SJ 50033.59-1995 半导体分立器件 3DK39型功率开关晶体管详细规范 SJ50033.59-1995 标准下载解压密码：www.bzxz.net

中华人民共和国电子行业军用标准FL 5961
SJ50033/59-1995
半导体分立器件
3DK39型功率开关晶体管
详细规范
Semiconductor discrete deviceDetail specification far type3DK39 puwer switching transistor1995-05.25发布
1995-12-01实施
中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
3DK39型功率开关晶体管
详细规范
Semicanduclor discrete deviceDetail specification for type 3DK39Ppwer switching transistar
1范围
1.」主题内容
SJ50033/59-1995
本规范规定了3DK39型功率开关品体管（以下简称器件）的详细要求。1.2适用范关
本规范适用于器件的研制、生产和采购。1.3分类
本规范根据器件质量保证等级逆行分类，1.3.1器件的等级
按GJB33《半导体分立器件总规芯)1.3条的规定，提供的质量保证等级为普军、特军和超特军三级，分别用字母GP、GT和GCT表示。2引用文件
GB 4587 - 84
GB 7581 - 87
GJB 33:85
GJB 128 - 86
3要求
3.1详细要求
双极型昂体管测试方法
半导体分立器件外形尺寸
单导体分立器件总规范
毕导体分立器件试验方法
各项要求应按GJB33和本规范的规定。3.2设计、结构和外形尽寸
器件的设计、结构和外形皮寸应按GIB 33和本规范的规定。3.2.]引出端材料和涂层
引出端材料应为可伐。引出端表面应为层或镍层。中华人民共和国电子工业部1995-05-25发布1995-12-01实施
YIKAONIKACa-
3.2.2器件的结构
采用外延台面结构。
3.2.3外形尺寸
SJ50033/59-1995
外形尽寸应符合CIB7531的 C3-02D型及如下的规定。见图1。代号
图外形图
3.3最大额定征和主要电特性
3.3.1最大额定值
3DK39C
3DK39F
3DK39F
Te=25c
注：1Tc>25℃时，按【W/℃的速率线非也降额。3.3.2主要电特性(TA-25C)
C3 - 02D
1一发射级
2—基级
3—集电极
-55~175
3DK39G～F
Vc = 3V
fe-10A
最小值
3.4电测试要求
璇大值
SJ50033/59-1995
段大谊
电测试应符合GB4587及本规范的规定。3.5标志
标志应符合GIB33相本规范规定。4质量保证规定
4.1抵摔和检查
抽样和检验应按GJB33的规定。
4.2鉴定检验
鉴定检验应按GJR33的规定，
4. 3 筛选(仅对 GT和 GCT 极)
1c=75A
IB= - IR2±0.75A
(μus)
最大值
Rhij-e)
Ver=10v
最大镇
筛选应按GJB33表2和本规范的规定，其测试应按本规范表1的规定进行，超过木规范表1极限值的器件应予剔除。
筛选（见 GJB 33表 2)
7.中间电参效测试
8.坊率老化
9.最后涎试
4.4质量一致性检验
TeFonhe
测试或试验
条许: T,=162-5± 12·5
Pea75W
按云规范表1的A2分组
cm初始宜的100%或500mA，取较大者；△h多切值的±20%。
质量一致性检验应按GJB33的规定4.4.1A组检验
A组检验应按GJB33和本现范表1的规定进行。4.4.2B3组检验
B织验应按GJB33和木规范表2的规定进行。4.4.3C组检验
C组检验应按G333和本规范表3的规定进行。4.5捡验方法
检验方法应按本规范应的表和下列规定避行。3
TTKAONKAca
4.5.1脉冲测试
SJ50033/59-1995
脉冲测试应按(JR128的3.3.2.1条的规定。表 1 A 组检验
检验或试验
Al分组
外观及机械检验
A2分组
策电极一发射
桩击穿电菌
3DK39C
3DK39D
3DK39E
3DK339F
发射极一基极
击穿电压
集电摄一基极
截止电流
集电极一发射
极截止电流
集电极一发射
极过和定E
基极发射极
饱和电压
正向电流传输比
A3分组
商温T.作
集电一基
截止电流
低温工作
正向电流传输比
A4分组
输出电容
开通时间
CJB125
本规范
附录A
GR4587
发针报一基极并路
集电极一基极开路
