SJ 50033.73-1995 半导体分立器件 QL74型硅单相桥式整流器详细规范 SJ50033.73-1995 标准下载解压密码：www.bzxz.net

中华人民共和国电子行业军用标准FL5961
SJ 50033/73—1995
半导体分立器件
QL74型硅单相桥式整流器详细规范Semiconductor discrete deviceDelail specification for type QL74silicon single phase bridge rectifier1995-05-25发布
1995~12-01实施
中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
QL74型硅单相桥式整流器详细规范Scmiconductor discrete deviceDetail specification for type QL74silicon single phase bridge rectifier1范图
1.1主题内容
SJ50033/73-1995
本规范规定了电源设备用的QL.74型硅单相桥式整流器（以下简称器件）的详细要求，1.2适用范围
本规范适用于器件的研制、生产和采购。1.3分类
本规范根据器件质尽等级进行分类。1.3.1器件的等级
按GJB33《半导体分立器件总规范）1.3条的规定，提供的质量等级为普军和特军级，分别用字母GP和GT表示。
2引用文件
GB4023—86半导体分立器件第2部分：整流兰极管GIB 3385
半导体分立器件总规范
GIB 128—85 半导体分文器件试验方法3要求
3.1详细要求
各项要求应接GJB33和本规范的规定。3.2设计、结构和外形尺寸
器件的设计、结构和外形尺寸应按GIB33和本规范的规定。3.2.1引出端材料和涂层
引出端材料应为铜材，引出端表面应为锡层。对引出端涂层另有要求时,在合同或订货单中应子规定（见6.3条)。
中华人民共和国电学工业部1995.05-25发布1995-12-01实施
TKAONKAca
3.2.2器件结构
SJ50033/73-1995
器件采用二极管管芯烧结在基片上，装人金属外壳，用环氧树脂灌封。3.2.3外形尺寸
外形尺寸应符合本规范图1的规定。国
图1外形图
33最大额定值和主要电特性
3.3.1最大额定值
：1)Tc>55按142.8mA/C线性降。3.3.2主要电特性(T,=25C)
V（单管）
IFM=15A
re-35℃
tg=10mg
【m（单管）
V=VxwM
55 ~ + 125
最小值最大值
28.3228.82
17.4718.49
15.6916.74
13.4614.47
21.74|23.24
10.8411.35
55~+130
(R2（单营）
T= lot
VR= VRWM
3.4电测试要求
SJ 50033/73 -1995
电测试应符合GB4023及本规范的规定。3.5标志
标志应按 GJB 33 和本规范的规定。4质量保证规定
4.1抽样和检验
抽样和检验应按 GJB 33 和本规范的规定。4.2鉴定检验
鉴定检验应按接 GIB 33 的规定。4.3筛选（仅对GT级）
筛选应按 G/B 33的表2和本规范的规定。其测试应按木规范表1 进行。超过本规范表1极限值的器件应予别出。
(见GJB 33的表 2)
3、热冶击【摄度循坏】
4,恒定加速度
5、密封
6、高温反偏
7.中间参数测试
B、工作热循环
9,最后测试
4.4质量-致性检验
谢试或试验
除低温为 -55 C,循环 10次外,其余可试验条件 B不要求
不要求
TA-125r
IR、VrM
见本规范 4.5.2,其中循环 720次本规范表1的A2分组；
R-初始值的100%或500nA,取较大者。AVeM\±0.1V
质量--致性检验应按 GJB 33的规定由 A组、B组和 C组检验或试验组成。4.4. 1 A 组检验
A组检验应按GIB 33 和本规范中表 1 的规定进行。4.4.2B组扮验
B 组检验应按 GJB 33 和本规范中表 2 的规定进行。4.4.3C组检验
C组检验应按GIB33和本规范中表3的规定进行。4.5检验和试验方法
检验和试验方法应按本规范的表1、表2和表3以及下列规定。4.5.1脉冲测试
脉冲测试条件应按GJB128的3.3.2.1的规定。4.5.2工作热循坏
进行本须试验时，器件的交流端输入50Hz正弦被电压，保持器件的输出电流为10A，管壳TKAONKAca
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温度为55C，通电时间≥8min，断电时间t222min，为一个循环。断电期间使管壳温度下降至35芒以下，开始下一小循环。4.5.3绝缘强度
