SJ 50033.68-1995
基本信息
标准号： SJ 50033.68-1995
中文名称：半导体分立器件 BT51型NPN硅小功率差分对晶体管详细规范
标准类别：电子行业标准(SJ)
标准状态：现行
出版语种：简体中文
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标准分类号
关联标准
出版信息
相关单位信息
标准简介
SJ 50033.68-1995 半导体分立器件 BT51型NPN硅小功率差分对晶体管详细规范
SJ50033.68-1995
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标准内容
中华人民共和国电子行业军用标准FL5961
SJ50033/68-1995
半导体分立器件
BT51型NPN硅小功率差分对
晶体管详细规范
Semiconductor discrete deviceDetail specification for type BT51 NPN siliconsmall power difference matched - pair transistor1995-05-25发布
中华人民共和国电子工业部
1995-12-01实施
中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
BT51型NPN硅小功率差分对
晶体管详细规范
Scmiconductor discrele dcvice DetailspecificationfortypeBr51Npy-siliconsmallPower difference matched -- pair fransistor1范围
1.1主题内容
SJ 50033/68-1995
本规范规定了 BT51 型 NPN 硅小功率差分对晶体管(以下简称器件)的详细要求。1.2适用范围
本规范适用于器件的研充、生产和采购。1.3分类
本规范根据器件质量保证等级进行分类。1.3.1器件的等级
按GJB33(半导体分立器件总规范)1.3的规定，提供的质量保证等级为普军、特军和超特军级三级,分剥用字母 GP,GT 和 GCT 表示。2引用文件
GR4587-84双极型晶体管测试方法GR 7$81--87
GJB 33—85
GJB128—R6
3要求
3.1详细要求
半导体分立器件外形尺叶
半导体分立器件总规范
半导体分立器件试验方法
各项要求应按 GIB 33 和本规范的规定。3.2设计、结构和外形尺中
器件的设计结构和外形尺小应按GIB33和本规范的规定：3.2.1引出端材料和涂层
中华人民共和国电子工业部19950525发布1995-12-01实施
-YIKAONTKAca
SJ 50033/68 -- 1995
引出材料为可伐，引出表面涂层应为镀金，镀锡或浸锡。对引出端材料和涂层要求选择或另有要求时，在合同或订单中应明确规定【见6.4)。3.2.2器件结构
器件采用 NPN 硅外延平面双极型结构。3.2.3外形尺寸
外形尺寸应符合GB7581的A6-02A型及如下规定。见图1。1.45
+0.35(Mx(M
=b.35国xM
图1外形图
3.3最大额定值和主要电特性
3.3.1最大额定值
100×2
注:11 Tc>25C时按 0.57W/C的迪率降额。3.3.2主要电特性(TA=25C)
A6 — 02A
标称值最大值
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引出端极性
1. 发射极 1 7. 发射极 2
2.基被18.基被2
3.集电极15.集电极2
-55~150
符号(单位)
hrei/ hpez1
Coko（pF）
生：1)较大的数为分母。
3.4标志
SJ 50033/68 -- 1995
测试条件
V'ce - 5V, Ic = 10mA
I: - 10mA, e - ImA
I, = 10mA, Vc= 10V,
f=30MHz
Vee=5V
Ic= 10mA
Vca = 10V, f - 1MHz
器件的标志应符合GIB33的规定：4质量保证规定
4.1抽样和检验
抽样和整验应按GJB33和本规范的规定，4.2鉴定检验
鉴定检验应按GJIB 33的规定。
4.3筛迷(仅对 GT和 GCT级）
有型号
所有型号
所有型号
新有型号
极限值
最小直最大值
筛选应按GJB33和本规范的规定，其测试应按本规范表1进行。超过本规范表1极限值的器件应子剔除。
了.中间电参数和△参数测试
8.功率老化
9.最后测试
4.4质量一致性检验
质量一致性检验应按GIB 33的规定。4.4. 1 A 组检验
IcBO, hse. hFE1/hrE?
