SJ 50033.60-1995 半导体分立器件3DK40型功率开关晶体管详细规范 SJ50033.60-1995 标准下载解压密码：www.bzxz.net

中华人民共和国电子行业军用标准FL5961
SI50033/60-1995
半导体分立器件
3DK40型功率开关晶体管
详细规范
Semiconductor discrete deviceDetail specification for type3DK40 power switching transistor1995-05-25发布
1995-12-01实施
中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
3DK40型功率开关晶体管
详细规范
Semicondurtor diserete deviceDclail specification lortype 3DK40Power switehing transistor
1范围
1.1主题内容　
SJ50033/60-1995
本规范规定了3DK40型功率开关晶体管(以下简称器件)的详细要求。1.2适用范函
本规范适用于器件的矿制、生产租采购。1.3分类
本规范根据器件顾量保证等级进行分类，1.3.1器件的等级
按GJB33(半导体分立器件总规范>1.3条的规定，提供的质量保证等级为普军、特军和超特军三级.分别月字月GP、GT和GCT表示。2引用文件
GB4587-84双板型品体管测试方法GB7581-87半导体分立器件外形尺寸GI 33 - 85
半导体分立器件总规范
GJB128-86半导体分立器件试验方法3要求
3.1详细要求
各项要求应按GIB33租本规范的规定。3.2设计、结构和外形尺寸
器件的设计、结钩和外形尺于应按GJB33 和本规范的规。3.2.1引出端材料和涂层
引出蝇材料应为可伐，山精表面应为锡层战線层。中华人民共和国电学工业部19S5-05-25发布1995-12-01 游
TKAONKAca
3.2.2器件的结构
采用外延台面结构。
3.2.3外形※寸
SJ 50033/60 -1995
外形尺寸应符合GJB7581的B2-01C型及如下的规定，见图1。D20x@z
3.3最大额寇值和主要电特性
3.3.1最大额定值
3DK40C
3DK40D
3DK40E
3DK40F
Te=25℃
图1外形图
注：1)Tc>25℃对,按1.5W/C的速率线性地降额。3.3.2主要电特性（T25C）
R2-01C
1一基极
2发射极
集电极接外壳
- 55~ 175
3DK40C--F
Vce= 3V
Te=13A
毅小值
3.4测试要求
SJ50033/60-1995
1e=10A
最大道
电测试应符合G34587及本规范的规定。3.5标志
标志应符合GJB33和本规范的规定。4质量保证规定
4.1捆样和检查
抽样和检验应按GJR33的规定。
4.2鉴定检验
鉴定检验应按GJB 33的规定。
4.3筛选(仅对 GT和 GCT极)
Ie=10A
Im=mfm=1A
最大值
Rkti-e)
Vea'= 10V
fc=3A
I (c/w)
最大假
筛选应按GJB33表2和本规范的规定，其试应按本规范表1的规定进行，超过本规范表1极限值的器件应子剔除。
筛选(见 GB 33表 2)
7.中间电参数测试
8.功率老化
9.最后测试
4.4质量一致性检验
Tcror和h FEl
测试或试验
条件, T,=162. 5 ± 12.3℃
Vu:= 20V
获本规范表1的A2分组
AIcsn≤初始使的100%或500元rA，取较大者；h初始值的±20%。
质量一致性检验应按GJB33的规定，4.4. 1 A 组检验
A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4.4.2 B组检验
B组检验应按GB33和本现范表2的现定进行。4.4.3C组检验
C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行：4.5检验方法
检验方法应按本规范相应的表和下列规定逃行。TTKAONKAca-
4.5.1脉冲测试
SJ50033/60-1995
脉泌测试应按 GJB 128 的 3.3.2. 1 条的规定表1A红捡验
检验或试验
A1分组
外观及机检险
A2分组
集电极一发射
极击穿史玉
3DK40C
3DK40D
3DK40E
3DK40F
发射极—基极
击穿电压
梁电极一基极
截止电流
集电极一发射
极载止电流
染电极一发射
极地和电压
基极一发射极
饱和电压
正向电流传输比
A3分组
高温工作
集电极-基被
截上电流
低湿工作
正向电流传输比
A4分组
输出密容
并通时间
木规范
附录A
GB4587
发射一基极并路
1e - [OmA
集电报一基级开路
Te=2U:nA
轻射轻一糖极开路
Von=Ven
发射锻一基段开路
Vue=U.5Vem
Iμ-1A
Je=I0A
Ver=3V
Fe = 10A
T+- 125 ±5℃
发驴梭一基毅并路
VeR=U.7V(?
