SJ 50033.79-1995
基本信息
标准号： SJ 50033.79-1995
中文名称：半导体分立器件 CS0536型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范
标准类别：电子行业标准(SJ)
标准状态：现行
出版语种：简体中文
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相关标签： 半导体 分立 器件 砷化镓 微波 功率 场效应 晶体管 详细 规范
标准分类号
关联标准
出版信息
相关单位信息
标准简介
SJ 50033.79-1995 半导体分立器件 CS0536型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范
SJ50033.79-1995
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标准内容
中华人民共和国电子行业军用标准FL5961
SJ 50033/79-1995
半导体分立器件
CS0536型砷化镓微波功率场
效应晶体管详细规范
Semiconductor discretedevicesDetail specification for type Cs0536 GaAs microwave power FET1995-05-25发布
1995-12-01实施
中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
CS0536型砷化镓微波功率场
效应晶体管详细规范
Semiconductor discrele devicesDetail specification fortypeCSo536GaAsmicrowavepowerFET1范围
1.1主题内穿
SJ50033/79-1995
本规范规定厂CS0S36型砷化像微波功率场效应晶体管（以下简称器件）的详细要求1.2适用范
本规范适用于器件的研制，生产和采购。1.3分类
本规范根据器件质基保证等级进行分类。1.3.1器件的等缎
按GIB331.3条的规定，提供的质量保证等级为普军，特军和超特军三级，分别用字母GP,GT 和 GCT 表示。
2、引用文件
GB4586---84场效应品体管测试方法GJB33--85半导休分立器件总规范GJB128—86半导体分立器件试验方法3要求
3.1详细要求
各项要求应按 GIR 33 和本规范的规定。3.2设计、结构和外形尺寸
器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。3.2.1引出端材料和涂层
引出端材料为可伐合金，引线表面镀金。3.2.2器件结构
中华人民共和国电子工业部1995-05-25发布1995-12-01实施
TKAONKAca
SJ 50033/79-1995
采用砷化镓N型沟道肖特基势垒栅结构。3.2.3外形尺寸
外形尺见图 1。
最小值 标称值最大值
引出端极性：
图1外形图
3.3最大额定值和主要电特性
最大额定值
Te=25c
注：1）当Tc>2sT时，按11.4mw/t线性额。2
S-庭座
G-2 D-1
-65~175
主要电特性（Ta=25）
CS0536A
CS0536B
CS0536C
Vesren
Vns=3V
Vs = 3V
SJ 50033/79-1995
Vms = 3V
n-5mA Ves=0, -1V
Vcs=oV
200--400
3.4电测试要求
Ves = 8V, In-0.4 ~ 0. 6 IrssP 16dBm(CS0536A、B)
P; - 17dBm(CS0536C)
电測试应符合GB4586及本规范的要求。6
3.5标志
标志应符合GJB33和本规范的规定。制造厂可省略器件上的下列标志：限、器件型号：
b、产品保证等级；
c。制造厂厂名，代号或商标；
d．检验批识别代码。
4质量保证规定
4.1抽样和捡验
抽样和检验应符合GIB33和本规范的规定4.2鉴定检验
鉴定检验应符合 GJB 33的规定。4.3筛选(仅对 GT、GCT级）
筛选应按GJD 33的表2和本规范的规定进行。下面测试应按本规范表1进行，超过本规范表1极限值的器件应予期除。筛
【见 GJB 33 的表 2]
3热冲击
6高温反偏
了中间电参数
8功率老化
- 65~15ut
TA = soc
1 = 48h
Vos - -7.2V
I csst+ gmi, Vestur..
