SJ 50033.64-1995
基本信息
标准号： SJ 50033.64-1995
中文名称：半导体分立器件 3CD010型低频大功率晶体管详细规范
标准类别：电子行业标准(SJ)
标准状态：现行
出版语种：简体中文
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相关标签： 半导体 分立 器件 低频 大功率 晶体管 详细 规范
标准分类号
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出版信息
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标准简介
SJ 50033.64-1995 半导体分立器件 3CD010型低频大功率晶体管详细规范
SJ50033.64-1995
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标准内容
中华人民共和国电子行业军用标准FL5961
SJ 50033/64 -1995
半导体分立器件
3CD010型低频大功率晶体管
详细规范
semiconductor discrete deviceDetail specification for type 3CD010Low -frequency and high -power transistor1995-05-25发布
1995-12-01实施
中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
3CDD10型低频大功率晶体管
详细规范
Semiconduclor discrete deviceDetail epecification for type 3CDO 10Lowfrequency and high -- puwer iransistmr1范围
1.1主题内案
SJ50033/64—1995
本规范规定了3CDO10B~-F型低频大功率晶体管（以下简称器件)的详细要求。1.2适用范围
本规范适用于器件的研究、生产和采购。1.3分类
本规范根据器件质量保证等级进行分类。1.3.1器件的等级
按GJB33半导体分立器件总规范>1.3的规定，提供的质量保证等级为普军、特率和超特军三级，分别用字母GP、GT和GCT表示。2引用文件
GB4587—84双极型晶体管测试方法GB7581-87半导休分立器件外形尽寸GJB 33—85
半导体分立器件总规范
GJB128--86半导体分立器件试验方法3要求
3.1详细要求
各项要求应按GJB33和本规范的规定。3.2设计、结构和外形尺寸
器件的设计、结构和外形尺寸应按GB 33和本规范的规定。3.2.1引出端材料和涂层
引出端材料应为可伐。引出端表面应为锡层或镍层。中华人民共和国电子工业部1995-05-25发布1995-12-01实施
TKAONKAca
3.2.2器件结构
采用扩散台面或外延台面结构。3.2.3外形尺寸
SJ 50033/641995
外形尺寸应符合 GB 7581 的 B2-01B 型及如一的规定。 见图 1。oz
1基攻
2-发射炙
集电极接外壳
3.3最大额定值和士要电特性
3.3.1最大额定值
3CDO1OB
3CP010C
3CDOLOE
3C010F
Te=25C
图13CD010外形图
注：1)TC>25C时按60mW/C的速率线性地降额。2
R2 -01B
- 55 175
3.3.2主要电特性(T,=25℃）
Vce=5V
3CD010B~C
3CD1NT)~-F
黄：4n~80
绿：60-120
蓝:100～t80
3.4电测试要求
VcE st
SJ50033/64-1995
Vea oe
最大值
最大值
电测试应符合GB4587及本规范的规定。3.5标志
标志应符合 GJB 33 和本规范的规定。质量保证规定
4.1抽样和检验
抽样和检验应按GIB33的规定。
4.2鉴定检验
鉴定检验应按GJB33的规定
4.3筛选(仅对 GT 和 GCT级）
Vee=sV
F=IMHz
最小植
Va=loV
25≤TC75T
最人值