fe-JUA
脉冲法
【见4.5.1)
Vcn=1oV
f=1MH2
Im - -- Iμ - 1AbzxZ.net
VIRRACH
VePR EBO
Vee ar
VrE et
极限值
最小慎，最大值
检验激试验
存磁时间
下降时间
AS分组
安全工作区
(直流）
试验1
试验2
试验3
3DK40D
3DK40E
3DK40F
最培测试
检验或试验
B1分组
标志耐久性
段分组
(温度硝环）
目，细检凝
b.粗检蹄
最底湖试
B3 分组
稳态工作好命
SJ 50033/60 -1995
续表1
GB4587
It - 10A
: a- - Im=1A
fe-lUA
= - [m= 1A
Te-25℃
=1s单次
Ver -11.25V
fe=204
VeE=15V
fe-15A
VcE = BCV
Vce=ilV
Ic= 92mA
Ve-150
c= 42rA
Ver=200V
Te=20mA
见表 4步骤1和 3
2B组检验
GJB [28
极限值
最小值
抵温~55t,其余为试验条
试验柔件H
试验录件F
见表步猴1知3
T,-162.5 12.5r
VeR-20V
最大值
TKAONKAca
检验或试验
最后测试
4分组
开幅内挪目检
(设计核实）
（仅对GCT级）
键合强度
36 分组
高温寿的
(非工作状态)
最培视试
检验或试验
C1分组
外形尺
C2分组
热冲击
【豉璃应力】
引出端强璃
a.细验髓
b.扭检凝
综会溢/湿度
周期试验
外观及机械按验
最唇潮试
C3分组
变数振动
慎定如速度
最措测试
SJ50033/60-1995
续表2
GJB128
Per2112.5W
见表4步强2和4
试验条伴 A
T=175c
见表 4 步 2 和 4
表3C组检验
见图！
试验条件B
试验条伟A
受试授数：2
加：20N
1= f0s
试验条件H
试验条件F
见表4步骤1和3
见表 4步骤1 和 3
每批【个器件
U失效
20(C -0)
最小谊最大值
检验或试验
CA分组
（适用时)
盐气(侵蚀)
C6分姐
稳态工作存台
最后测试
C8分组
SI 50033/60- 1995
缕表3
CJB128
iT;-162.5±12.5T
YeE-20V
Po2112.5W
：见表4、步聚2和4
GB 4587
检验驳试验
电极-基极
截止电饰
集电极一基圾
截止电流
正向电疏传输比
正间电流传疮比
Rati-e
表 4A 组、B 组和 C 组晨后测试GB 4587
发射级一基圾开路
Vean= Vcro
发射极一基段开路
Vca = Veao
Vc:=3V
Te=1DA
Vc:= 3V
Ie- 10A
法：1)本谢试过A组极限位相器件不应接收、5交货准备
5.1包装要求
包装要求应按GIB33的规定。
5.2贴存要求
贮存求应按 GJ3 33的规定。
5.3运要求
运输要求应按 GJ3 33 的规定。6说明事项
6.1预定用途
衔合本视范的能件供所设备设备使册和供现有后勤保障用。极限值
最小道
最大慎
极限值
最小值最大值
初始慎的
rKAONiKAca-
6.2订货资料
SJ 50033/60 -1995
合同或订货单位应规定下列内容：。本规范的名称和编号；
b。等级(见1.3.1)
c，数量；
t。需要时,其它要求。
6.3对引出端材群和层有特殊要求时,在合同或订货单中规定(见3.2.1)。6.4如需要时，典型特性曲线可在合或江货单中规定。6.5直流安金工作区（见图2)
图231DK40C～F直安全工作区
附录A[标准的附录)
Al目的
集电极一发射极击穿电压测试方法本测试的日的是为了在规定的条件下，确定器件的击穿电压罹否大于规定的最低极限。A2测试电路阁
电压源
图A1集电极一发射极击穿电压测试电路注：在测试电流时，电流表的接头之间实际上可看成短路，毁对电压表读数作因电流表压降的校正。A3测试步骤
限流电阻R1应足够大，以避免过度的电流流过品体管和电流表。施加规定的偏置条件，镜加电压直到规定的测试电流。如果规定的测试电流下所旭的电压大于V(BaIcE的最低极限，器件为合格。本测试方法用于表现器件的负阻击穿特性，在这种情况下必须使晶体管的集电极电流及结温保持在安全值以内。
A.4规定条件
8、环填温度 Ta：
h．测试电流Ice
附加说明：
本现范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由国莺八七三广负责起草。本规范主要起草从杜小堂，倪天发。计划项目代号：321002
TKAONKAca
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