SJ 50033.42-1994
基本信息
标准号： SJ 50033.42-1994
中文名称：半导体分立器件 CSO467型砷化镓微波场效应晶体管详细规范
标准类别：电子行业标准(SJ)
标准状态：现行
出版语种：简体中文
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相关标签： 半导体 分立 器件 砷化镓 微波 场效应 晶体管 详细 规范
标准分类号
关联标准
出版信息
相关单位信息
标准简介
SJ 50033.42-1994 半导体分立器件 CSO467型砷化镓微波场效应晶体管详细规范
SJ50033.42-1994
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标准内容
中华人民共和国电子行业军用标准FL5961
SJ 50033/42—94
半导体分立器件
CS0467型砷化镓微波场效应晶体管详细规范
Semiconductor discrele deviceDetail specification for type CS0467 GaAs microwave FET1994-0930发布
1994-12-01实施
中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
CS0467型化镓微波场效应晶体管详细规范Semiconductor discrete devicesDetail specitication for type CS0467 GaAs microwave FET1范围
1.1主愿内容
SI50033/4294
本规范规定了CS0467型砷化镓微波场效应晶本管（以下简称器件）的详细要求。1.2适用范围
本规范适压于舒件的研制、生产和采购1.3分满
本规范根据器件质量保证等级进行分类。1.3.1器件的等级
按GIF33《毕导体分立器件总规范》1.3条的规定，提供的质量保证等级为普军级、特军级和超待率三级，分别用字母GP,GT和GCT表示。2引用文件
场效应晶体管测试方法
GB4586—84
GB7581—87半导体分立器件外形尺寸。GB 33-85
半导体分立器件总规范。
GJB128--86半导体分立臀件试验方法3要求
3.1详细要求
各项要求应按GIB 33和本规范的规定。3.2设计、结构和外形尺寸
器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。3.2.1引出端材将和涂层
引出端材料为明伐合金，引线表面镀金。3.2.2器件结构
采用神化N沟道肖特基势垒棚结构.中华人民共和国电子工业部1994-09-30发布1994-12-01实施
TKAONiKAca-
3.2.3外形尺寸
SJ 50033/42---94
外形尺寸按GB7581的D2-06A型及如下规定，见图1。0.25@X
图1外形图
3.3最大额定值和主要电特性
3.3.1最大额定值
Te=25c
注：1) 当 Tc>25t时,接7mW/℃的速率线性降瓶。3.3.2主要电特性(TA=25T)
B2 - 06A
引出端极性
一漏效
2栅极
壳体一源级
-65~ + 175
CS0467A
CS0467B
CS0467C
Vis=3V此内容来自标准下载网
125--250
125~250
125~250
3.4电测试要求
$J 50033/42-94
Vis-6V
Veacto
Vrs=3V
Ins= 2mA
-2~ -5
电测试应符合GB4586及本规范的规定。3.5标志
器件的标志应按GTB33的规定。
质量保证规定
4.1拍样和检验
袖样和检验应符合GJB33和本规范的规定。4.2鉴定检验
鉴定检验应符合GJB33和本规范的规定。4.3筛选(仅刘 GT和 GCT极)
筛选应按GJB33的表2和本规范的规定避行。ga
条件见 44 分组
Ve,-0, -1v