Rahi-e
TTKAONKAca-
（见GJB33的表2）
9最后测试
4.3.1功率老化条件
功率老化条件如下;
SJ50033/79-1995
按本规范表1的A2分组，
4g初始值的15%
4Vastu≤初始值的±15%或0.5V,取较大者：4Icsal≤初始值的100%或0.25mA,取较大者。Tc ± 70 ± 5C;Pw ± 1.2W; Vrs = 8V.4.4质量一致性检验
质量一致性检验应按 GJB 33 的规定进行。4.4.1A组检验
A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4.4.2B组检验
B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行。4.4.3C组检验
C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行。4.5检验和试验方法
检验和试验方法感按本规范相应的表和下列规定。4.5.1脉冲测试
脉冲测试应按GIB128的 3.3.2.1条的规定。表 1 A组检验
检验或试验
A1分组
外观及机械检验
A2分组
概一源截止电压
栅一源短路下的漏
极电流
栅一源短路下的栅
极截止电流
GB4586
本规范附
Vns - 3V
Ir = SmA
Yes-ov
Vas=3y
In = 0.4 ~ 0.6Ivss
Ves=oV
Ves - BV
Vos = 0, - IV
Vps = 3V
Vostcan
检整或试验
A3分组
高温工作
痛一源短路下的
极截止电流
低温工作
A4分组
1d压输
鞍出功率
CS0536A
CS0536B
CS0S36C
1dB医媚
功率增益
CS0536A
CS0536B
CS0536C
功率附加效率
CS0S36A
CS0536B
CS0536C
GB4586
SJ 50033/79-1995
续表1
TA = 125C
Vos=oV
Ves --8V
TA - -55
本规范附
Ves-3V
本规范附
Ycs =0, -1
Vns =8V
TA =25
Ins = 0.4-0.6 Irg
fo 4GHz
P: = 16dBen
fo-GHz
P, = [6dBm
fo - 8GHz
P,=17dBm
本规范附让
Vng =8V TA =25t
本规范对
Ip=0.4~0.6 Is
fo\4GHz
P, = 1fdBm
fo - 6GHz
P, = 16dBm
fu = 8GHz
P, =17dBm
Vrs =8V Ta -25t
1, = 0.4~0.6 1g
fo=4GH2
P, = 16dBm
fa-6CHz
P=16dBm
fo=8GHz
P, = 17dBm
符号國
Gprial
极限谊
TKAONKAca-
检验和试验
B1分组
可焊性
标志的醇久性
B2 分组
热冲击
(温度循环）
密封：
.细检痛
b.粗检凝
最后测试
B3 分组
稳态工作寿命
最后测试
P4 分组
开帽内部目检
（设计验证)
链合强度
ES分组
E6分组
高温寿命(不工作)
最后测试
检验和试验
C1分组
外形尺寸
C2分组
热冲击(玻璃应力)
引出璐疆度
a.细检漏
b.粗检润
SJ 50033/79-1995
表 B组检验
GJB 128
-65-150
试验条件 H
试验条件 C
见表4,步骤 1、2、3和 4
T,=70±5,
Vos = 7V; Pt =1.2W
见表 4, 步骤 3、5 和 6
目检标准按鉴定时的设计
试验茶件 A
·本规范附录 C
ra =17st
见表 4,步骤 3,5 和 6
表 3 C组检验
GJB128
见图1
试验条B
试验条作A
拉力1N,时间 10±1a
试验象 H
试验条伴 C
每批1个器
件.0失效
20(C=U)
检险和试险
综合温度/湿度周期试验
最后测试
C3分组
变腰振动
恒定加速度
最后涎试
C4分组
热气(适用时)
C5分组
低气压不适用
C6分组
稳态工作寿命
最后测试
检验或试验
漏一源短路下的栅截止
机一源载止电版
栅一源短路下的混极电
流变化量
跨导变化量
跨导变化量
漏一源短路下的珊截止
电流变化量
SJ 50033/79-1995
续表3
GJB128
6个循环，前3个循环进行步要7
见表4,步骤1、2、3和4
196, 000m/ 2(20, 000g)
见表 4. 步骤 1、2、3 和 4
Pr = 1.2W, trs = 8V
Te-70±s
见表 4,步 3.5 和 6
表4B组和C组最后测试
GB4586
本规范
Vrs = oV.
Ves - - RV
Vrs = 3V,
fp=SmA
Ves - oV,
Vhs = 3V
Yes =0, -1V.
