SJ 50033.66-1995 半导体分立器件 3DD880型低频大功率晶体管详细规范 SJ50033.66-1995 标准下载解压密码：www.bzxz.net

中华人民共和国电子行业军用标准FL5961
SJ50033/66-1995
半导体分立器件
3DD880型低频大功率晶体管
详细规范
Semiconductor discrete deviceDetail specification for type 3DD880low -- freguency and high-power transistor1995-05-25发布
1995-12-01实施
中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电字行业军用标准半导体分立器件
3DD880型低频大功率晶体管
详细规范
Semiconduclor discrete deviceDetafl speciflcation for type 3DD880low -- frequency and high-power lransistor1范围
1.1 主题内容　
SJ50033/66-1995
本规范规定了3DD880型低频大功率品体管（以下简称器件）的详细要求。1.2适用范围
本规范适用于器件的研究,生产和采购。1.3分类
本规范根据器件质量保证等级进行分类。1.3.1器件的等级
按GIB.33(半导体分立器件总规范>1.3的规定，提供的质量保证等级为普军级，用字母GP表示。
2引用文件
GB4587-84双极型品体管测试方法GB 7581—87
GIB 33—85
GJBT2R—86
3要求
3.1详细要求
半导体分立器件外形尺寸
半导体分立器件总规范
半导体分立器件试验方法
各项要求应接 GJB33和本规范的规定。3.2设计、结构和外形尺寸
器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB 33和本规范的规定。3.2.1引出端材料和涂层
引出端材料应为铜。引出端表面应为锅层或镍层中华人民共和国电子工业部1995-05-25发布1995-12-01实施
rKAOKAca
3.2.2器件结构
采用扩散台面或外延台面结构。3.2.3外形尺寸
SJ50033/66-J995
外形尺寸应符合 GB 75B1 的 F3 -03A 型及如下的规定。见图 1。F
一基极
2—架宅极
3一发射极
3.3最大额定值和主要电特性
3.3.1最大额定值
F3 - 03A
符号尺司
图13DD880外形图
3DD880
Te=25r
TA=2sC
SJ 50033/661995
注：1)Tc>25℃时按0.24W/℃的速率线性胞降额。2) T,>25℃时按 12mW/C的速率线性地降额。3.3.2
主要电特性(T=25）
极限值
3DD880
Ver=sV
60-300
3.4电测试要求
Je= 3A
最大道
最大值
电测试应符合GB4587及本规范的规定。3.5标志
标志应符合GJB33和本规范的规定。4质量保证规定
4.1抽样和检验
抽样和检验应按GJB33的规定。
4.2鉴定检验
鉴定检验应按 GIB 33 的规定。4.3质量一致性检验
质量一致性检验应接GIB33的规定。4.3.1 A组检验
最小值
A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4.3.2 B组检验
B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行。4.3.3心组检验
C组检验应按GTB33和本规范表3的规定进行。4.4检验方法
捡验方法应按本规范相应的表和下列规定：4.4.1脉测试
脉冲测试条件应接GJB128的3.3.2.1的规定。Ic
(μna)
-55~150
Vu:- 10V
25t≤Te≤75t
最大道
TKAONKAca
撃或试验
AI分组
外观及机战检验
A2分组
电极一发车级
击穿电压
发射极一基极
击窦电压
票电极一薪极
截止电既
梁电极一发射级
截止电流
集电极一发射圾
饱和电压
集极一发射极
正向电疏传输出
A3分组
高温工作：
集电极一基极
戴止电流
低温工作：
正向电统传输比
A4分组
特征频率
下降时间
A5分组
安全工作
（直流）
试验1
试验 2
试验3
最后测试：
CJB128
本规范
除录A
附录 A
