表面应为锡层或镍层。中华人民共和国电子工业部1994-09-30发布1994-12-01实施
YrKAOKAca
3.2.2器件结构
SJ 50033/36—94
采用外延台面，三重扩散及高温冶金烧结结构。3.2.3外形尺寸
外形尺寸应符合GB758的R2-91C型及始下的规定。见图1。代号
电网z
3.3最大额定值和主要电特性
3.3.1最大额定值
SCD053B
3CD350D
3CD350E
SCD350F
T= 25
—253
-·300
图1外形图
注：1)Tc>25C时，按500mW/C的速率线坐池降额。3-3-2主要电特性（1-25℃）
B2-CIC
茎极2
发射极集电极妾外壳
55~175
极限值
3CD050B-F
Ver —bV
Te 2. 5A
(3CDC50B--C)
T: =1. 2A下载标准就来标准下载网
(3CD050D~-F)
黄：40~80
绿：60--_20
蓝：10～160
3.4电测试要求
SJ50033/36—94
Vr(sal)
Vir(sat)
Ie-- 2.5A.In=0. 5A
(3CD050BC)
Ic=1.2A,t-0. 24A
3C05～F)
最火直
制测试应衍合GB4587及本规范的规定。3.5标忌
标志应符合G.IB33和本规范的规定，4质量保证规定
4.1样和检验
抽样和检验应按GJB33约规定
4.2鉴定检验
鉴定检验应按GJB33的规定：
4.3筛选（仅对GT和GCT级）
最人值
Vr--3V
Je 1. 5a
(MIi2)
最小值
Ver=—15V
Ie -1. 5A
25 C75
最大直
筛选应按GJB33表2和本规范的规定。其测试应按不规范表1的规定进行，超过本规范表1极限值的器件应子剔除。
（贝GB33的麦2）
7.中间电参数测试
8、功率老化
5.鳗后渊试
4.4质量一致性检验
Ieca和hna
功率老化条件如下
TI-162. 5±12. 5 Q
Vcz=—25V
P-≥37.5W
测试或试险
按本规范表1的A2分组
ac0初始值的100%或200mA，取较大者A1初始值的土20%
质量·致性检验应按GIB33的规定。4.4.1A组检验
A组检验应GJB33和木规范表1的规定进行。4.4.2B组检验
TTKAONKACa-
SJ50033/36—94
B组检验应按接GJB33知本规范表2的规定进行。4.4. 3 C组检验
C组检验应按GJB33和本划范表3的规定进行，4.5垃验方法
检验方法应接本规范相应的表和下列规定：4.5.1脉冲测试
球冲测试条件应按 GJB 128 的 3. 3. 2. 1 约规定。表1A组检验
检验或试验
A1分组
外观及机蕊检验
A2分组
集电极·发射极
击穿电压
3C050R
3CD050C
3CD050L
3CD050E
3CD050F
发极基极
出穿电压
集三极一基搬
截山电流
集电级发射极
截止电流
集电圾、发射极
饱相电压
SCD550B~C
基被一发射极
和中压
3CD050DF
正向电流传输比
3CD050B~C
3CD050IJ～H
A3分组
高湿工作：
集电极一基被
截上电流
低温工作：
正向电流转输比
GJ 128
本坝葱
G3 4587
发射投：基极开路：
集电报·基极开路：
ip-2mA
发射极基极开路
Vtn=VtHc
发射极基极于路
Ver\. 0. EVepr
Ve=—5V
T: - 2. GA
T+ 125+5 [.
发射搬，基极开路；
V.- -r. 7V-w?