下面测试应按木规范表1进行，超过规定极限值的器件应予影除。端
(见 GJB 33.表 2)
3热冲击
6 商湿应慎
7中问中参数
8戎率老化
9 最片测试
4.3.1功率老化条件
功率老化条件如下：
试验条件C，-65-150℃，循环20。TA=150t
Voss*- - 7.2V
m Veston
见 4.3. 1
按本规范表1的A2分柜
agm≤初始值的±25%；
Yus≤初始值的=30%
Pro=0.75W,Vps=9V,Tc=70=s°。4.4质量一致性检验
质量致性检验应按GIB33的规定进行220
-rKAONKAca-
4.4.1 A组检验
SJ 50033/42-94
A组检验应按GJB33和个现范装1的规定进行。4.4.2 B组拉验
B组检拉应按GIB33表1及本规范表2各试验分组的规定进行。最后测试和变化量要求应行合本期范表4中适用步聚的规定。4.4.3C组检趋
已组检验应按GB33表 5及和规范丧3中各试验分组的规定进行。最后测试和变化量要求应符合个规范表4适用步聚的规定。4.5检验和检验方法
检验方法度接术规范相应的表中现定的方法和下列规定进行。4.5.1脏冲测
脉冲测试应按GJB128的3.3.2.1条的规定丧 1 A组检验
检验或试验
Al分组
好观及且裤验验
A2分组
教电压
栅一凝短降下的
谢一源短路下豹
呷裁止电流
高温工作
-源炬路下的
栅截上电流
低湿工作
A4分组
轭出功率
CS0467A
GB4586
GIR 128
本规范
附录A
本规范
谢录 A
附景R
Vis=3V
Iis=2ma
Ves- DV
Vns=3V
Yes= - 6V
Vas -ov
Vs=0, -IV
V-s=3V
TA=125C
Vrs= -6V
Vas\Ov
TA- -55t
VGs=0,-1V
Vrs =7~8V
TA=25C
fo-1OGHa
P = 15.Hrn
LTPD符#
极报值
量大值
检验或试验
CS0467B
CS0467C
功率增垫
CS0467
CS0467B
CSI467C
A5、A6 和 AT 分经不适用
检验或试验
R1分组
标志耐久性
B2分组
热冲起
(蕴度谱环)
密封试验：
8：细检漏
b.粗检满
B3分组
稳态工作寿命
最后测试
B4分组
并幅内部国检
(设计检验）
键合强度
GB4586
本规范
附录 B
SJ50033/42-94
Je= 12GH2
p,=15dBm
p,=14dBm
V-7-8V
TA=25C
fo= 10GHt
P,=15dBm
fu-12GH#
p,=15dBm
f。- 12GHz
p,= 14dBrm
表 2 B组检验
GJB 128
试验条件 C,25 次循环,
-65 -- + 150C。
试验条件 H, SmPacm*/s
试验条件C
见表 4. 步聚 1,2.3,和 4
Te=70±st
Vts = 6V: P.. = 0.75W :
见表4,步聚3,5和6
检标准按鉴定时的设计
试验条件A
被限值
最小值最大道
质量一致性检验
（样本大小
合格判定数）
TTKAONKACa-
检验或试验
BS分组
(不适用）
B6分组
高温寿命(不T,作)
最后溅试
检验或试验
C1分组
外形尺寸
C2分组
热冲击(玻璃应力）
引出端强度
&、细检凝
b.粗检漏
综合瘟度/湿度)
期试验
外观及枕械检验
最后测试
C3 分组
恒定速度
最后测试
C4分组
盐气(适用时)
C5分祖
不适用
C6分组
稳态工作寿命
最后翘试
GJB128
SJ 50033/42—94
TA=175C
见表 4 步聚 3.,5 和 6
表3C组检验
GJB 128
GB2036
按图1规定尺寸
试验条 B
试条件 A
试验条件 H,5mParm/s
试验条件 C
6 个循环,前三个循环进行步骤 7见表 4, 步素 1、2.3 和 4
196,000m/g(20.000g)
见表 4,步聚 1、2、3 和 4
P.. - 0.75W, Ves = fV;
Te=70±5c
见表4,步聚3、5和6