筛选应按GJB33表2和本规范的规定。其测试应按木规范表1的规定进行，耀过本规范表1极严值的器件应了剔除。
（见GJR 33的表 2)
7.中间电参数测试
8.功率老化
9.最后测试
4.4质量--致性检验
质量一致性检验应按GJ333的规定，4.4.1A组检验
试以试临
Icson和 hrEi
功率老化条件如下：
F = 162.5 - 12.5C
VcE=25V
按本规范表 1 的 A2分组
个Icmm≤初始值的 100 %或 50gA,联教大者
△FE1≤初始值的±20%
A组检验应按GJB33和本规范表1的规定避行。TTKAONKAca-
4.4.2 B组检验
SJ50033/64-1995
B组检验应按 GIB 33 和本规范表2 的规定进行。4.4.3 C 组检验
C 组检验应按 GJB 33 和本规范表 3 的规定进行。4.5检验方法
检验方法应按本规范相应的表和下列规定：4.5.1脉冲测试
脉冲测试条件应按GIB 128的 3.3,2.1 的规定。表 1 A组检验
检验或试验
A1分组
外观及机核检验
A2分距
集电极一发射极
击蔡电压
3CD010B
3CL010C
3CDO1OI
3CDO10E
3CD010F
发射极一基极
击穿电压
巢电极一基圾
截止电流
集电极一发射极
截止电流
集电极一发射极
饱和电压
3CDO10B-C
3CDO10D～F
基报一发射极
饱和电压
3CDD1B--C
3CD010D～F
正问电流传输比
3CD010B～F
GJB 128
本规范
附录A
GB4587
发射锻基极并路
Je=3mA
渠电极一基极开路；
发射极一基极开路:
VcB - VcRO
发射极一基极π路：
Ver=0.5Vera
Ic=0.5A; I,=0.1A
脉冲法(见 4.5.1)下载标准就来标准下载网
Ic=D.5A,Iμ=0.IA
脉冲法(见4.5,1)
Vee= 5V
脉冲法(见4.5.1)
VHRUCE
Y(ER)EO
极限值
最小值最大值
检验或试验
A3分经
高温T作
集出极基极
截止电流
低福工作：
正向电流传输比
3CD010B~F
A4 分组
特征短率
A5分组
安全工作区
（查济）
试验1
试验2
试验3
3CDOLOB
3CD010C
3CD010D
3CL010E
3CDUI0F
最后朗试：
SJ 50033/64 -1995
续表1
GB4587
方缺！
TA= 125±5t
发射极一基极开路;
Va=0.7Vcnc
TA = -55t
Ves-sV
脉冲法（见4.5.1）
VeE SV
J_1MHz
Je=25t
1= I,单次
Vur-10V
Vee=20V
Va=100V
le=49mA
Va=150V
1=27mA
Ve = 200V
Ic=17mA
Ven=250V
Ie- 13mA
Vee 300V
1c=1nma
见表 4 步骤 1 和 3
极限值
最小值最大值
TKAONKAca-
检验或试验
BI 分组
可煤性
标志耐久性
B分组
燃冲击
（温度循环）
α.细检溺
b.粗检漏
最后渊试：
B分组
稳态工作寿台
最后测试：
R4分组
（仅对CCT级）
开内部目检
(设计核实)
键合强度
B6分组
高温寿命
(非工作状态)
最后测试；
检验或试验
CI分组
外形尺寸
C2 分组
热冲书
【玻璃应力）
引出端强度
SJ 50033/64-1995
表 2B组检验
GJB 128
低摄-55t
其余为试验条件 F
试验条件 H
试验象件F
见表 4 步骤 1 和 3
T,=162.3→12.sC
Vu-25V
见表4步薪2和4
试验条件 A
TA=175U
见表 4 步骤 2 和 4
表 3C组检骑
GB 128
见图1
试验条件B
试验条件A
外加力：20N
时间：10s
受试引出端强数：2
每批一个
器件，
0失效
20(C= 0)
极限值
最小值
最大值
检验或试验
a.细检混
b.粗检漏
综合温度/湿度
周期试验
外观及划械检验
最后测试：
C3分组
变赖振动
恒定加速度
最后测试：
C4 分组
（适用时）
盐气(侵蚀)
C6分组
稳态工作寿命
最后测试：
C8分组
GB4587
SJ50033/64-1995
续表3
GJE 128
试验条件 H
试验条件 F
