SJ 50033.78-1995 半导体分立器件 CS0464型砷化镓微波场效应晶体管详细规范 SJ50033.78-1995 标准下载解压密码：www.bzxz.net

中华人民共和国电子行业军用标准FL5961
SJ 50033/78-1995
半导体分立器件
CS0464型砷化微波场
效应晶体管详细规范
Semiconductor discrete devicesDetail specification for type CS0464 GaAs microwave FET1995-05-25发布
1995-12-01实施
中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
CS0464型砷化镓微波场
效应晶体管详细规范
Semiconductor diserete devicesDetal speclfication for type CS0&64 GaAs microwave FET1范围
1.1主题内容　
SJ 50033/78 -1995
本规范规定了CS0464型神化镓微波功率场效应晶体管（以下简称器件）的详细要求。1.2适用范围
本规范适用于器件的研制，生产和采购。1.3分类
本规范根据器件质量保证等缴进行分类。1.3.1器件的等级
按GJB331.3条的规定，提供的质量保证等级为普军、特军和超特军三级，分别用字母GP,GT 和 GCT 表示。
2 引用文件
GB4586-84场效应晶体管测试方法GJB 33—85
半导体分立器件总规范
GJB128—86半导体分立器件试验方法3要求
3.1详细要求
各项要求应按GJ3 33和本规范的规定。3.2设计、结构和外形尺寸
器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB 33和本规范的规定。3.2.1引出端材料和涂层
引出端材料为可伐合金，引线表面镀金3.2.2器件结构
中华人民共和国电子工业部1995-05-25发布1995-12-01实施
YrKAOKAca
SI 50033/78 -1995
采用神化缘V型沟道肖特基势垒栅结构。3.2.3外形尺寸
外形尺寸见图1。
引出端极性：
图1外形图
3.3最大额定值和主要电特性
3.3.1最大额定值
注：1）当Tc>25C时，按73mW/C线性降额。2-
最小值标称值最人值
S-底座
G-2 D-1
-65-175
3.3.2主要电特性（T。=25℃）
CS0464A
CS0464B
CS0464C
Voe=3V
Vos=DV
150~400
3.4电测试要求
Voatao
Vrs=3V
Ip-5mA
SJ50033/78 -1995
Vos=3V
Vrs- 7~8V, Ip= 100~150mA
P, = 60mW(CS0464A.C)
Vcs-0. -1V
P,=40mW(CS0464B)
电测试应符合GR4586及本规范的要求。≥200
3.5标志
标志应符合GJR33和本规范的规定。制造厂可省略器件上的下列标志a，器件型号；
b、产品保证等级；
制造厂厂名，代号或商标：
d。检验批识别代码。
质量保证规定
4.1抽样和检验
抽样和捡验应符合GJB33和本规范的规定。4.2鉴定检验
鉴定检验应符合 GJB33的规定。4.3筛选(仅对 GT、GCT 级）
筛选应按GIB33的表2和本规范的规定进行。下面试应按本规范表1进行，超过本规范表1极限值的器件应于剔除。筛
（见GJB33的表2）
3热冲击
6高温反响
7中间电梦数
8功率老化
-65 ~ 150r
TA=150t
1 = 48h
Vess - -6.5V
Icss!, gm, Yestom)
TKAONKAca
（见G|B33的表2）
9最后测试
4.3.1功率老化条件
功率老化条件如下：
SJ50033/78-1995
按本规范表1的A2分组；
4g和≤初始值的±15%；
