SJ 50033.75-1995 半导体分立器件 3DG135型硅超高频小功率晶体管详细规范 SJ50033.75-1995 标准下载解压密码：www.bzxz.net

中华人民共和国电子行业军用标准FL5961
SJ50033/75-1995
半导体分立器件
3DG135型硅超高频小功率晶体管详细规范
Semiconductor discrete devicesDetail specificatian for type 3DG135 Silicon ultrahigh frequency low-power tansistor1995-05-25发布
1995-12-01实施
中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
3DG135型硅超高频小功率晶体管详细规范SJ50033/75-1995Semiconductor discrete devicesDetail specitication for type3DGt35silicon ultrahigh freguency low-power tausistor1范围
1.1主题内容
本规范规定了3DG135型硅超高频小功率晶体管的详细要求：1.2适用范围
本规范适用丁器件的研制、生产和采购：1.3分类
本规范根据器件质量保证等级进行分类。1.3.1器件的等级
按GJB33《半导体分立器件总规范)1.3条的规定，提供质量保证等级为军，特军和超待军三级,分别用字再 GP、GT 和 GCT 表示。2引用文件
GB4587—84双极型品体管测试方法GJB33--85半导体分立器件总规范GI3128—86半导体分立器件试验方法3要求
31详细要求
各项要求应符合GB33和本规范的规定。3.2设计,结构和外形尺寸
器件的没计、结构和外形尺寸应符合GJB33和本规范的规定。3.2.1引出端材料和表面涂层
引出端材料为可伐合金，引线表面镀金，32.2件结构
中华人民共和国电子工业部1995-05-25发布1995-12-01实施
TKAONKAca
采用硅平面外延双极遭结构。
3.2.3外形尺寸
外形尺寸见图1。
SJ50033/75-1995
引出端极性：E发射极；B一极基；C一集电极图 1外形尺寸
3.3最大额定值和生要电特性
3.3.1最大额定值
3DG135
注：1)当T，>25℃时按4.0mW/C线性降额。Yeeg
最小标称
65 ~ 200
主要电特性（TA=25）
数hFEt
最小值
晟大值
Yo=10V
Vee= 10v
Ic= 30mA/Ic = 0. ImA
3.4电测试要求
SJ 50033/751995
Vu=10V
Ig= 2mA
电测试应符合GB4587及本规范的规定。3.5标志
Ve=10V
1=30mA
Ver 10v
Ie - 40mA
f=500MHz
Vcg=10V
f=IMIz
标志应符合GJB33及本规范的规定，型号标志可不限于一行内，制造厂可省略器件上的下列标志：
。产品保证等级；
制造厂厂名、代号或商标：
检验批识别代码；
4质量保证规定
4.1 抽样和检验
抽样和检验应符合GJIB33和本规范的规定。4.2鉴定检验
鉴定检验应符合 GFR 33 的规定。4. 3筛选(仗对 GT 和 GCT 级)
筛选应按GJB33的表2和本规范的规定进行，下面测试应按本规范表1进行，超过本规范表1极限值的器件应予剔除。选
【见 GIB 3表2
7中间电参数
8功率老化
9最后测试
4.3.1功率老化条件
功率老化条件媚下：
Icou和hsEl
澳试或试验
本规范表 1 的 A2 分组
△fcx0为初给值的 100%,或nA,取较人者。Ah FEt为初始值的±20 %
TA =25 ±3t, Ptt =700mW, Vce = 10V。4.4质量致性检验
质量一致性检验应接 GJB 33 的规定进行。4.4.1 A组检验
TKAONKAca
ST50033/75-1995
A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4.4.2B组检验
B组检验应按GJB33及本规范表2的规定进行.4.4.3C组检验
C组检验应按G)B33及本规范表3的规定进行。4.5检验和试验方法
检验和试验方法应按本规范相应的表中规定的方法和下列规定进行。4.5.1脉冲谢试