见表 4 步骤 1 和 3
见表 4 步骤 [ 和 3
T,= 162.5±12.5C
Vee-25V
见表4步骤2和4
Vce- 10V
2st≤TTst
Kthi-e
表4A组、B组和C组最后测试
GB 4587
电锣一基
极酸止中流
集电极一基
极截止电流
正向电摘比
3CD010B-F
正向电流传输比
3CD010B--F
发射极一基极开路；
Vca- VLin)
发射极一基授开路;
Va= Vcp
脉治法(见 4,5. 1)
脉神法[见, 4.5. 1]
注：1)本测试超过A极限值的器件不应接收。5交货准备
极限值
最小值最大值
极限值
最小值
h初始值
的±25%
最大值
rKAoNiKAca
5.1包装要求
包装要求应按GJB33的规定。
5.2贮存要求
贮存要求应接 GJB 33 的规定。5.3运输要求
运输要求应按G[B33的规定。
6说明事项
6.1预定用途
S.I 50033/64-1995
符合本规范的器件供新设备设计使用和供现有的后勤保障用。6.2订货资料
合同戴订货单应规定下例内容：本规范的名称及编号：
b。 等级(见 1.3.1)
c.数量：
d。需要时，其他要求。
6.3对引出端材料和涂层有特殊要求时，应在合同或访货单中规定（见3.2.1)。6.4如需要时，典型特性曲线等可在合同或订货单中规定。6.5直流安全工作区见图2，
=SCDotob
3cp0i0
3CDU[0F
集电极一发射极电压Va(V)
图23CD010的直流安全工作区
附录A（标准的附录）
A1目的
集电极一发射极击穿电压测试方法本测试的目的是为了在规定的条件下，确定器件的击穿电压是否大于规定的最低极限。A2测试电路图
图Al集电极一发射极击穿电压测试电路注：在测试电流时，电流表的接头之间实际上可看成短路，或对电压表读数作对电流表压降的校正。A3测试步骤
限流电阻R1应足够大，以避免过度的电流流过晶体管和电流表。施加规定的偏置条件，增加电压直到规定的测试电流。如果在规定的测试电流下所加的电压大于V(BRICEn的最低极限，器件为合格。本测试方法用于表现器件的负阻击穿特性，在这种情况下必须使晶体管的集电极电流及结温保持在安全值以内。
A4规定条件
a：环境温度工A
b．测试电流Tc。
附加说明：
本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由中国电子技术标雅化研究所负责起草。本规范士要起草人：蔡仁明、终桂云。计划项目代号：B21006。
TKAONKAca
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SJ 50033/64 -1995
半导体分立器件
3CD010型低频大功率晶体管
详细规范
semiconductor discrete deviceDetail specification for type 3CD010Low -frequency and high -power transistor1995-05-25发布
1995-12-01实施
中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
3CDD10型低频大功率晶体管
详细规范
Semiconduclor discrete deviceDetail epecification for type 3CDO 10Lowfrequency and high -- puwer iransistmr1范围
1.1主题内案
SJ50033/64—1995
本规范规定了3CDO10B~-F型低频大功率晶体管（以下简称器件)的详细要求。1.2适用范围
本规范适用于器件的研究、生产和采购。1.3分类
本规范根据器件质量保证等级进行分类。1.3.1器件的等级
按GJB33半导体分立器件总规范>1.3的规定，提供的质量保证等级为普军、特率和超特军三级，分别用字母GP、GT和GCT表示。2引用文件
GB4587—84双极型晶体管测试方法GB7581-87半导休分立器件外形尽寸GJB 33—85
半导体分立器件总规范
GJB128--86半导体分立器件试验方法3要求
3.1详细要求