质量一致性检验
（样本大小)
合格判定数）
入= 10
检验或试验
漏一源短路下的
栅截止电流
栅一源止电压
珊源短路下的
淄极电流
漏一源短谐下的
初截止电流
SJ 50033/42—94
表 4 B 组和 C 组最后测试
GB4586
本规范
附录A
VGg= -6V; Vns=0V
Vrs=3V,1-s=2m/A
Vcs =nV, Vrg=3V
Ves= 0,-1V; Ves =3V
Vrs =0,-1V, Vos = 3V
- - 8V; V-s-0V
注：1）对于本试验，超过A组吸限值的器件不应接受。5交货准备
5.1创装要求
包装要求应符合GJB33的规定，
5.2贮存要求
贮存要求按CJB33的规定
5.3运输要求
运输要求应接GJB33的规定。
6说明事项
6.1预定用途
VeMnE)
最小值
畏大值
始值的±25%11
始值的±25%\)
初始值的±30%\
初始值的“)
或 A经的规范值，
以大者为准
符合本规范的器件供新设备设计、使用和供现有设备的后勤保障用。6.2订货文件内容
合同或订单中应截明如下内容：本规范的名称和编号；
h.等级(见1.3.1条);
c、数量：
需要班，其它要求！
6.3如对引线表面涂层有特殊求时，可在定货合同或订单中规定（见3.2.1条）如需典特性函线，可在订货文件中规定：6.4型号对照
CS0467的原企业型号为CX552。
TTKAONKAca-
A1目的
$J 50033/42--94
附录A
砷化镶场效应晶体管跨导gm的测试方法(补充件)
在规定条件下、测试器件的跨导。A2电原理图
电原盟图见图Al。
谛压源
图A1砷化缘场效应晶体管跨导高和测试电原理图图中:D,L.T.为被测器件。
R1、R，为限流电阻，适当选叔R2经保证器件不超过最大耗散功率A3測试步聚
断开 K1,问合 Kz调节电压源A使Vim=3V,读出 ILs= Inss然后，断开 Kz,闭合K,调节电压源B使Vris=-1V,读出 Ins=Ips。&.可由下述公式计算：
A4规定条件
Trss - Ins
漏一源电压 Vg.妇果 V不是3V;
—-棚—源电压Vcs，如果VG不是~1V,但此时公式(A1)之分母数值相应收变。(A1)
B1目的
SJ 50033/42—94
附录B
化综微波场效应晶体管输出功率P。和功率增益G的测量方法（补充件）
测量在规定条件场效应晶体管输出功率 P。和功率增益 GraB2电路框图
巅率计
隔离器
性生器
分析仪
可变衰减器
衰碱器
定向榔合器
功率计1
定拒椭合器
功率计2
偏暨网络
偏叠网络
输入阻抗
得测器
输比阻抗
图B1碑化镓微波场效应晶体管输出功率P。和功率增益G，的测试电路框图83测量原理
输出功率Pn、功率增益 G由下列公式给出;P,=P1- L1
Pu= P2+ L2
Gp= Pa-P.
rrKAoNiKAca-
SI 50033/42—94
式中P,和Pz是功率计1和功率计2给出的数值。L1和L2分别是P,和Pa在图1巾从点 A到点 B 和从点 C到点 D的损耗。P1 和 P2 用 Bm表示,L1 和 L2 用 dB表示。[4电路说明和要求
隔离器的作用是使被測器件的功率保持恒定，不受输入端阻抗失配的影响。被测器件应安装在热流通性良好的测试夹具上。应预先测出电路摄耗L1和L2。注：测量L1和L2时.应疫先调谐输人和输出基抗匹配网络。B5测量注意事项
输人，输出匹配电路不应有阻抗突变，在测量时应采用题谱分析仪检查，使振荡降低。端平度能承受供电：
谢通程序
将射频发生器的频率调到规定值；将栅一源电压Vs调到栅一源载止电压对近：a规定的爆--源电压Vps;
改变V使漏电流.调到现定值：
抢略低于规定值的输人功率加到被测器件；谢带输人和输出阻抗匹配网络使功率计的指示为最大；前输人功率加大到规定值，最后调节匹配网络：在息定输人动率下，测量输出功率Po1，
计算按公式(A3)。
规定条件
环境或管亮温度(T或Tc);
瀚一源电压：
漏极电流；