测试和试验
Ta=25±3C, Vcm= 10V, P= 100mW×2按本规范表 1 和 A2 分组
2[B=初始值的100%或0.5mA取其较大者Fe -± 20%
A组检验应按 GJB 33和本规范表 1的规定进行。.4.4.2书组检验
R组检验应按 GJR 33 和本规范表 2 的规定进行。最后测试和变化量(4)要求按本规范表 4 的步骤进行。
4.4.3C组检验
TTKAONKACa-
SJ 50033/68 --1995
C组检验应按GIB33和木规范表3的规定进行。最后测试和变化量（4）要求按本规范表4的步骤进行。
4.5检验和试验方法
4.5.1 脉冲测试
脉冲测试条件应接GIB 128的 3.2.1的现定。4.5.2基极-发射极电压测试
将两个单管的发射极连接在一起，对每个单管采用规定的试验条件并符合GB4587的24方法，在两单管之直接测得基极一发射极的电压差iVE1一VEF2。4.5.3基极一发刻极电压整随温度变化的测试按本规范4.5.2条规定的方法，在两个规定的温度下測试基极一发射极电压差的数值,并按如下公式计算：
I Z(VBEI - VBE2ATA I=I (VBEI - VBE2)TAI - (VEEI - VBE2)TA2 I表1 A组检验
检验或试验
A1分组
外迎和机撼检验
A2分组
巢片极一基极击穿
GIB128
发乐极一基级击穿2.9.2.2
集电被一发射极击
穿电尺
本规范
附录A
美极一基极截止2.1
驾电披一发射板载2 14
止电流
向电流传描比
集电极一发射极炮
和电压
基极——发射极泡
和电压
芷向电萍传输比
(增益比）
GB 4587
发射极一基极
fe-10μA
巢电圾一基圾
Ig = 10μA
发射极一基殼
Ie=10μA
发射极一基极
VR= 10V
发射极一基极
Va-10V
fe=10mA
Je=10mA
Je=1m4
fc=10mA
Ig~ImA
fe=10mA
V(ERICO
V(RIFBO
VRICEO
VeEeet
VBEant
极限停
最小筐
最大值
检或试验
基圾一发射极电压
(非单和）绝对差值
基凝一发射极电压
(非饱和)随温度变
化的绝对差值
基盈一发射锻电压
(非饱和)随温度变
化的绝对并慎
A3分组
高温工作
集电极基极截止2.1
低温工作
正尚电流传输比
A4分组
开路输出电奔
特征频率
A5, A6 和 A7 分组
不适用
检验或战验
B1分组
可焊性
标志的耐久性
GD4587
Sl 50033/68 -1995
续表1
Fe=ImA
Yoe-sV
Ie=lmA
TA=25℃
和-55℃
Ic-ImA
TA=25C
和125℃
TA=150℃
发射极一基
极开路
Vra=lav
Ta\-55℃
Je=10mA
Vee-10V
J=1MHz
Ve-10V
e=10ma
F=30MH
V HEI- Vezl
IA(Vrm-Vne2)
a( Ve- Vara)
表 2 B组检验
GJB128
极限值
最小道
最大值
TrKAONKAca-
检验或试验
坨分组
热冲击(湿度循环)
a.继检漏
b.短检痛
最后渊试
稳态工作寿命
最后测试：
B4 分组
开唱内部目检（设计验证）
键合强度
B5 分组
不适用
B6 分组
高温寿命(不工作)
最后测试
检验或试验
CI分组
外形尺
C2分组
热时击（玻璃应力）
引出端强度
a.绷检凝
b.粗检漏
综合温度/湿度
周期试验
外观及机斌检验
最后测试：
SJ 50033/68-1995
续表 2
GJB12B
试验条件-1-55℃～175℃
试验条件H
试验条件 F
见表4.骤1、3和4
V = 10V, Pu = 100mW × 2, T, -25℃.不允许器件加散热器或强迫风冷见表 4 步骤 2,3、5、6 和 7
日检标准按鉴定时的设计
试验条件 A
TA= 175℃
见表4.步骤2、3、5、6和7
表3C组检验
GIR128
现图1
试验条件A
试验条件 E
试验条件 H
试验茶件F
见表 4 步骤 1,3 和 4
每批一个器件
0失效
20(C-0)
C3分组
检验甄试验
变频振动
恒定如速度
最后测试：
C4分组
盐气(适用时)
CS分组
不适用
C6分组
稳态工作荐命
最后测试
检验或试验
集电轻一基极截山电流
巢电设·基极凝止电流
基极一发射极电压(非
饱和绝对差值
正向宅源传输比
(增茎比)
正向电流传输比
(增益比)
基凝一发射极电压
(非恼和)随温度变化
的绝对差值
基及一发射极电压
(非恼和)随漏度变化
的绝双差值