各项要求应按GJB33和本规范的规定。3.2设计、结构和外形尺寸
器件的设计、结构和外形尺寸应按GB 33和本规范的规定。3.2.1引出端材料和涂层
引出端材料应为可伐。引出端表面应为锡层或镍层。中华人民共和国电子工业部1995-05-25发布1995-12-01实施
TKAONKAca
3.2.2器件结构
采用扩散台面或外延台面结构。3.2.3外形尺寸
SJ 50033/641995
外形尺寸应符合 GB 7581 的 B2-01B 型及如一的规定。 见图 1。oz
1基攻
2-发射炙
集电极接外壳
3.3最大额定值和士要电特性
3.3.1最大额定值
3CDO1OB
3CP010C
3CDOLOE
3C010F
Te=25C
图13CD010外形图
注：1)TC>25C时按60mW/C的速率线性地降额。2
R2 -01B
- 55 175
3.3.2主要电特性(T,=25℃）
Vce=5V
3CD010B~C
3CD1NT)~-F
黄：4n~80
绿：60-120
蓝:100～t80
3.4电测试要求
VcE st
SJ50033/64-1995
Vea oe
最大值
最大值
电测试应符合GB4587及本规范的规定。3.5标志
标志应符合 GJB 33 和本规范的规定。质量保证规定
4.1抽样和检验
抽样和检验应按GIB33的规定。
4.2鉴定检验
鉴定检验应按GJB33的规定
4.3筛选(仅对 GT 和 GCT级）
Vee=sV
F=IMHz
最小植
Va=loV
25≤TC75T
最人值
筛选应按GJB33表2和本规范的规定。其测试应按木规范表1的规定进行，耀过本规范表1极严值的器件应了剔除。
（见GJR 33的表 2)
7.中间电参数测试
8.功率老化
9.最后测试
4.4质量--致性检验
质量一致性检验应按GJ333的规定，4.4.1A组检验
试以试临
Icson和 hrEi
功率老化条件如下：
F = 162.5 - 12.5C
VcE=25V
按本规范表 1 的 A2分组
个Icmm≤初始值的 100 %或 50gA,联教大者
△FE1≤初始值的±20%
A组检验应按GJB33和本规范表1的规定避行。TTKAONKAca-
4.4.2 B组检验
SJ50033/64-1995
B组检验应按 GIB 33 和本规范表2 的规定进行。4.4.3 C 组检验
C 组检验应按 GJB 33 和本规范表 3 的规定进行。4.5检验方法
检验方法应按本规范相应的表和下列规定：4.5.1脉冲测试
脉冲测试条件应按GIB 128的 3.3,2.1 的规定。表 1 A组检验
检验或试验
A1分组
外观及机核检验
A2分距
集电极一发射极
击蔡电压
3CD010B
3CL010C
3CDO1OI
3CDO10E
3CD010F
发射极一基极
击穿电压
巢电极一基圾
截止电流
集电极一发射极
截止电流
集电极一发射极
饱和电压
3CDO10B-C
3CDO10D～F
基报一发射极
饱和电压
3CDD1B--C
3CD010D～F
正问电流传输比
3CD010B～F
GJB 128
本规范
附录A
GB4587
发射锻基极并路
Je=3mA
渠电极一基极开路；
发射极一基极开路:
VcB - VcRO
发射极一基极π路：
Ver=0.5Vera
Ic=0.5A; I,=0.1A
脉冲法(见 4.5.1)下载标准就来标准下载网
Ic=D.5A,Iμ=0.IA
脉冲法(见4.5,1)
Vee= 5V
脉冲法(见4.5.1)
VHRUCE
Y(ER)EO
极限值
最小值最大值
检验或试验
A3分经
高温T作
集出极基极
截止电流
低福工作：
正向电流传输比
3CD010B~F
A4 分组
特征短率
A5分组
安全工作区
（查济）
试验1
试验2
试验3
3CDOLOB
3CD010C
3CD010D
3CL010E
3CDUI0F
最后朗试：
SJ 50033/64 -1995
续表1
GB4587
方缺！
TA= 125±5t
发射极一基极开路;
Va=0.7Vcnc
TA = -55t
Ves-sV
脉冲法（见4.5.1）
VeE SV
J_1MHz
Je=25t
1= I,单次
Vur-10V
Vee=20V
Va=100V
le=49mA