Ves=3V
附录 A
Vcs -0. - 1V.
Yrs =3V
Yrs =0V
Ves +-8V
Vastatn
注，1）对于本试，Irxa>8或IGss超过A组极限值的器件不应接受。极限值
齿始值的±25%
始值的±25%\
初始值的±30%\
韧始值的100%1
或A组的规范值
取较人者。
TTKAONKAca-
5交货准备
5.1包装要求
SJ 50033/79-1995
包装要求应符合GJB33的规定。
5.2贮存要求
购存要求应符合GIB33的规定。
5.3运输要求
运输要求应符合GJB33的规定。
说明事项
6.1预定用途
符合本规范的器件供新设备设计使用和供现有设备的后勤保障用。6.2订货资料
合尚或订货单应规定如下内容：a，本规范的名称和编号：
h。等级（见1,3.1条）1
c．数量；
d。需要时,其它要求。
6.3如对表面涂层有特殊要求时，可在订货合同或订货单中规定（见3.2.1条），如需典型特性曲线，可在订货文件中规定。6.4型号对照
CS0536的原企业型号为DX641。
附录 A(标准的附录)
Al目的
砷化综微波功率场效应品体管跨导的测试方法在规定条件下测试砷化微波功率场效应晶体管的跨导gm电路图
图A1测试电路图
图中：Vt为被FET
R1,R2为限流电阻，适当选取R2以保证器件不超过最大耗散功率。A3测试步骤
首先断开SI，闭合S2，调节电医源G1使Vp=3V读出Ip=Irss然后断开S2,闭合S1,调节电斥源 G2使Vcs =-1V，该出Ip=Ip。名可由下述公式计算：
A4规定条件
Ipas - Ip
漏--源电压 Vps.如果 Vs 不是 3V;a.
h．椰—源电压Ycs，如果Vcs不是-1V(Al)
TTKAONKACa-
附录标难的附录
化策微波场效应晶体管输出功率、功率增益和功率附加效率的测量方法B1目的
测量在规定条件场效应晶体管输出功率Pnrldl)、功率增益Gr(ld)和功率附加效率nad。82方框图
疑率计
隔商器
发生器
衰减器
耦合器
功率计t
功率计2
编孟网络
偏置两络
输入阻抗
匹配网路
被测暴件
输出阻抗
匹配网络
图 B1砷化微波场效应晶体管输出功率 Porldt)、动率增益Gpclda)和功率附加效率nada的测试方槟图B3测壁原理
输出功率P。功率增签G.由下列公式给出：P, - P1 L1,W.
Po = P2 - L2,W
式中P1和P2是功率计1和功率计2给出的数值。L1和L2分别是P和Pa在图1中从点A到点B和从点C到D的摄耗。由(1)式和(2)式导出功率增益GμGg = 10lg(Po/ P)
.-(B3)
增益比线性增盗减少[dB处的输出功率值是1dB增益压缩输出功率Por1aB。1dB增益10
压缩功率增益可由下式获得：
其中：GLi为线性增。
功率附加效率品由下式获得；
B4电路说明和要求
Grtldb) = GeLir - 1
n add = -
Vrs X Ip
被器件应安装在散热良好的测试夹具上。应预先测出电路拟耗11和1.2，在消量1.1和L2时，应预先调节输人和输出阻抗医配网络，俊之处于匹配状态。B5测量步骤
将射频信号源的频率调到规定值：将被测器件的翻一源电压Vcs加到接近栅一源裁止电出Vcsreti的数值；调节漏一源电压Vps到规定的值；改变VGs，使蒲电流Tp=O.5Inss;将输入功率加到接近测试Pαxide:时的需要值。调节输入和输出阻抗匹配网络使功率计2的指示最大；把输入功率增加到规定值，并最终谢整阻抗匹配网络。再将输入功率降低（至少规定的输人功率降低10分贝），此附测得的功率增益可视为线性增益GLin，增加输入功率直到功率增益下降到比线性增益Gli低1分贝时的输出功率为1分贝增益下缩输山功率，而此时功率增益即为1分贝增益压缩功率增益。B6规定条件