脉冲测试应按GFB128中3.3.2.1 条的规定。表1A组检验
捡验或试验
A1分组
外观及机藏检验
A2分组
集电板—基极
击穿电压
集电极一发射
击穿电压
集皂极一基极
截止电流
发射极一基披
截止电流
正向电流传输比
正向电流传比
正向电流传输比
美电级一发射桩
饱无电压
基极一岁射版
正向电压
AY分组
高温工作
樂电极一薪极
截止电流
低温工作
正向电流传输比
GJB 128
CB4587
发射极于路
基极开路
发射极开路
Vea=1sV
集电极开路
VeE = 3V
Vce - 10V. Ic - 30mA
脉冲法(见4,5.1)
Vc=10V,I,=0.1mA
脉冲法(见 4.5.1)
Vce = 10V, Ie= 100mA
脉冲法(见4.5.1)
Ic- 20mA
Ig= 20ma
Ta= 150c
发射圾开路
Vea= 15V
极限值
VRR)CHO
VERiCEO
1 YcEat
检验或试验
A4 分组
输出电容
特征颊率
输出功率
功率增益
检验和试验
BI分组
可焊性
标志的耐久性
B2分组
热冲击
(温度循环)
a.纸检泻
b.粗检漏
最后测试
B3分组
稳态工作寿的
最后测试
B4 分组
开相内部目检（设计验证）
键合强度
SJ50033/75-1995
续表1
GB4587
Vce = 10V, Ic = 30mA
脉冲法(见4.5.1)bZxz.net
f-1MHa
Vo=J0v
Vce - 10V
fe=30nA
f-500MFk
Vae=loV
Ic=40mA
P,= 10mw
f=500MHz
Ver*1av
Ic-40mA
P,=10mw
f=00MHz
表2B组检验
GJB128
试验条件H
试验条件C
见表 4,步 1,3 和 4
=25℃,340h
Vce = 10V; Re - 700mW
见表 4,步骤 2 和 5
极限值
月检标准接鉴定时的设计
可用电参数不合格的器件
每批-个器件0
20(C= 0)
TTKAONKAca-
B5 分组
(不适用）
B6分组
检验和试验
高温寿命(不工作）
最后测试
检验知试验
C1分组
外形尺十
C2分组
热冲击(玻璃应力)
引出端强度
b．粗检漏
综合盖度/湿度
周期试验
外观及机械检验
最后测试
C3分组
变频振动
恒定加速度
最后测试
C4分组
盐气(适用时）
C5分组
低气压（不适用）
C6分组
稳态工作寿命
最后测试
$I 50033/751995
续表2
GJB 128
T,=200c.340h
见表4,岁骤2利5
表 3C组检验
GJR 128
见图！
试验录件B
试验条件A,5N,10s
试验条件 H
试验条件 C
见表 4,步骤 1,3、和 4
19000m/g2
见表 4,步骤 1、3 和 4
TA=25℃
Vc. = 10V,Pt - 700m W
见表4,步骤2和5
GB4S87
集电极一基极
截止电流
集电极一基极
截上电流
基极一发射极
向压降
正向电流传比
正向电流传输比变化益
SJ50033/75-1995
表4E组和C组最后测试
发极并露
ViR15V
发射极开路
Vea=15V
Ig=20mA;
Ieeon
Vce = t0V; Fe - 30mA
VcE=10V,I=30m4
注：1)对于本谢试,E超过A组极限值的器件不应接受。交货准备
5.1包装要求
包装要求应符合GJB33的规定。
5.2忙存要求
贮存要求按 GJB 33 的规定。
5.3运输要求
运输要求应按GJB33的规定，
6说明事项
6. 1 预定用途
符合本规范的器件供新设备设计使用和供现有的后勤保障用。6.2订货资料
合同和订货单应规定下列内容：本规范的名称和编号；
b，等缴（见1.3.1条）;
记。数量；
，需要时，其它要求。
极限值
初始值的土0%
6.3如对引出端涂层有的特殊要求时，可在订货单中规定（见3.2.1条）。如使用单位需要时，典型特性曲线等可在合同或订货单中规定。单位
TKAONKAca-
6.4型号对照
SJ50033/75-1995
3DG135的原企业军标型号是CG462。附加说明：
本规范由电子技术标准化研究所归口。本规范由电子部第十三研究所负责起草。本规范主娶起草人：张嘉萍、崔恩禄、李成德、王长福计划项目代号：R21066。
YIKAONIKAca-
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