SJ 50033/68-1995
续表3
GJB128
见表 4 步骤 1.3 和 4
TA=25+3r, V=10V,
Pm=100mW×2个允许器件加散慧暴或强道风冷见表 4,步骤 2.3,5,6 和 7表 4 B组和 C组最后试
GB4587
盘射极一基极开路
Van-10V
发射极基极开路
Vec- LOV
Vur=5V,f±=10mA
( 4 5 2)
V=5V Ic=10A
VrF= 5V Ic-10A
YcE=10V,Ic-ImA
TA=25C和-55C
Vee= SV.ie=1mA
T,=25C和 12$C
I Yei - Vez l
hE/hpn
hFE/hm
IA YrEy - Veea
I2, VnEl - Vr2 1
极限值
TKAONKAca
5交货准备
5.1包装要求
包装要求应按CJB33的规定。
5.2贮存要求
贮在要求应按 GIB 33 的规定,
5.3运愉要求
运输要求应按 GIB 33 的规定,
6说明事项
6.1预定用途
SJ 50033/68-1995
符合本规范的器作供新设备设计使用和供现有的后勤保障用。6.2订货资料
合同或订货单应规定下刻内容：a.本规范的名称和编号；
b，等级；
c．数量：
d。需要时，其他要求
6.3定义
6.3.1tre/hrEz2正向电流传输比（增益比)，每个管芯的稳态正向电流传输比绝对率。6.3.2VrE1VBE2I各管芯之旬基叛一发射极电压差的绝对值。6.3.34VE-VgEz)ATAI两个不同温度下各管芯之间基极发射极电压差之间代数差的绝对值
6.4对引出端涂层有特殊要求时，应在合间或订货单中规定（见3.2.1)。如使用单位需要时，典型特性曲线等可在合问或订货单中规定。8
附录 A(标准的附录）
Al目的
集电极一发射被击穿电压溯试方法本测试的目的是为了在规定的条件下，翁定晶体管的击穿电压是否大于规定的最低极限。A2测试电路
测试电路见图A1
图A1集电极发射极击穿电压测试电路A3测试步骤
R1为限流电阻器，其阻值应足够大，以避免过度的电流流过晶体管和电流表。在发射极一基极开路的条件下，增加电压直到达到规定的测试电流。如果在规定的测试电流下所加的电压大于V(BR)CEu的最低极限值.则器件为合格。附加说明：
本舰范由中国电了使术标准化研究所妇口。本规范由国营第九七)厂起草。
本规范主要起草人：批杰、李长运、王长福。计划项目代号：B21010。
YrKAOiKAca-
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SJ50033/68-1995
半导体分立器件
BT51型NPN硅小功率差分对
晶体管详细规范
Semiconductor discrete deviceDetail specification for type BT51 NPN siliconsmall power difference matched - pair transistor1995-05-25发布
中华人民共和国电子工业部
1995-12-01实施
中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
BT51型NPN硅小功率差分对
晶体管详细规范
Scmiconductor discrele dcvice DetailspecificationfortypeBr51Npy-siliconsmallPower difference matched -- pair fransistor1范围
1.1主题内容
SJ 50033/68-1995
本规范规定了 BT51 型 NPN 硅小功率差分对晶体管(以下简称器件)的详细要求。1.2适用范围
本规范适用于器件的研充、生产和采购。1.3分类
本规范根据器件质量保证等级进行分类。1.3.1器件的等级
按GJB33(半导体分立器件总规范)1.3的规定，提供的质量保证等级为普军、特军和超特军级三级,分剥用字母 GP,GT 和 GCT 表示。2引用文件
GR4587-84双极型晶体管测试方法GR 7$81--87
GJB 33—85
GJB128—R6
3要求
3.1详细要求
半导体分立器件外形尺叶
半导体分立器件总规范
半导体分立器件试验方法
各项要求应按 GIB 33 和本规范的规定。3.2设计、结构和外形尺中
器件的设计结构和外形尺小应按GIB33和本规范的规定：3.2.1引出端材料和涂层
中华人民共和国电子工业部19950525发布1995-12-01实施
-YIKAONTKAca