%，环境温度a；
h.漏-源电压Vrs;bzxZ.net
漏极流n;
d、工作频率for：
。输入功率 Pio
YrKAONTKAca-
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SJ 50033/79-1995
半导体分立器件
CS0536型砷化镓微波功率场
效应晶体管详细规范
Semiconductor discretedevicesDetail specification for type Cs0536 GaAs microwave power FET1995-05-25发布
1995-12-01实施
中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
CS0536型砷化镓微波功率场
效应晶体管详细规范
Semiconductor discrele devicesDetail specification fortypeCSo536GaAsmicrowavepowerFET1范围
1.1主题内穿
SJ50033/79-1995
本规范规定厂CS0S36型砷化像微波功率场效应晶体管（以下简称器件）的详细要求1.2适用范
本规范适用于器件的研制，生产和采购。1.3分类
本规范根据器件质基保证等级进行分类。1.3.1器件的等缎
按GIB331.3条的规定，提供的质量保证等级为普军，特军和超特军三级，分别用字母GP,GT 和 GCT 表示。
2、引用文件
GB4586---84场效应品体管测试方法GJB33--85半导休分立器件总规范GJB128—86半导体分立器件试验方法3要求
3.1详细要求
各项要求应按 GIR 33 和本规范的规定。3.2设计、结构和外形尺寸
器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。3.2.1引出端材料和涂层
引出端材料为可伐合金，引线表面镀金。3.2.2器件结构
中华人民共和国电子工业部1995-05-25发布1995-12-01实施
TKAONKAca
SJ 50033/79-1995
采用砷化镓N型沟道肖特基势垒栅结构。3.2.3外形尺寸
外形尺见图 1。
最小值 标称值最大值
引出端极性：
图1外形图
3.3最大额定值和主要电特性
最大额定值
Te=25c
注：1）当Tc>2sT时，按11.4mw/t线性额。2
S-庭座
G-2 D-1
-65~175
主要电特性（Ta=25）
CS0536A
CS0536B
CS0536C
Vesren
Vns=3V
Vs = 3V
SJ 50033/79-1995
Vms = 3V
n-5mA Ves=0, -1V
Vcs=oV
200--400
3.4电测试要求
Ves = 8V, In-0.4 ~ 0. 6 IrssP 16dBm(CS0536A、B)
P; - 17dBm(CS0536C)
电測试应符合GB4586及本规范的要求。6
3.5标志
标志应符合GJB33和本规范的规定。制造厂可省略器件上的下列标志：限、器件型号：
b、产品保证等级；
c。制造厂厂名，代号或商标；
d．检验批识别代码。
4质量保证规定
4.1抽样和捡验
抽样和检验应符合GIB33和本规范的规定4.2鉴定检验
鉴定检验应符合 GJB 33的规定。4.3筛选(仅对 GT、GCT级）
筛选应按GJD 33的表2和本规范的规定进行。下面测试应按本规范表1进行，超过本规范表1极限值的器件应予期除。筛
【见 GJB 33 的表 2]
3热冲击
6高温反偏
了中间电参数
8功率老化
- 65~15ut
TA = soc
1 = 48h
Vos - -7.2V
I csst+ gmi, Vestur..