Va=150V
1=27mA
Ve = 200V
Ic=17mA
Ven=250V
Ie- 13mA
Vee 300V
1c=1nma
见表 4 步骤 1 和 3
极限值
最小值最大值
TKAONKAca-
检验或试验
BI 分组
可煤性
标志耐久性
B分组
燃冲击
（温度循环）
α.细检溺
b.粗检漏
最后渊试：
B分组
稳态工作寿台
最后测试：
R4分组
（仅对CCT级）
开内部目检
(设计核实)
键合强度
B6分组
高温寿命
(非工作状态)
最后测试；
检验或试验
CI分组
外形尺寸
C2 分组
热冲书
【玻璃应力）
引出端强度
SJ 50033/64-1995
表 2B组检验
GJB 128
低摄-55t
其余为试验条件 F
试验条件 H
试验象件F
见表 4 步骤 1 和 3
T,=162.3→12.sC
Vu-25V
见表4步薪2和4
试验条件 A
TA=175U
见表 4 步骤 2 和 4
表 3C组检骑
GB 128
见图1
试验条件B
试验条件A
外加力：20N
时间：10s
受试引出端强数：2
每批一个
器件，
0失效
20(C= 0)
极限值
最小值
最大值
检验或试验
a.细检混
b.粗检漏
综合温度/湿度
周期试验
外观及划械检验
最后测试：
C3分组
变赖振动
恒定加速度
最后测试：
C4 分组
（适用时）
盐气(侵蚀)
C6分组
稳态工作寿命
最后测试：
C8分组
GB4587
SJ50033/64-1995
续表3
GJE 128
试验条件 H
试验条件 F
见表 4 步骤 1 和 3
见表 4 步骤 [ 和 3
T,= 162.5±12.5C
Vee-25V
见表4步骤2和4
Vce- 10V
2st≤TTst
Kthi-e
表4A组、B组和C组最后测试
GB 4587
电锣一基
极酸止中流
集电极一基
极截止电流
正向电摘比
3CD010B-F
正向电流传输比
3CD010B--F
发射极一基极开路；
Vca- VLin)
发射极一基授开路;
Va= Vcp
脉治法(见 4,5. 1)
脉神法[见, 4.5. 1]
注：1)本测试超过A极限值的器件不应接收。5交货准备
极限值
最小值最大值
极限值
最小值
h初始值
的±25%
最大值
rKAoNiKAca
5.1包装要求
包装要求应按GJB33的规定。
5.2贮存要求
贮存要求应接 GJB 33 的规定。5.3运输要求
运输要求应按G[B33的规定。
6说明事项
6.1预定用途
S.I 50033/64-1995
符合本规范的器件供新设备设计使用和供现有的后勤保障用。6.2订货资料
合同戴订货单应规定下例内容：本规范的名称及编号：
b。 等级(见 1.3.1)
c.数量：
d。需要时，其他要求。
6.3对引出端材料和涂层有特殊要求时，应在合同或访货单中规定（见3.2.1)。6.4如需要时，典型特性曲线等可在合同或订货单中规定。6.5直流安全工作区见图2，
=SCDotob
3cp0i0
3CDU[0F
集电极一发射极电压Va(V)
图23CD010的直流安全工作区
附录A（标准的附录）
A1目的
集电极一发射极击穿电压测试方法本测试的目的是为了在规定的条件下，确定器件的击穿电压是否大于规定的最低极限。A2测试电路图
图Al集电极一发射极击穿电压测试电路注：在测试电流时，电流表的接头之间实际上可看成短路，或对电压表读数作对电流表压降的校正。A3测试步骤
限流电阻R1应足够大，以避免过度的电流流过晶体管和电流表。施加规定的偏置条件，增加电压直到规定的测试电流。如果在规定的测试电流下所加的电压大于V(BRICEn的最低极限，器件为合格。本测试方法用于表现器件的负阻击穿特性，在这种情况下必须使晶体管的集电极电流及结温保持在安全值以内。
A4规定条件
a：环境温度工A
b．测试电流Tc。
附加说明：
本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由中国电子技术标雅化研究所负责起草。本规范士要起草人：蔡仁明、终桂云。计划项目代号：B21006。
TKAONKAca
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