d.類率；
e。翰入功率。
说明：
本数范由中国电子技术标推化研究所归口。本规范由电子工业部第子二研究所负责起草。本规范主樊起草人，题撮球、张杰、李成德、王长稿。计领代量1033
YIKAONIKAca-
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SJ 50033/42—94
半导体分立器件
CS0467型砷化镓微波场效应晶体管详细规范
Semiconductor discrele deviceDetail specification for type CS0467 GaAs microwave FET1994-0930发布
1994-12-01实施
中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
CS0467型化镓微波场效应晶体管详细规范Semiconductor discrete devicesDetail specitication for type CS0467 GaAs microwave FET1范围
1.1主愿内容
SI50033/4294
本规范规定了CS0467型砷化镓微波场效应晶本管（以下简称器件）的详细要求。1.2适用范围
本规范适压于舒件的研制、生产和采购1.3分满
本规范根据器件质量保证等级进行分类。1.3.1器件的等级
按GIF33《毕导体分立器件总规范》1.3条的规定，提供的质量保证等级为普军级、特军级和超待率三级，分别用字母GP,GT和GCT表示。2引用文件
场效应晶体管测试方法
GB4586—84
GB7581—87半导体分立器件外形尺寸。GB 33-85
半导体分立器件总规范。
GJB128--86半导体分立臀件试验方法3要求
3.1详细要求
各项要求应按GIB 33和本规范的规定。3.2设计、结构和外形尺寸
器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。3.2.1引出端材将和涂层
引出端材料为明伐合金，引线表面镀金。3.2.2器件结构
采用神化N沟道肖特基势垒棚结构.中华人民共和国电子工业部1994-09-30发布1994-12-01实施
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3.2.3外形尺寸
SJ 50033/42---94
外形尺寸按GB7581的D2-06A型及如下规定，见图1。0.25@X
图1外形图
3.3最大额定值和主要电特性
3.3.1最大额定值
Te=25c
注：1) 当 Tc>25t时,接7mW/℃的速率线性降瓶。3.3.2主要电特性(TA=25T)
B2 - 06A
引出端极性
一漏效
2栅极
壳体一源级
-65~ + 175
CS0467A
CS0467B
CS0467C
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125--250
125~250
125~250
3.4电测试要求
$J 50033/42-94
Vis-6V
Veacto
Vrs=3V
Ins= 2mA
-2~ -5
电测试应符合GB4586及本规范的规定。3.5标志
器件的标志应按GTB33的规定。
质量保证规定
4.1拍样和检验
袖样和检验应符合GJB33和本规范的规定。4.2鉴定检验
鉴定检验应符合GJB33和本规范的规定。4.3筛选(仅刘 GT和 GCT极)
筛选应按GJB33的表2和本规范的规定避行。ga
条件见 44 分组
Ve,-0, -1v
下面测试应按木规范表1进行，超过规定极限值的器件应予影除。端
(见 GJB 33.表 2)
3热冲击
6 商湿应慎
7中问中参数
8戎率老化
9 最片测试
4.3.1功率老化条件
功率老化条件如下：
试验条件C，-65-150℃，循环20。TA=150t
Voss*- - 7.2V
m Veston
见 4.3. 1