Rahi-e
TTKAONKAca-
（见GJB33的表2）
9最后测试
4.3.1功率老化条件
功率老化条件如下;
SJ50033/79-1995
按本规范表1的A2分组，
4g初始值的15%
4Vastu≤初始值的±15%或0.5V,取较大者：4Icsal≤初始值的100%或0.25mA,取较大者。Tc ± 70 ± 5C;Pw ± 1.2W; Vrs = 8V.4.4质量一致性检验
质量一致性检验应按 GJB 33 的规定进行。4.4.1A组检验
A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4.4.2B组检验
B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行。4.4.3C组检验
C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行。4.5检验和试验方法
检验和试验方法感按本规范相应的表和下列规定。4.5.1脉冲测试
脉冲测试应按GIB128的 3.3.2.1条的规定。表 1 A组检验
检验或试验
A1分组
外观及机械检验
A2分组
概一源截止电压
栅一源短路下的漏
极电流
栅一源短路下的栅
极截止电流
GB4586
本规范附
Vns - 3V
Ir = SmA
Yes-ov
Vas=3y
In = 0.4 ~ 0.6Ivss
Ves=oV
Ves - BV
Vos = 0, - IV
Vps = 3V
Vostcan
检整或试验
A3分组
高温工作
痛一源短路下的
极截止电流
低温工作
A4分组
1d压输
鞍出功率
CS0536A
CS0536B
CS0S36C
1dB医媚
功率增益
CS0536A
CS0536B
CS0536C
功率附加效率
CS0S36A
CS0536B
CS0536C
GB4586
SJ 50033/79-1995
续表1
TA = 125C
Vos=oV
Ves --8V
TA - -55
本规范附
Ves-3V
本规范附
Ycs =0, -1
Vns =8V
TA =25
Ins = 0.4-0.6 Irg
fo 4GHz
P: = 16dBen
fo-GHz
P, = [6dBm
fo - 8GHz
P,=17dBm
本规范附让
Vng =8V TA =25t
本规范对
Ip=0.4~0.6 Is
fo\4GHz
P, = 1fdBm
fo - 6GHz
P, = 16dBm
fu = 8GHz
P, =17dBm
Vrs =8V Ta -25t
1, = 0.4~0.6 1g
fo=4GH2
P, = 16dBm
fa-6CHz
P=16dBm
fo=8GHz
P, = 17dBm
符号國
Gprial
极限谊
TKAONKAca-
检验和试验
B1分组
可焊性
标志的醇久性
B2 分组
热冲击
(温度循环）
密封：
.细检痛
b.粗检凝
最后测试
B3 分组
稳态工作寿命
最后测试
P4 分组
开帽内部目检
（设计验证)
链合强度
ES分组
E6分组
高温寿命(不工作)
最后测试
检验和试验
C1分组
外形尺寸
C2分组
热冲击(玻璃应力)
引出璐疆度
a.细检漏
b.粗检润
SJ 50033/79-1995
表 B组检验
GJB 128
-65-150
试验条件 H
试验条件 C
见表4,步骤 1、2、3和 4
T,=70±5,
Vos = 7V; Pt =1.2W
见表 4, 步骤 3、5 和 6
目检标准按鉴定时的设计
试验茶件 A
·本规范附录 C
ra =17st
见表 4,步骤 3,5 和 6
表 3 C组检验
GJB128
见图1
试验条B
试验条作A
拉力1N,时间 10±1a
试验象 H
试验条伴 C
每批1个器
件.0失效
20(C=U)
检险和试险
综合温度/湿度周期试验
最后测试
C3分组
变腰振动
恒定加速度
最后涎试
C4分组
热气(适用时)
C5分组
低气压不适用
C6分组
稳态工作寿命
最后测试
检验或试验
漏一源短路下的栅截止
机一源载止电版
栅一源短路下的混极电
流变化量
跨导变化量
跨导变化量
漏一源短路下的珊截止
电流变化量
SJ 50033/79-1995
续表3
GJB128
6个循环，前3个循环进行步要7
见表4,步骤1、2、3和4
196, 000m/ 2(20, 000g)
见表 4. 步骤 1、2、3 和 4
Pr = 1.2W, trs = 8V
Te-70±s
见表 4,步 3.5 和 6
表4B组和C组最后测试
GB4586
本规范
Vrs = oV.
Ves - - RV
Vrs = 3V,
fp=SmA
Ves - oV,
Vhs = 3V
Yes =0, -1V.
Ves=3V
附录 A
Vcs -0. - 1V.
