SJ 50033.37-1994
基本信息
标准号:
SJ 50033.37-1994
中文名称:半导体分立器件 3DD164型功率晶体管详细规范
标准类别:电子行业标准(SJ)
标准状态:现行
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半导体
分立
器件
功率
晶体管
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标准简介
SJ 50033.37-1994 半导体分立器件 3DD164型功率晶体管详细规范
SJ50033.37-1994
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标准内容
中华人民共和国电子行业军用标准FL5961
SJ 50033/37--94
半导体分立器件
3DD164型功率晶体管
详细规范
Semiconductor discrete deviceDetail'specification for
type 3Dn164 power transistor1994-09-30发布
1994-12-01实施
中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
3DD164型功率晶体管
详细规范
Semienductor diserete deviceDelail pecificatlon for
type 3DD164 power transfstor1范围
1.1主题内穿
本规范规定了3DD164型功率晶体管(以下筒称器件)的详细要求。1.2适用范席
本规范适用于器件的研制、生产和采购。1.3分类
本规范根据器件质量保证等级进行分类。1.3.1器件的等级
SJ 50033/37-94
按GJB33&半导体分立器件总规范1.3的规定,提供的质量保证等级为普军、特军和超特军三级,分别用字母GP、GT和GCT裁示。2 引用文件
GB4587—84双极型品体管测试厅法GB7581—87半导体分立器件外形尺寸GJB33-85
半导体分立器件总规范
GJB 128—86
半导体分立器件试验方法
3要求
3.1详细要求
各项要求应按GJB33和本规范的规定。32设计结构和外形尺寸
器件的设计、结构和外形尺寸应按GIB33和本规范的规定。3-2.1引出炭材料种涂层
引出端材料应为可伐,引出端表面应为锡层或镍层。中华人民共和国电子工业部1994-0930发布1994-12-01实施
YrKAOKAca
3.2.2器件结构
SJ50033/37—94
采用扩散台面结构或外延台面结构,3.2.3外形尺寸
外形尺寸应符合GB7581的B2-01C型及如下的规定。见图1代号
3-3最人额定值和三要电特性
3.3.1最大额定值
3DD164B
3DD164C
3DDLG+r
3ID164F
3DD164G
Te- 25 C
图形图
注:1>7℃>25C时,按1.0W/C的速率线性池降额,3.3.2土要电特性(TA-25 C)
B2-31C
发射极集电极接外号
-35~15
3DD1643~G
Vr- sV
费:40~80
绿:60~120
蓝:100--150
3.4电测试要求
SJ 50033/37--94
最大道
电测试应符合GB4587及本范的规定。3.5标志
标志应符合GJB33和本规范的规定A质量保证规定
4.1抽样和检验
抽样和检验应按GJB 33 的规定。4.2鉴定检验
鉴定检验应接 GJB 33的规定。
1: - 5A
J:= 0. 54
最大值
Vee- 12V
Fe- 24
f. u. 3MHx
最小俏
Ve=20V
21 T750
最大值
4.3筛选(仅对GT和GCT级)
筛选应按GJB33表2和不规范的规定。其测试应按本规范表1的规定进行,超点本规范表1极限值的器件应予剔除。
(克 GJR 33 的表 2)
7.中间电参数测试
R,功率老化
只最后试
4.4质量致性检验
TeBan和 hEl
功率老化条件如一;免费标准bzxz.net
T,=162, 5±12. 5 C
Vee=25V
测试试验
接左规范表 1 的 A2 分组
4cE初始值的100%或250uA,取较大者AE初始值的士20%
质量一致性检验应按GJB33的规定。4.4.1A组检验
A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4.4.2B组检验
B组检捡应按GIB33和本规范表2的规定进行。3
TTKAONKAca
4.4.3组检验
SJ 50033/37-- 94
C纠格验尼按GJB33和本规范表3的规定进行。4.5检验方法
检验方法应按本规范相应的表和下列规寇:4. 5. 1脉芯测试
脉冲测试条件应按GJB128转3.3.2.1的规出表1A组检验
始验或试龄
A1分组
外观及机械检验
2分销
热电极发射极
击穿电压
3DD164E
3DD16C
3ED:64F
5D164G
发极基极
击穿电压
集电极-基极
载电瓶
,集电级-发射极
截止电箔
集电极一发射圾
饱和电压
基极发射极
饱和电速
正可完流传输比
A3分组
高温工作:
电极一基圾
截止电流
低资工作:
止向电流传轮
本规范
附录A
GR458?