≥ Vcs(camn ≤初始假的±15%或 0.5V,取较大者；c5初始值的100%或005mA取较大者。Tc = 70 ± 5;P ± 0.8W; Vs = 8V4.4质量一致性检验
质量一致性检验应按GJB 33的规定进行。4.4. 1 A组检验
A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4.4.2B组检验
B组检验应按 GJB 33 和本规范表 2 的规定进行。4.4.3C组检验
C组检验应按GIB33和本规范表3的规定进行。4.5检验和试验方法
检验和试验方法应按本规范相应的表和下列规定。4.5.1脉冲测试
脉冲测试应按GJB128的3.3.2.1条的规定。表 1 A组检验
检验或试验
A1分组
外观及机换检验
A2分组
栅一源截止电压
栅一源短路下的漏
极电流
一源短路下的栅
极截止电流
GB4586
GJB128
Vrs = 3V
Ip = 5mA
Vcs = 0
Vrs - 3V
Vrs = 0
Vas =-gV
本规附
Ves =0, -1V
V = 3V
cstaln
控验或试验
A3分组
高工作：
一源短路下的册
极截止电流
低渴工作：
AI分组
轴出功率
CS04G4A
CS0464E
CS0464C
功率墙益
CS0464A
CS0464B
CS04640
GB4586
S50033/78-1995
续表1
TA =125c
Vos = 0
Vcs - -8v
TA = -sst
本规范附
本规获附
Vos =3V
Vcs =0, -1
In =100-150mA
V=7~8V
fo=12GHs
P, =60mw
fo - 12GHz
P,=40mW
fo=18GHz
P, 60mW
本规范附：g=100~150mA
Vps-7~BV
T,-25r
fo=12GHz
P,=60mW
fo=12CHz
H,=40mW
fo=18GHz
P, = 60mw
表 2 B组检验
检验和试验
BI分组
可燥性
标志的耐久性
B2 分组
热冲击
GIR 128
-65~150t
极限值
最小最大
1.3grl1 ms
TTKAONKACa-
检验和试验
（溢度循环）
密封：
a.细检漏
b.粗检爆
最后测试
B3 分组
稳态工作寒命
最后测试
R4 分组
开帽内部目检
（设计验证）
键合强度
BS分组
不适用
36 分组
高溢寿命(不工作)
最后测试
检验和试验
C1分组
形尺寸
2 分组
热冲击(玻璃应力）
引出端强度
a.细检漏
b.粗检漏
综合温度/湿度固期试验
最后测试
C3分组
SI 50033/78-1995
续表2
GJB128
：1071
试验条件 H
试验条件 C
见表4,步骤1.2、3和4
: T, =70±5℃,
Vrms =TV; Pm =0.8W
现表 4, 步骤 3、5 和 6
目检标准按鉴定对的设计
试验条件A
T =I75C
见表 4, 步骤 3,5 和 6
表 3 C组检验
GJB[28
见图1
试验条件 B
试验条件 A
拉力1N，时旬10±1s
试验条件 H
试验条件℃
6 个循环,前 3 个循坏进行步骤 7见表 4. 步骤1,2,3 和
每批1个器
件,0失效
20(C-0)
检验和试验
变额振动
恒定加速度
最后测试
C4分组
盐气（适用时）
C5分组
诞气压不适用
C6分组
稳态工作寿命bZxz.net
最后测试
检验或试验
漏一源短路下的珊截上
一源裁止电压
栅源短路下的极电
流变化量
跨导变化量
跨导变化
满一源短路下的栅止
电流变化量
SJ 50033/78-1995
续表3
GJB 128
196,000m/s(20,000g)
见表 4. 步骤 1,2.,3 和 4
Fa =- 0 8W, Vre = TV
Te=+st
见表 4. 步骤3,3知 6
表4B组和C组最后測试
GE4586
太规范
附录A
Ves = ov,
VGs -8
Vek = 3V,
In=5mA
Ves = oV.
Vrs 3V
Vcs -0, -1V.