Yrs =3V
Yrs =0V
Ves +-8V
Vastatn
注，1）对于本试，Irxa>8或IGss超过A组极限值的器件不应接受。极限值
齿始值的±25%
始值的±25%\
初始值的±30%\
韧始值的100%1
或A组的规范值
取较人者。
TTKAONKAca-
5交货准备
5.1包装要求
SJ 50033/79-1995
包装要求应符合GJB33的规定。
5.2贮存要求
购存要求应符合GIB33的规定。
5.3运输要求
运输要求应符合GJB33的规定。
说明事项
6.1预定用途
符合本规范的器件供新设备设计使用和供现有设备的后勤保障用。6.2订货资料
合尚或订货单应规定如下内容：a，本规范的名称和编号：
h。等级（见1,3.1条）1
c．数量；
d。需要时,其它要求。
6.3如对表面涂层有特殊要求时，可在订货合同或订货单中规定（见3.2.1条），如需典型特性曲线，可在订货文件中规定。6.4型号对照
CS0536的原企业型号为DX641。
附录 A(标准的附录)
Al目的
砷化综微波功率场效应品体管跨导的测试方法在规定条件下测试砷化微波功率场效应晶体管的跨导gm电路图
图A1测试电路图
图中：Vt为被FET
R1,R2为限流电阻，适当选取R2以保证器件不超过最大耗散功率。A3测试步骤
首先断开SI，闭合S2，调节电医源G1使Vp=3V读出Ip=Irss然后断开S2,闭合S1,调节电斥源 G2使Vcs =-1V，该出Ip=Ip。名可由下述公式计算：
A4规定条件
Ipas - Ip
漏--源电压 Vps.如果 Vs 不是 3V;a.
h．椰—源电压Ycs，如果Vcs不是-1V(Al)
TTKAONKACa-
附录标难的附录
化策微波场效应晶体管输出功率、功率增益和功率附加效率的测量方法B1目的
测量在规定条件场效应晶体管输出功率Pnrldl)、功率增益Gr(ld)和功率附加效率nad。82方框图
疑率计
隔商器
发生器
衰减器
耦合器
功率计t
功率计2
编孟网络
偏置两络
输入阻抗
匹配网路
被测暴件
输出阻抗
匹配网络
图 B1砷化微波场效应晶体管输出功率 Porldt)、动率增益Gpclda)和功率附加效率nada的测试方槟图B3测壁原理
输出功率P。功率增签G.由下列公式给出：P, - P1 L1,W.
Po = P2 - L2,W
式中P1和P2是功率计1和功率计2给出的数值。L1和L2分别是P和Pa在图1中从点A到点B和从点C到D的摄耗。由(1)式和(2)式导出功率增益GμGg = 10lg(Po/ P)
.-(B3)
增益比线性增盗减少[dB处的输出功率值是1dB增益压缩输出功率Por1aB。1dB增益10
压缩功率增益可由下式获得：
其中：GLi为线性增。
功率附加效率品由下式获得；
B4电路说明和要求
Grtldb) = GeLir - 1
n add = -
Vrs X Ip
被器件应安装在散热良好的测试夹具上。应预先测出电路拟耗11和1.2，在消量1.1和L2时，应预先调节输人和输出阻抗医配网络，俊之处于匹配状态。B5测量步骤
将射频信号源的频率调到规定值：将被测器件的翻一源电压Vcs加到接近栅一源裁止电出Vcsreti的数值；调节漏一源电压Vps到规定的值；改变VGs，使蒲电流Tp=O.5Inss;将输入功率加到接近测试Pαxide:时的需要值。调节输入和输出阻抗匹配网络使功率计2的指示最大；把输入功率增加到规定值，并最终谢整阻抗匹配网络。再将输入功率降低（至少规定的输人功率降低10分贝），此附测得的功率增益可视为线性增益GLin，增加输入功率直到功率增益下降到比线性增益Gli低1分贝时的输出功率为1分贝增益下缩输山功率，而此时功率增益即为1分贝增益压缩功率增益。B6规定条件
%，环境温度a；
h.漏-源电压Vrs;bzxZ.net
漏极流n;
d、工作频率for：
。输入功率 Pio
YrKAONTKAca-
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