按本规范表1的A2分柜
agm≤初始值的±25%；
Yus≤初始值的=30%
Pro=0.75W,Vps=9V,Tc=70=s°。4.4质量一致性检验
质量致性检验应按GIB33的规定进行220
-rKAONKAca-
4.4.1 A组检验
SJ 50033/42-94
A组检验应按GJB33和个现范装1的规定进行。4.4.2 B组拉验
B组检拉应按GIB33表1及本规范表2各试验分组的规定进行。最后测试和变化量要求应行合本期范表4中适用步聚的规定。4.4.3C组检趋
已组检验应按GB33表 5及和规范丧3中各试验分组的规定进行。最后测试和变化量要求应符合个规范表4适用步聚的规定。4.5检验和检验方法
检验方法度接术规范相应的表中现定的方法和下列规定进行。4.5.1脏冲测
脉冲测试应按GJB128的3.3.2.1条的规定丧 1 A组检验
检验或试验
Al分组
好观及且裤验验
A2分组
教电压
栅一凝短降下的
谢一源短路下豹
呷裁止电流
高温工作
-源炬路下的
栅截上电流
低湿工作
A4分组
轭出功率
CS0467A
GB4586
GIR 128
本规范
附录A
本规范
谢录 A
附景R
Vis=3V
Iis=2ma
Ves- DV
Vns=3V
Yes= - 6V
Vas -ov
Vs=0, -IV
V-s=3V
TA=125C
Vrs= -6V
Vas\Ov
TA- -55t
VGs=0,-1V
Vrs =7~8V
TA=25C
fo-1OGHa
P = 15.Hrn
LTPD符#
极报值
量大值
检验或试验
CS0467B
CS0467C
功率增垫
CS0467
CS0467B
CSI467C
A5、A6 和 AT 分经不适用
检验或试验
R1分组
标志耐久性
B2分组
热冲起
(蕴度谱环)
密封试验：
8：细检漏
b.粗检满
B3分组
稳态工作寿命
最后测试
B4分组
并幅内部国检
(设计检验）
键合强度
GB4586
本规范
附录 B
SJ50033/42-94
Je= 12GH2
p,=15dBm
p,=14dBm
V-7-8V
TA=25C
fo= 10GHt
P,=15dBm
fu-12GH#
p,=15dBm
f。- 12GHz
p,= 14dBrm
表 2 B组检验
GJB 128
试验条件 C,25 次循环,
-65 -- + 150C。
试验条件 H, SmPacm*/s
试验条件C
见表 4. 步聚 1,2.3,和 4
Te=70±st
Vts = 6V: P.. = 0.75W :
见表4,步聚3,5和6
检标准按鉴定时的设计
试验条件A
被限值
最小值最大道
质量一致性检验
（样本大小
合格判定数）
TTKAONKACa-
检验或试验
BS分组
(不适用）
B6分组
高温寿命(不T,作)
最后溅试
检验或试验
C1分组
外形尺寸
C2分组
热冲击(玻璃应力）
引出端强度
&、细检凝
b.粗检漏
综合瘟度/湿度)
期试验
外观及枕械检验
最后测试
C3 分组
恒定速度
最后测试
C4分组
盐气(适用时)
C5分祖
不适用
C6分组
稳态工作寿命
最后翘试
GJB128
SJ 50033/42—94
TA=175C
见表 4 步聚 3.,5 和 6
表3C组检验
GJB 128
GB2036
按图1规定尺寸
试验条 B
试条件 A
试验条件 H,5mParm/s
试验条件 C
6 个循环,前三个循环进行步骤 7见表 4, 步素 1、2.3 和 4
196,000m/g(20.000g)
见表 4,步聚 1、2、3 和 4
P.. - 0.75W, Ves = fV;
Te=70±5c
见表4,步聚3、5和6
质量一致性检验
（样本大小)
合格判定数）
入= 10
检验或试验
漏一源短路下的
栅截止电流
栅一源止电压
珊源短路下的
淄极电流
漏一源短谐下的
初截止电流
SJ 50033/42—94
表 4 B 组和 C 组最后测试
GB4586
本规范
附录A
VGg= -6V; Vns=0V
