SJ 50033.61-1995 半导体分立器件 3DK6547型高压功率开关晶体管详细规范 SJ50033.61-1995 标准下载解压密码：www.bzxz.net

中华人民共和国电子行业军用标准FL5961
SJ50033/61-1995
半导体分立器件
3DK6547型高压功率开关晶体管
详细规范
Semiconductor discrete device Detail specification fortype 3DK6547 high-voltage and power swithing transistor1995-05-25发布
1995-12-01实施
中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
3DK6547型高压功率开关晶体管
详细规范
Semicond uctor discrete device Delail specification fortype 3DK6547 bigh -- voltage and power switching transistor1范围
1.1主题内容
SJ 50033/611995
本规范规定了3DK6547型高反压功率开关晶体管（以下简器件)的详细要求。1.2适用范围
本规范适用于器件的研究、生产和采购。1.3分类
本规范根据器件质量保证等级进行分类。1.3.1器件的等级
按GJB33(半导体分立器件总规范>1.3的规定，提供的质量保证等为普军，持军和超特军三级,分别用字母 GP,GT 和 GCT 表示。2引用文件
GB 4587---84
GB 758187
GJB 33--85
GJR 128—86
3要求
3.1详细要求
双极型晶体管测试方法
半导体分立器件外形尺寸
半导体分立器件总规范
半导体分立器件试验方法
各项要求应按GIB33和本规范的规定。3.2设计、结构和外形尺寸
器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。3.2.1引出端材料和涂层
引出端材料应为可伐。引出端表面应为锡层或镍层。中华人民共和国电子工业部
1995-05-25 发布
1995,12-01实施
TKAONKAca
3.2.2器件结构
果用扩散台面或外延台面结构。3.2.3外形尺寸
SJ 50033/61—1995
外形尺小应符合 GB7581的E2-01C型及如下的规定。见图1。i0-5M区mjz
1基级
2一发射极
集电极接外壳
图13DK6547外形图
3.3最大额定值和主要电特性
3.3.1最大额定值
3DK6547
Te-25c
注：1)T>25C时按1.17W/C的速率线生池降额。3.3.2主要电特性(TA=25C)
B2 - 01C
55 ~175
3DK6547
Ver=2V
3.4电测试要求
VcE ar
fe=10A
最大值
Vee st
Ic=10A
最大值
SJ50033/61—1995
Vce - 10V
电测试应符合GB4587及本规范的规定。3.5标志
标志应符合GIB 33和本规范的规定。4质量保证规定
4.1抽样和检验
抽样和检验应按GJB33的规定。
4.2鉴定检验
鉴定检验应按GJR33的规定。
4.3筛选（仅对GT和GCT级）
Ic= 10A
I= -I=1A
最大值
Rtelji
Vce=LOV
最大值
筛选应按GJB33表2和本规范的规定。其测试应按本规范表1的规定进行，超过本规范表1极限值的器件应予剔除。
（见 GIB 33 的表 2)
7.中间电参数测试
8.功率老化
9,最后测试
4.4质量一致性检验
Icau和hEEL
测试或试验
功率老化条件如下：
T,- 162.5 ± 12. 5r
Vee = 30V
Pu2117W
按本规慈表1的2分组
rcBa≤初始值的100%或500uA,取较大者国初始值的士20%
质量一致性检验应按GJB33的规定。4.4.1 A 组检验
A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行，4.4.2 B组检验
B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行。4.4.3C组检验
C组检验应按GTB33和本规范表3的规定进行。3
TKAONKAca
4.5检验方法
SJ50033/611995
检验方法应按本规范相应的表和下列规定：4.5. 1脉冲测试
脉冲测试条件应按GIB128的3.3.2.1的规定。表 1A组检验
拉验或试验
A1分组
外现,改机械检验
A2分组
集电极一发射极
击穿电压
发射桩基极
击穿电压
巢电极一基极
截止电流
集电极一发射摄
截止电流
业电极一发射摄
饱和里压
基电极发射极
悔和电压
正向电流传输比
A3分组
高温工作，
巢电极一基极
截止电
低溢工作：
正向电流传输比
A4 分纽
特征频率
短迟时间
北升时间
樊牵时[间
下降时间
GJB126