SJ 50033/68 -- 1995
引出材料为可伐，引出表面涂层应为镀金，镀锡或浸锡。对引出端材料和涂层要求选择或另有要求时，在合同或订单中应明确规定【见6.4)。3.2.2器件结构
器件采用 NPN 硅外延平面双极型结构。3.2.3外形尺寸
外形尺寸应符合GB7581的A6-02A型及如下规定。见图1。1.45
+0.35(Mx(M
=b.35国xM
图1外形图
3.3最大额定值和主要电特性
3.3.1最大额定值
100×2
注:11 Tc>25C时按 0.57W/C的迪率降额。3.3.2主要电特性(TA=25C)
A6 — 02A
标称值最大值
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引出端极性
1. 发射极 1 7. 发射极 2
2.基被18.基被2
3.集电极15.集电极2
-55~150
符号(单位)
hrei/ hpez1
Coko（pF）
生：1)较大的数为分母。
3.4标志
SJ 50033/68 -- 1995
测试条件
V'ce - 5V, Ic = 10mA
I: - 10mA, e - ImA
I, = 10mA, Vc= 10V,
f=30MHz
Vee=5V
Ic= 10mA
Vca = 10V, f - 1MHz
器件的标志应符合GIB33的规定：4质量保证规定
4.1抽样和检验
抽样和整验应按GJB33和本规范的规定，4.2鉴定检验
鉴定检验应按GJIB 33的规定。
4.3筛迷(仅对 GT和 GCT级）
有型号
所有型号
所有型号
新有型号
极限值
最小直最大值
筛选应按GJB33和本规范的规定，其测试应按本规范表1进行。超过本规范表1极限值的器件应子剔除。
了.中间电参数和△参数测试
8.功率老化
9.最后测试
4.4质量一致性检验
质量一致性检验应按GIB 33的规定。4.4. 1 A 组检验
IcBO, hse. hFE1/hrE?
测试和试验
Ta=25±3C, Vcm= 10V, P= 100mW×2按本规范表 1 和 A2 分组
2[B=初始值的100%或0.5mA取其较大者Fe -± 20%
A组检验应按 GJB 33和本规范表 1的规定进行。.4.4.2书组检验
R组检验应按 GJR 33 和本规范表 2 的规定进行。最后测试和变化量(4)要求按本规范表 4 的步骤进行。
4.4.3C组检验
TTKAONKACa-
SJ 50033/68 --1995
C组检验应按GIB33和木规范表3的规定进行。最后测试和变化量（4）要求按本规范表4的步骤进行。
4.5检验和试验方法
4.5.1 脉冲测试
脉冲测试条件应接GIB 128的 3.2.1的现定。4.5.2基极-发射极电压测试
将两个单管的发射极连接在一起，对每个单管采用规定的试验条件并符合GB4587的24方法，在两单管之直接测得基极一发射极的电压差iVE1一VEF2。4.5.3基极一发刻极电压整随温度变化的测试按本规范4.5.2条规定的方法，在两个规定的温度下測试基极一发射极电压差的数值,并按如下公式计算：
I Z(VBEI - VBE2ATA I=I (VBEI - VBE2)TAI - (VEEI - VBE2)TA2 I表1 A组检验
检验或试验
A1分组
外迎和机撼检验
A2分组
巢片极一基极击穿
GIB128
发乐极一基级击穿2.9.2.2
集电被一发射极击
穿电尺
本规范
附录A
美极一基极截止2.1
驾电披一发射板载2 14
止电流
向电流传描比
集电极一发射极炮
和电压
基极——发射极泡
和电压
芷向电萍传输比
(增益比）
GB 4587
发射极一基极
fe-10μA
巢电圾一基圾
Ig = 10μA
发射极一基殼
Ie=10μA
发射极一基极
VR= 10V
发射极一基极
Va-10V
fe=10mA
Je=10mA
Je=1m4
fc=10mA
Ig~ImA
fe=10mA
V(ERICO
V(RIFBO
VRICEO
VeEeet
VBEant
极限停
最小筐
最大值
检或试验
基圾一发射极电压
(非单和）绝对差值
基凝一发射极电压
(非饱和)随温度变
化的绝对差值
基盈一发射锻电压
(非饱和)随温度变
化的绝对并慎
A3分组
高温工作
集电极基极截止2.1
低温工作
正尚电流传输比
A4分组
开路输出电奔
特征频率
A5, A6 和 A7 分组
不适用
检验或战验
B1分组
可焊性
标志的耐久性
GD4587
Sl 50033/68 -1995
续表1
Fe=ImA
Yoe-sV