SJ50033/66-1995
表 1 A组检验
GB4587
发射极一基被开路;
巢电极一基极并路;
1 Ie- 1mA
发射极一基极开路：
VcB =60V
发射极一基极开路：
VCE=3nV
脉冲法(见4.5.1)
Vce -5V
脉冲法(见4.5.1)
: VcE=5V
脉冲法(见 4.5.1)
F,= 100 =5t
发射极一基极F路；
ee= 42V
TA- - SSC
Vee =5V
脉冲法(见 4.5. 1)
Fe-0,SA, f-IMHz
Ic = 2. 0A
[a1= - Im=0.2A
Te-25c
1=18,单次
Yee=10V
Yer= 20V
Ve:-60V
Fe—10mA
乳表 4 步骤 1 和 3
LTPD符
VABRUCEO
V(ER)EBO
极限值
最小值最大值
检验或试验
B1分组
可焊性
标志耐久性
B2分组
热冲击
(湿度循环)
最后测试：
B3分组
稳态工作寿命
最后测试：
B6分组
商温寿命
(非工作状态)
最后测试：
检验或试验
C1分组
外形尺寸Www.bzxZ.net
C2 分组
引出端强度
综合温度/症度
周期试验
外观及机械检验
最后测试：
C3分组
变频振动
最后测试：
SJ50033/66-1995
表 2B组检验
GJB128
低温-55℃
其余为试验条件 F
见表 4 步骤 1 和 3
r =145±st
Vce 20V
Pr,= 1.5W
见表4步骤2和4
TA=150
死表 4 步骤 2 和 4
表3C组检验
见图1
试验条件 A
外加力：10N
时间：108
受试引出端数：3
见表 4步骤1 和 3
见表4步骤1和3
极限值
最小值最大值
TTKAONKAca-
检验或试验
C6 分组
稳态工作寿命
最后测试：
C8分组
CB 4587
SJ50033/66-1995
续表3
GJB128
-145i5c
Vee=20V
见表 4 步案 2 和 4
Vce= 10V
25TATA75C
1 = 10
表 4 A 组、B组和 C 组最后测试GB4587
集电极一基及截
集电极一基极截
正向电流传输比
正向电流传输比
发射极基极芹路;
Vee = 60V
发射极一基极开路;
VcA = 60 V
VeE=5Vfc-0.5A
脉冲法（见4.5.1)
Vu =0.SV, Je= 15A
脉冲法(卫4.5.1)
注：1)木测试超过 A组圾限值的器件不应接收。5交货准备
5.1包装要求
包装要求应按GJB33的规定。
5.2忙存要求
贮存要求应按 GJB 33的规定。
5.3运输要求
运输要求应按 GJB 33的规定。
6说明事项
6.1预定用途
Aheen)
符合本规范的器件供新设备设计使用和供现有的后保障用。6.2订货资料
合同或订货单应规定下列内察：a：本规范的名称及编号；
极限值
量小值
最大值
极限值
最小催
最大值
韧始值的±25%
等级(见 1.3.1);
数量：
要时,其他要求。
SI50033/661995
6.3对引出端材料和涂层有特殊要求时，应在合同或订货单中规定（见3.2.1）。6.4如需要时，典型特性也线等可在合同或订货单中规定。6.5直流安全工作区见图2。
60 104
电极一发射极电压meV)
图231DD880的直流安会工作区
TTKAONKAca-
附录 A(标准的谢录)
A1目的
集电极一发射极击穿电压测试方法本测试的尽的是为了在规定的条件下，确定器件的击穿电压是否大于规定的最既极限，A2浏试电路图
图A1集电极一发射极击穿电压测试电路社：在测试电流时，电流表的接头之间实际上可看成窥路，或对电压表读效作因电流表压降的校正。A3测试步瑕
限流电阻R1应足够大，以避免过度的电流疏过晶体管和电流表。施加规定的偏置条件，增切电压直到规定的测试电流。如果在规定的测试电流下所奶的电压大于ViBR)CEa的最低极限，器件为合格。本测试方法用于表现器件的负阻击穿特性，在这种情况下必须使晶体管的集电极电流及结温保持在安全值以内。
A4规定条件
环境温度TA
测试电流Ic。
附加说明：
本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由中国电了技术标准化研究所负责起草。本规范主要起草人：蔡仁明、恪云。计划项目代号：B21009。
YIKAONIKAca-
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