本规范
陆录A
GB 4587
发射极一基极开路
Ig= SmA
集电极一基极开路
Ig=ImA
发射极一基极开路;
V=850V
发射极一基极开路；
Vee=200V
Ie=10A
fg= 2A
脉冲法（见4.5.1)
fe= 10A
脉冲法(见4.5.t)
脉冲法(见 4 5 1)
TA= 125 ± 5C
发射极一基极并路：
Va*0.7VeBo
T+-55C
VcE-2V
脉冲法(见 4 5 1)
Vep = 10V
Ic=0 SA f=iMHz
fc-10A
Ig-~ Im= 1. 0%
(BR)CEO
极限偿
量小值|最太值
检验或试验
AS 分组
安全工作区
直流）
试验1
试验2
试验3
最后测试：
检验或试验
B1分组
可焊性
标志谢久性
B2分组
热冲击
(温度循环)
2、细检漏
L.粗检漏
最后测试：
B3分组
稳态工作寿命
最后测试：
B4分组
【仅对 GCT 级】wwW.bzxz.Net
开帽内部耳性
(设计核实）
键合强度
BG分组
高温寿命
(非工作状态）
最后测试
SJ 50033/61—1995
续表1
GB4587
Te=25t
= 1s,单次
Vee=11 6V
Vce = 25V
Ie-70A
Ya= 400V
Ie=30mA
见表 4 步 1 和 3
表 2 B组检验
GJB128
低温-55℃
其余为试验条件 F
试验条件H
试验条件E
见表 4 步骤 1 和 3
T - 162 $± 12.sc
Ver- 30v
Pa117W
见表 4 步骤 2 和 4
试验条件A
TA= 175℃
死表 4 步骤 2 和 4
极限值
最小值」最大值
每批一个器件
0类效
20(C=0)
TTKAONKAca-
检验或试验
CI分组
外形尺寸
C2分组
热冲击
【玻璃应力】
引出端强耍
。细检漏
b．粗检漏
综合温度/湿度
周期试验
外观及机械检验
最后测试：
C3分组
变频报动
恒定加度
最后试
CA分组
(适用时)
盐气(侵蚀)
C6 分组
稳态工作孝命
最后测试：
C8 分组
SJ 50033/61—1995
表 3 C组检验
GJB128
见图！
试验条件B
试验条件A
外加力:20N
时间：10s
受试引出端数:2
试验条件 H
试验条件 F
见表4步骤1 和 3
见表 4步骤 1和 3
T,=162 5=12.5C
VcE=30V
Pa117W
见表 4 步骤 2 和 4
CB4587
25C≤TeS75C
符号國
极限值
最小值最大值
集电投一基
极截止电流
集电极一基
极截止电流
正向电流传输比
正向电流传输比
SJ 50033/611995
表 4A组、B组和 C组最后测试
GB4587
发射极一基极开路；
YesVero
发射极一基极开路：
Ym=VcO
Vce= 2V
脉冲法(见 4.5 1)
Ie- 5A
脉冲法（见4.5.1)
注+1)本测试超过A组极限值的器件不应接收。5交货准备
5.1包装要求
包装要求应按GJB33的规定。
5.2存要求
贮存要求应按GJB33的规定。
5.3运输要求
运辅要求应按GJB33的规定。
6说明事项
6.1 预定用途
Ahral!
符合本规范的器件供新设备设计使用和供现有的后勤保障用。6.2订货资料
合同或订货单应规定下列内容：a：本规范的名称及编号；
h等级(见1.3.1);
c．数量；
山、需要时，其他要求。
极限值
最小值最大催
初始值的
6.3对引出端材料和涂层有特殊要求时.应在合同或订货单中规定（见3.2.1)。6.4如需要时典型特性曲线等可在合同或订货单中规定。6.5直流安全工作区见图2。
TrKAONKAca-
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Tc5℃
集电极一发射极电压Vs(V)
图 23DK6547的直流安全工作区
附录 A(标准的附录)
Al目的
集电极一发射极击穿电压测试方法本测试的耳的是为了在规定的条件下，确定器件的击穿电压是否大于规定的最低极限，A2测试电路图
图AI集电极一发射极击穿电压测试电路注：在测式电流时，电流表的接头之间实际上可看成短路。或对电压表读数作因电流衰压降的较正。A3测试步骤
限流电R1应足够大，以避免过度的电流流过品休管和电流表。旅加规定的编置条件，增加电压直到规定的测试电流。如果在规定的测试电流下所加的电压大于V(ER)CEo的最低极限，器件为合格。本测试方法用于表现器件的负阻击穿特性，在这种情况下必须使品体管的集电极电流及结温保持在安全值以内。
A4规定亲件
环境温度TA
b测试电流 Ica
附加说明：
本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由中国电了技术标准化研究所负责起草。本规范主要起草人：蔡仁明、周志坤。计划项目代号:R21004
TrKAONKAca-
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