Ie=lmA
TA=25℃
和-55℃
Ic-ImA
TA=25C
和125℃
TA=150℃
发射极一基
极开路
Vra=lav
Ta\-55℃
Je=10mA
Vee-10V
J=1MHz
Ve-10V
e=10ma
F=30MH
V HEI- Vezl
IA(Vrm-Vne2)
a( Ve- Vara)
表 2 B组检验
GJB128
极限值
最小道
最大值
TrKAONKAca-
检验或试验
坨分组
热冲击(湿度循环)
a.继检漏
b.短检痛
最后渊试
稳态工作寿命
最后测试：
B4 分组
开唱内部目检（设计验证）
键合强度
B5 分组
不适用
B6 分组
高温寿命(不工作)
最后测试
检验或试验
CI分组
外形尺
C2分组
热时击（玻璃应力）
引出端强度
a.绷检凝
b.粗检漏
综合温度/湿度
周期试验
外观及机斌检验
最后测试：
SJ 50033/68-1995
续表 2
GJB12B
试验条件-1-55℃～175℃
试验条件H
试验条件 F
见表4.骤1、3和4
V = 10V, Pu = 100mW × 2, T, -25℃.不允许器件加散热器或强迫风冷见表 4 步骤 2,3、5、6 和 7
日检标准按鉴定时的设计
试验条件 A
TA= 175℃
见表4.步骤2、3、5、6和7
表3C组检验
GIR128
现图1
试验条件A
试验条件 E
试验条件 H
试验茶件F
见表 4 步骤 1,3 和 4
每批一个器件
0失效
20(C-0)
C3分组
检验甄试验
变频振动
恒定如速度
最后测试：
C4分组
盐气(适用时)
CS分组
不适用
C6分组
稳态工作荐命
最后测试
检验或试验
集电轻一基极截山电流
巢电设·基极凝止电流
基极一发射极电压(非
饱和绝对差值
正向宅源传输比
(增茎比)
正向电流传输比
(增益比)
基凝一发射极电压
(非恼和)随温度变化
的绝对差值
基及一发射极电压
(非恼和)随漏度变化
的绝双差值
SJ 50033/68-1995
续表3
GJB128
见表 4 步骤 1.3 和 4
TA=25+3r, V=10V,
Pm=100mW×2个允许器件加散慧暴或强道风冷见表 4,步骤 2.3,5,6 和 7表 4 B组和 C组最后试
GB4587
盘射极一基极开路
Van-10V
发射极基极开路
Vec- LOV
Vur=5V,f±=10mA
( 4 5 2)
V=5V Ic=10A
VrF= 5V Ic-10A
YcE=10V,Ic-ImA
TA=25C和-55C
Vee= SV.ie=1mA
T,=25C和 12$C
I Yei - Vez l
hE/hpn
hFE/hm
IA YrEy - Veea
I2, VnEl - Vr2 1
极限值
TKAONKAca
5交货准备
5.1包装要求
包装要求应按CJB33的规定。
5.2贮存要求
贮在要求应按 GIB 33 的规定,
5.3运愉要求
运输要求应按 GIB 33 的规定,
6说明事项
6.1预定用途
SJ 50033/68-1995
符合本规范的器作供新设备设计使用和供现有的后勤保障用。6.2订货资料
合同或订货单应规定下刻内容：a.本规范的名称和编号；
b，等级；
c．数量：
d。需要时，其他要求
6.3定义
6.3.1tre/hrEz2正向电流传输比（增益比)，每个管芯的稳态正向电流传输比绝对率。6.3.2VrE1VBE2I各管芯之旬基叛一发射极电压差的绝对值。6.3.34VE-VgEz)ATAI两个不同温度下各管芯之间基极发射极电压差之间代数差的绝对值
6.4对引出端涂层有特殊要求时，应在合间或订货单中规定（见3.2.1)。如使用单位需要时，典型特性曲线等可在合问或订货单中规定。8
附录 A(标准的附录）
Al目的
集电极一发射被击穿电压溯试方法本测试的目的是为了在规定的条件下，翁定晶体管的击穿电压是否大于规定的最低极限。A2测试电路
测试电路见图A1
图A1集电极发射极击穿电压测试电路A3测试步骤
R1为限流电阻器，其阻值应足够大，以避免过度的电流流过晶体管和电流表。在发射极一基极开路的条件下，增加电压直到达到规定的测试电流。如果在规定的测试电流下所加的电压大于V(BR)CEu的最低极限值.则器件为合格。附加说明：
本舰范由中国电了使术标准化研究所妇口。本规范由国营第九七)厂起草。
本规范主要起草人：批杰、李长运、王长福。计划项目代号：B21010。
YrKAOiKAca-
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