Ta—-- 55 C
V-r=-5V
IPD将号
极限值
转小最大位
Vher-a
检验或试验
SCDS0B~C
3CLU5CD--F
A4分E
安全工作区
（直流）
武验 1
3C050R~C
3CT05D-~F
试验2
3CD050B~t
试验3
C00303
3CD5tC
3CD050E
3CD050F
最后测试：
整验或诚验
B1分组
可焊性
标志尉久性
热冲击
【温度循环）
a.细检漏
SJ 50033/36—94
续表：
GB4587
Te -1. 2A
豚冲法(见 1.5. 1)
T—25Ct=-s,
Vee15V
Vur-- 30V
VrF-—25V
Vr-1n3V
Ie-81mA
WF---155Y
VF-200V
T:=29mA
Vs:--250V
I =16mA
Vap*— 300V
fr--OmA
见凌4步骤1和3
表2B组检验
GJR125
温55℃
其会为试照条件上
试验条件H
极限恺
殿小值最大值
TKAONKAca
检验或试验
h.粗检漏
最后测试：
B3分组
稳态工作寿命
最片测试：
B4 分组
（仅对GCT级）
（设计核续）
键合强妻
高温寿命
（非「作状态）
最后測试：
检验或试验
C1分组
外彩泛寸
2分组
热冲击
(菠璃虚力）
引出端强度
a.细检漏
b.短检漏
综含温度/湿度
周期试验
外观及机被检验
最尼源试：
变频振戏
定加速度
最后测试：
SJ 50033/ 36-- 94
续表2
GJE128
试验条件F
见表 4 步骤1 和 3
T,= 162. : 112. 5C
Ve-=-25V
见表4步2本
试验茶件 A
Ta- 175 C
见表4步骤1利3
表 3 C组捡验
GJB128
试验件B
试验条件 A
试验条件H
试验条件 F
见表 4 步骤 1 和 3
见表4步骤1和3
每托1个器件，
“失效
极限值
最小值段大值
检验或试验
C4分组
（适用时）
盐气侵蚀）
心6分组
稳态「作寿命
最后测：
集电极基
极截止中流
集电极·基
极戴止电
正向电流传
3CD0563~C
正向电流传
3CT050B~C
3CD050UF
GB4587
S.J 50033/36--94
缕表3
T,62-5上12.5C
VcE~- —25V
Pu≥37.5W
见表4步骤?和4
Vee -- --cV
1、 4A
25 0≤71375 C
表 4A组,组和心组最危测试
GB 4E87
发射极基开路！
Ves-Vei
发射极一基极开路：
Vca—Vek)
Vre----5V
I - 2. 5A
fe=1 21
脉冲法(见 1. 5. 1)
Vcr--5V
Ie 2. 5A
脉冲法(见 1)
注;1)本测试超还 A 组极限的器件不应接收。5交货准备
5.1包装要求
包装要求应按GJB 33的定
5.2妙存要求
赠存要我应接GJB 33的规定。
极裂值
最小值最大值
极限值
最小值
最大值
TTKAONKAca-
5.3运输要求
运输要求应按GJR33的规定。
6说明事项
6.1预定用途
SI50033/36—94
符合本规范的器件供新设备设计使用和供现有的后保障用。6-2订货资料
合同或订货单应规定下列内容：a、木观范的名秘和编号，
h.等级（见1.3.1);
c、数基；
d。需要时,其他要求。
6.3对引出端材料和涂层有特殊要求时，应在金同或货单中规定（见3.2.1)6.4如需要时，典型特性曲线等可在合间或订贷单规意，6.5直流安全工作区见图2，
SCD050B
3CD050C
SCDO5OD
3CDOECE
-3CD050F
集电极发射极电压Vc(V）
图23CDC5的直流安全T准区
A1目的
SJ 50033/36—94
附录A
集电极--发射极击穿电压测试方法（补充件）
云测试的日的是为了在规定的条件下，确定晶体管的击穿电压是否大丁规定的最低极限，A2测试电路
电压源
图A1集电极一发射敬击穿电压测试电路，工测试电流时，电流表的接义之司实际上门看成短路，或然电压衣读数作因电流丧压降的校正。A3测试步骤
限流电阻R，应足够大，以避免过渡约电流流过晶体管和中流衰。TKAONKAca
施加境定的偏置条件，增加电压直到规定的测试自流，如呆在规定的测试电谛上所加的电压大于VaRICEc的最低极限，旱体管为合格。本测试方法企图表现晶体管的负阻击穿特性，在这种情况下，必须使显体管的集电极电流及缩温保持在安全值以内，
规定条件
环境温度TA:
h.测试电流Ic。
附加说明：
本规范由中国电子技术标准化研究所归几本规范出中国电子技术标准化研窄断负责起草本规范主要起草人：蔡仁亚、乃德炭。计划项目代号：J11001。
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