Ig= CmA
发射极一基议并路
Ven= Vern
发射极一基极开路
VeR=0.5Vim
Vcr= 3V
TA= 125 ±5℃
发射极一效摄开路
Vm=0.7VcRo
TA--5S
脉冲法
(见4.5.1)
Vey=10v
j=IMHz
a = - Im\0.75A
YrRR)E3O
极裂值
最小值
最大值
检验或试验
存储时间
下牵时间
安全工作区
（直统）
试验1
试验2
试验3
3DK39C
3DK39D
3DK39E
3UK39F
最后测试
检验或式验
BI分组
标志耐久性
B2分组
热冲击
（溢度循坏）
.细检漏bzxz.net
b.粗检凝
最后测试
B3分组
稳态工作寿的
SJ50033/59-1995
续表1
GB4587
In * -Im=0.75A
Ix -- IW-(.75A
Te-25c
1=1s单茨
Ver= 10V
Te=15A
Ven=15V
fr - 10A
Vee=80V
Je-180mA
Ver - 1oV
Ie- 84mA
Vea=150v
Ie= 40mA
Vee= 200v
Ir=20mA
见丧4步张1和3
表 2B组检验
GJB128
极限值
最小值最人值
低温-55C,其余为试验条
试验条件H
试验条件F
见表4步骤1和3
T,=[62.5±12.5
Vee=20V
TrKAONKAca-
按验或试验
最后测试
B4分组
并燥内部目检
【设计核实）
【仅对 GCT 级】
翘台强度
B6 分组
高温寿命
(非工作状态)
最后测试
检验或试验
CI分组
外形尺寸
C2分组
热冲击
(玻应力）
引出端强度
2.细检漏
b.粗检漏
综合温度/湿度
周期试验
外观及机检验
最后溉试
3分组
变赖表动
恒定加速度
最后测试
SJ 50033/59-1995
续表2
CJBJ28
见表4步骤2和4
试验条件A
TA= I75C
见表4步骤2和4
表 3 C组检验
GJB128
见图！
试验条性B
试验条件
转斑：5.0N.n
时间：10±1s
试验黎件H
试验条件 F
见表4步录1和3
呢表4步骤1和3
每批1个器件
0失效
20[C= 0]
极限值
最小值最大值
检验或试验
C4分组
（适用时）
盐气(侵蚀)
C6分姐
移态工作老命
最后测试
C8分组
GE4587
验吸试验
集中极一基极
截正电谛
集电极一基极
截止电统
正向电施传输比
正向电流传输比
SJ 50033/59-1995
续表3
GJB 128
T,- 162.5 ± 12.5t
YeE-20V
见表4涉2和4
Vcx-10V
Kmti-ti
表 4A组、B组和 C组最测试
GB 4587
发射级一基极开路
Var= Vao
发时锻一基极开路
Yck= VeHo
ViE=3V
注：1)本测试超过A组极限值的器件不应接收。5交货准备
5.1包装要求
包装要求应按GJB33的规定。
5.2贮存要求
存要求应按GJB33的规定。
5.3运输要求
运输要求应按GIB33的规定。
6说明事项
6.1预定用途
符合本规范的器件供新设备设计便用和供现有后勤保障用。极裂值
最小值最大谊
极限值
最小值，最大值
初始值的
TTKAONKAca-
6.2订货资料
合同鼓订货单应规定下列内容：a：本规范的名称和编号；
b、等级(见1.3.1);
数量：
d。需婺时，其它篓求。
SJ50033/591995
6.3对引山端材料和涂层存特殊要求时，在合同或订货单中规定（见3.2.1)。6.4如要时，典型特性油线可在合同或订货单中规定。6.5置流安全作区（见图2)
100200
图23DK39C～F直流安全上作区
附录A（标准的附录）
A1自的
集电极一发射极击穿电压测试方法本测试的月的是为了在规定的条件下，确定器件的击穿电压是否大于规定的最低极限，A2浏测试电路图
电压源
图A案电极一发射极击穿电压測试电路注：在测式三流时电流表的接头之间实际上可看或短路或对电压表读效作因电流表压降的交上。A3测试步骤
限流电组R1应足够大，以避免过度的也流流过晶休管和电流表。施加规定的偏置条件，增加电压直到规定的测试电流。如果规定的试电流下所加的电压大于VERCEO的最低被限，器件为合格。本测试方法用于表现器件的负限击空特性，在这种精况下必须使品体管的集中极电流及结蛊保持在安全值以内。
A,4规定条件
a.坏境温度T；
b．测试电流Ico
附加说明：
本规范白中国电子技术标准化研究所归口。本规范白国堂八七三厂负责起草。本规范主要起草从：杜小堂、倪天发。计划项目代号：B21001。
TKAONKAca
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