金属外壳接地，所有引出端接到直流电源高压端，在壳和引出端之间施加电压2000V，并保持10s，反向电流不超过10μA为合格。表A组检验
检验或试验
A1分组
外规和机械检验
A2分租
正间电玉(单管)
反向电流(单管)
A3分组
高温工
反向电流(单管)
A6 分期
浪通电流(单管)
最后测试：
A8分组
绝缘强
GJR 128
IV-12 3
GB 4023
[Fm=15A
tp=300gA
占空数会2%
Vn= Vnwm
Ta=loor
IV-141
见本规范
V,= VRwY
Te元sst
Irsm=100A
fo- sA
t,=10mg,每间隔
min狼涌1次，
共10次
见表4步骤1和2
见本规范
极到外壳加直流电压
Vr=2000V
极限值
最小值最大值
检验或试验此内容来自标准下载网
B1分组
可焊性
标志的配久性
B2分组
热神击(温度循环)
最后测试：
B3 分组
工作热循环
最后测试：
BG 分组
高温寿的（非工作状态)
最后测试
检验或试验
C1分组
外形尺寸
C2 分组
引出蹦强衰
综合温度/湿度周期试验
外观及机械检验最后测试：
C3分组
变频振动
最后测试：
C6分组
工作热循环
最后谢试：
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表 2 B组检验
GJB 128
见本规范4.5.2
除低激为 ~ 55tC,循环 10 次外其余同试验象件 B
见表 4 步骤 1 和 2
循环 1000 次
见表 4步骤 1、2 和 3
Ta=130
见表4步骤1、2和3
表 3 C组检验
CFB128
见本规范4.5.2
见图1
试验条件 A
1 = 10g
省略预处理
见表 4 步骤 1 和 2
见表 4 步骤 1 和 2
循环2000次
见表 4 步骤 1,2 和 3
-rKAONKACa-
反向电压
反向电流
危向电迹变化量
ST50033/73-1995
表 4 A组,B组和 C组电测试
GB 4023
Ipy=15A
1p= 300ps
占空因数≤2%
Va= VrWM
Va- VrwM
注：1)本测试中I超过A组极限值的器件不应接收。5交货准备
5.1包装要求
包装要求应按GJB 33的规定,
5.2贮存要求
避存要求应按GJB 33的规定。
5.3运输要求
运输要求应按GJB:33的规定。
6说明事项
6.1 预定用途
极限值
最小值
最大值
初始值的100%
或 300mA,取较
大者。
符合本规范的器件供新设备设计使用和供现有设备的后勤保障用。6.2订货资料
合同或订货单应规定下列内容：本规范的名称和编号；
b，等级(见1.3.1);
c、数量：
d，需要时的其他要求。
6.3对引出端材料和涂层有特殊要求时，应在合同或订货单中规定（见3.2.1)。如使用单位需要时，典型特性线可在合同或订货单中规定。单位
附录 A(标准的附录)
A1目的
正向【不重复)浪涌电流试验方法在规定条件下，验证二极管正向(不重复)滤电流的额定值。A2电路图
图A1正向（不重复)浪蒲电流试验电源理图A3电路图说明和要求
一测试通过被测二极管正向平均电流的仪表：P1-
一峰值读数仪表或示波器；
VDI-被测[二极管
R3——取样电正器;
一正向平均电流调定电阻器；
R2——浪涌电流的调定电阻器；A1-
-控制器；
G1·-—向被测管提供正向平均电流的电源；G2
—向被测管提供正向浪涌的电源；流过被测二极管提供止向平均电流应与正向浪涌电流相应位一致（见图A2）。TKAONKAca-
图中：
图A2FsM与IpM的相位示意图
IrsM\——正向浪涌电流：
IrM——正向峰值电流。
A4测试步骤
a。将 G1 和 G2 两电源都调至零；C
b、将被测管按其极性标志插人试验台的管座，并检查环境猛度；c.
调节G1和R1,使A测得的正向平均电流达到规定值；调节G2和R2，从P2上测得的峰值电压观测正向浪涌电流达到规定值：d
开启控制器，按下述规定的条件对被测管施加正向浪涌电流。e.
根据试验后的测试米验证被测管承受正向浪涌电流额定值的能力。A5规定廉件
正向浪涌中流的数值：
每次浪涌的周波数、浪涌次数和重复率：bh.
环境温度；
d、 试验后测试项目、极限值、測试条件。附加说明：
本规范由中国电子技术标雄化研究所归口。本规范主要起草人：金贵永，张滨。计划项目代号：B21031。
YIKAONIKAca-
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