发射极基极开路:
集比极基极开路:
Ie -- 5mA
发射极基极升路;
发射极基极开路;
Vee=u.5VeEr:
Ie =- 0. 5A
Ver 5V
Ir 54
脉冲法(见4.5.1)
Tx=125 - 5 C
发射极一基极升路:
Vea0.7Wcw
TA— —55 C
Vee=5V
Ic--5A
脉冲法(见4.5.1)
Vhueup
最小慎最大值
检验或试验
A4分组
安金工作区
(直流)
斌验1
试验?
3DNI64R
3DU164F
最危测试
检验或试验
Bi分组
可绰性
标志府久性
B2分组
热冲击
(温度循环)
.细橙
b.粗检漏
最后测试:
R3分组
稳态工作游命
3.1 50033. 37-- 94
续表!
To -- 25 C
+=1x,兰次
VAE-15V:
te-:jh4
Veai.=25V
Wr:100V
1-239mA
Kin=150V
LE-20CV
I-30mA
Ver=330V
e=20mA
Vee= 4rOV
见表 4 步骤 1 和 3
表2B组检验
GJB 128
依温-55
其余为测试杂件 F
试验条件H
试验象件
见表 4 步骤1 和 3
Ti-162. 5±12. 5
极限查
最小值斑大馆
TKAONKAca
检验成试验
最后测试:
31 分组
(役对GCT级)
并帽为部检
(设计该实)
键合强度
B36分组
裔温寿命
(非工作态)
最后测试:
检验或试验
C1分维
外形纪守
2分组
热冲击
(瑾璃应为)
引出端强崖
a.维检谓
b.差检滞
综合温度/混度
满期试验
外观及机械检验
最后测试。
C3分组
变源振动
慎定如速度
最后测试:
C4 分组
【适用时)
盐气(漫蚀)
SJ 50033/37-94
续表2
GJB 128
见在4步案2和4
试验条件 A
Th-175 C
见表4步暴2和4
表3C组检验
GJB128
见图!
读验条件B
试验条件A
试验条件H
试验条件F
i 无表 4步骤1和 S
可表 4 步骤 1 和 3
每批1个器件:
20(C-C)
极限值
最小值最大值
检驱或试验
ra分组
稳态工作寿命
最序制试:
集先极--基
鼓裁上电流
集电极基
极截上电流
正向电流传
正向电流传
GB4587
SJ 50033737 : 94
续裁3
GJB123
T,-162.5=12.5 C
Vcc 2=V
Par≥?5w
见表 4 乐 2 和 4
25C5TS7C
表 4A组、B组和C缅最后测试
CB 4587
发射摄··基极开路;
Viv-Veke
发射极基教开路,
Ver sV
脉冲法(见 4. 5. 1)
Vee=5V
,感冲法(见 4. 5. 1)
注:1)本测试超过A组极限值的器件不应接收。5交货准备
5.1包装要求
包装要求应接GJB33的想定。
5.2贮存要求
贮存要求应按GJB33的规定。
5.3运输要求
运输要求应按GJB 33的规定,
说明事项
6.1预定用途
毅限值
殿小值最大悔
极腿值
最小宜录最天值
TTKAONKACa-
S. 50033737--94
符合本规范的品件供新设冬设计便用私供现有设备的后勤保障用6.2订货资料
台同或订货单应规定下列内窄:a。本规范的名称稚编号:
等绒(见1.3.!
c.数敏:
d.诺时,其他娶求。
6.3对出端材料相涂医有特殊要求过,应在合同或订货单中规定(见3.2.1)。6.4始满要时共型特性曲绒等可在合同或订货单中规定。65尚流安会工作区2。
3D01641
3DD164C
30161D
集电极-发射电压cs(V)
图23DD161的直流安全工作区
SJ 50033/37--94
附录A
集电极发射极击穿电压测试方法(补充件)
本测试的月的是为了在规定的条件下,确定品体管的击穿电压是否大十规定的最低极限42测试电路
电正源
图A1集电极一发射极击穿电压测试电路注在测试电流时,电流表的接买之间实际三可看成短略,或对电友读数作电流装玉降的校正43测试步骤
限流电阻R,应足够大、以避免过渡的电流流过品体管和流表。施加规定的偏资杀件,堆加电压直到观定的测试电流。如果在规定的测试电流下所加的电压大于ViCE的最低极限,显体管为台。
本测试方法企坚:表现品体管的负阻击穿特性,在这种情况下,必须使品体管的集电极电流及结温保持在安全值以内。
A4规定案件
环境温度TA:
测试电流Ic。
附加说明:
本规范出中国心子技术标准化研允所归口。本规范由脑电子技术际准化研究所负责起草。本规范主要起草人:禁仁明、张滨、周志埔、罗德痰,欧阳陕和。计划项国代号11002,
TKAONKAca
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