Vrs=3V
Vcs =0, - IV,
Vrs =3V
Vrs-oV
Ves = -8v
Ycsary
Afcssa
注：1) 对于本测试,，Issvm1 或 Irss 超过 A组极限值的器件不应接受。5交货准备
5.1包装要求
包装要求应符合GIB33的规定。
极限值
初始值的±25%1）
韧始值的±25%1）
初始值的±30%1）
初始值的100%1
或A组的规范值，
取较大者。
TKAONKAca
5.2贮存要求
SJ 50033/781995
贮存要求应符合GIB33的规定。
5.3运输要求
运输要求应符合GJB33的规定。
说明事项
6.1预定用途
符合本规范的器件供新设备设计使用和供现有设备的后勤保障用。6.2订货资料
合同或订货单应规定如下内容：.本规范的名称和编号；
6。等级（见1.3.1条）；
c：数量：
d。需要时,其它要求。
6.3如对表面涂层有特殊要求时，可在订货合同或订货单中规定（见3.2.1条），如需典型特性曲线，可在订货文件中规定。6.4型号对照
CS0464的原企业型号为Cx911。
附录A（标准的附录）
A1目的
砷化镓微波功率场效应晶体管跨导的测试方法在规定条件下测试砷化嫁微波功率场效应晶体管的跨导 gm 。A2电路图
图中：V1为被测FET
图A1测试电路图
R1,R2为限流电阻，适当选取R2以保证器件不超过最大耗散功率，A3测试步骤
首先断开 S1,闭合 S2,调节电斥源 G1 使 Vps = 3V,读出 In Juss 。然后断并 S2,闭合S1,调节电压源 G2使 Vcs =-1V,读出 Ip= Ip。g品可由下述公式计算：
A4规定条件
Inas Lo
具。漏一源电压Vrs，如果Vps不是3V;b，栅-源电压Vcs,如果Vcs不是-1V。-(A1)
-rKAONKAca-
附录B（标准的附录）
砷化镓微波场效应晶体管输出功率、功率增益的测量方法B1目的
测量在规定条件场效应晶体管输出功率Po、功率增益Gp。B2框图
额率计
需离器
发生器
襄减器
积合器
功率计1
隔离募
功率计2
偏置网络
筛置网络
输入阻抗
匹配网路
被测器件
输出阻抗
匹配网络
图B1砷化微波场效应晶体管输出功率P功率增益Ge的测试框图B3到量原理
输出功率Po功率增益Gp由下列公式给出：P: = P1 - L1
Po = P2 + L2
Gp = Po - P.
（B3）
式中P1和P2是功率计1和助率计2给出的数值。L1和L2分别是P.和P，在图1中从点A到点B和从点C到D的损耗。PI和P2用dBm表示，L1和L2用dB表示。B4电路说明和要求
隔离器的作用是使被测器件的功率保持恒定，不受输入端阻抗失配的影响。被测器件应安装在热流通性良好的测试夹具上。应预先测出电路损耗L1和L2。测量L1和L2时，应预光调节输入和输出阻抗匹配网络，使之处于匹配状态。B5测量注意事项
摘入，输出匹配电路不应有阻抗突变，在测量时应采用题谱分析仪检查，使报荡降低。端子应能承受供电。
B6测量程序
a、将频率发生器的频率调到规定值；b，将栅--源电压 Vcs 调到栅一源截止老压附近；加规定的溺一源电压Vrs：
改变 Vcs，使漏电流调到规定值；d.
把略低于规定值Prrch的输入功率加到被测器件上；调节输入和输出阻抗匹配网络使功率计的指示为最大值f.
使输入功率加大到规定值，最后调节匹配网络；在规定输人功郝下，测基输出功率Po：计算: Gp = Po- Pio
小、计算：
B7规定条件
Po=P（式中 Po,P,以瓦为单位）（B4）ad = Vos × IDs
环境或管壳温度（T。或Tc）;
b，漏一源电压：
c、漏极电流；
d、频率，
e.输人功率。
附加说明：
本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由电子工业部第十三研究所负责起草。本规范生要起草人：顾搬球王长福王同祥李戍被。计划项目代号：821069。
YrKAONTKAca
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