Vrs=3V,1-s=2m/A
Vcs =nV, Vrg=3V
Ves= 0,-1V; Ves =3V
Vrs =0,-1V, Vos = 3V
- - 8V; V-s-0V
注：1）对于本试验，超过A组吸限值的器件不应接受。5交货准备
5.1创装要求
包装要求应符合GJB33的规定，
5.2贮存要求
贮存要求按CJB33的规定
5.3运输要求
运输要求应接GJB33的规定。
6说明事项
6.1预定用途
VeMnE)
最小值
畏大值
始值的±25%11
始值的±25%\)
初始值的±30%\
初始值的“)
或 A经的规范值，
以大者为准
符合本规范的器件供新设备设计、使用和供现有设备的后勤保障用。6.2订货文件内容
合同或订单中应截明如下内容：本规范的名称和编号；
h.等级(见1.3.1条);
c、数量：
需要班，其它要求！
6.3如对引线表面涂层有特殊求时，可在定货合同或订单中规定（见3.2.1条）如需典特性函线，可在订货文件中规定：6.4型号对照
CS0467的原企业型号为CX552。
TTKAONKAca-
A1目的
$J 50033/42--94
附录A
砷化镶场效应晶体管跨导gm的测试方法(补充件)
在规定条件下、测试器件的跨导。A2电原理图
电原盟图见图Al。
谛压源
图A1砷化缘场效应晶体管跨导高和测试电原理图图中:D,L.T.为被测器件。
R1、R，为限流电阻，适当选叔R2经保证器件不超过最大耗散功率A3測试步聚
断开 K1,问合 Kz调节电压源A使Vim=3V,读出 ILs= Inss然后，断开 Kz,闭合K,调节电压源B使Vris=-1V,读出 Ins=Ips。&.可由下述公式计算：
A4规定条件
Trss - Ins
漏一源电压 Vg.妇果 V不是3V;
—-棚—源电压Vcs，如果VG不是~1V,但此时公式(A1)之分母数值相应收变。(A1)
B1目的
SJ 50033/42—94
附录B
化综微波场效应晶体管输出功率P。和功率增益G的测量方法（补充件）
测量在规定条件场效应晶体管输出功率 P。和功率增益 GraB2电路框图
巅率计
隔离器
性生器
分析仪
可变衰减器
衰碱器
定向榔合器
功率计1
定拒椭合器
功率计2
偏暨网络
偏叠网络
输入阻抗
得测器
输比阻抗
图B1碑化镓微波场效应晶体管输出功率P。和功率增益G，的测试电路框图83测量原理
输出功率Pn、功率增益 G由下列公式给出;P,=P1- L1
Pu= P2+ L2
Gp= Pa-P.
rrKAoNiKAca-
SI 50033/42—94
式中P,和Pz是功率计1和功率计2给出的数值。L1和L2分别是P,和Pa在图1巾从点 A到点 B 和从点 C到点 D的损耗。P1 和 P2 用 Bm表示,L1 和 L2 用 dB表示。[4电路说明和要求
隔离器的作用是使被測器件的功率保持恒定，不受输入端阻抗失配的影响。被测器件应安装在热流通性良好的测试夹具上。应预先测出电路摄耗L1和L2。注：测量L1和L2时.应疫先调谐输人和输出基抗匹配网络。B5测量注意事项
输人，输出匹配电路不应有阻抗突变，在测量时应采用题谱分析仪检查，使振荡降低。端平度能承受供电：
谢通程序
将射频发生器的频率调到规定值；将栅一源电压Vs调到栅一源载止电压对近：a规定的爆--源电压Vps;
改变V使漏电流.调到现定值：
抢略低于规定值的输人功率加到被测器件；谢带输人和输出阻抗匹配网络使功率计的指示为最大；前输人功率加大到规定值，最后调节匹配网络：在息定输人动率下，测量输出功率Po1，
计算按公式(A3)。
规定条件
环境或管亮温度(T或Tc);
瀚一源电压：
漏极电流；
d.類率；
e。翰入功率。
说明：
本数范由中国电子技术标推化研究所归口。本规范由电子工业部第子二研究所负责起草。本规范主樊起草人，题撮球、张杰、李成德、王长稿。计领代量1033
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