SJ 50033.80-1995 半导体分立器件 CS0513型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范 SJ50033.80-1995 标准下载解压密码：www.bzxz.net

中华人民共和国电子行业军用标准FL5961
SJ 50033/80-1995
半导体分立器件
CS0513型砷化镓微波功率场
效应晶体管详细规范
Semiconductor discrete devicesDetail specification for type CS0513 GaAs microwave power FET1995-05-25 发布
1995-12-01实施
中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
CS0513型砷化微波功率场
效应晶体管详细规范
Semicondvctor discrete devicesDctail specification for typeCS0513 GaAs microwave powerFRT1范围
1.1主题内穿
SJ50033/80-1995
本规范规定广CS0513型神化嫁微波功率场效应品体誉（以下简称器件）的详细要求。1.2适用范围
本规范适用于器件的研制，生产和采购。1.3分类
本规范根据器件质量保证等级进行分类。1.3.1器件的等级
按GJB331.3条的规定，提供的质景保证等级为普军、特军和超特军三级，分别用字母GP、GT 和 GCT 表示。
引用文件
GB4586---84场效应晶体管测试方法GB 33-85
半导休分立器件总规范
CJB128—86半导体分立器件试验方法3要求
3.1详细要求
各项要求应按 GJR 33 和本规范的规定。3.2设计、结构和外形尺寸
器件的设计、结构和外形尺寸应按GTB33和本规范的规定。3.2.1引出端材料和涂
引出蝶材料为可伐合金，引线表面键金。3.2.2器件结构
中华人民共和国电子工业部1995-05-25发布1995-12-01实施
TKAONKAca
SJ50033/B0-1995
采用化镓N型沟道肖待基势垒栅结构。3.2.3外形尺寸
外形尺寸见图t。
引出端极性：
图1外形图
3.3最大额定值和主要电特性
3.3.1最大额定值
Te-25℃
注：1）当7c>25℃时，按26.7mW/C线性举额。In
最小值标称值最大值
S-底座
G-2 D1
-65~175
3.3.2±要电特性（T=25℃)）
CS0513A
CS0513B
CS0513C
Veg=3V
SJ50033/80-1995
Vrs=3V
Gettay
Vos =8V, 1, =0.4 ~0.6 Idss
Vca= 0Vlb= 20mAVcs =0, -1V 1P: = 23dBm(CS0513A)
P: = 24lBm(CS0513B,C)
500～1000
3.4电测试要求
电测试应符合GR4586及本规范的要求。3.5标志
标志应符合GJB33和本规范的规定。制造！呵省略器件上的下列标志：a：器件型号：
b.产品保证等级；
制造厂厂名,代号或商标；
检验批识别代码。
质量保证规定
4.1拖样和检验
抽样和检验应符合 GJB 33和本规范的规定。4.2鉴定检验
鉴定检验应符合GJB33的规定。
4.3筛选（仅对GT、GCT级）
筛选应按GJB33的表2和本规范的规定进行。下面测试应按本规范表1进行，超过本规范表1极限值的器件应予剔除。筛
(见 GJB 33 的表 2)
3热冲击
6高温反偏
7中间电参数
8功率老化
-65-150
TA -150C
1 48h
VG3g =-7.2V
IGs5t+gm, Vcst aff,
TTKAONKAca-
(见 GJB 33 的表 2)
9最后测试
4.3.1功率老化条件
功率老化条件如下：
SJ 50033/80—1995
试或试验
接本规范表1的 A2分组；
4gm≤初始值的±15%；
4 Vl≤初始值的± 15%或 0. 5V,取较大者,4IGl≤初始值的100%或0.1mA,取较大者，Tc - 70 ±5C ; Ptor - 2.8W Vps = 8V。4.4质量一致性检验
质量一致性检验应按GJB33的规定进行。4.4.1A组检验
A 组检验应按 GJB 33 和本规范表 1 的规定进行。4.4. 2 B组检验
B组检验应按GIB33和本规范表2的规定进行。4.4.3C组检验
C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行。4.5检验和试验方法
检验和试验方法应按本规范相应的表和下列规定。4.5.1 脉冲测试
脉冲测试应按 GIB128的 3.3.2.1条的规定。表 1A组检验
检验或试验
A1分组
外观及机械检验
A2分组
栅一源截止电压
栅一源短路下的掘
极电流
瀑一滇短略下的栅
极截止电流
GB4586
GJB128
本规范附
Vm - 3V
In= 20mA
VGs = oV
Vps - 3
Vog = 0
Veg -- BV
Vus - 0, -1V
Vis -3V
Vestoen
极限值
检验或试验
A3分组
高温工作
漏-·源短路下的扭
极截止电
低温工推
A4 分组
1dB压缩
辅出功率
CSOS13A
CS0513E
CS0513C
1dB医缩
功率增盘
CS0513A
CS0513B
CS0513C
功率附加效率
CS0513A
CS0513B
CSUS13C
GB4586
本规茄附
本规范附
本规范附
车规范附
SJ 50033/80 1995
续表1
Ta=12t
Ves =0
Vs = -8V
TA= -SC
Yrs -3V
Ycs = 0, - 1
Yrs=8V
Ip -D.4 ~0.6 Itrss
fa=4GH
P:=23dBm
o=6GHz
P, = 24dBm
fo=8CHe
P=24dBm
Ves =8
TA=25t
I, =0.4 ~0. 6 Irss
fo=4GHa
P,=23dBm
Fo = 6CHe
fo=8GHz
P, =24dBm
Yos*8V
TA-25℃
Ig -0.4~0.6 1rs
fo = 4CHz
P:=23JBa
fo—6GHz
P, =24dBm
fo=8GHz
P, =24dBm
橄限值
最小最大
YrKAONTKAca-
检验和试验
D1分组
可焊性
标志的耐久性
B2分组
热冲击
【温度循环】
密封，
&.细检酒
b.粗检痛
最后谢试
B3分组
稳态工作寿命
最后渊试
BA 分组
开嵋内部目检
(设计验证)
键合强度
BS分组
B6分组
高温寿俞(不王作)
最后测试
和试验
C1分组
外形尺寸
C2分组
热冲击(皱璃应力)
引出强度
a.纽检摘
b.粗检漏
SJ 50033/80-1995
表 2 B组检验
GJB128
本规范附录 C
- 65-- 150t
试验条件 H
试验条件C
见表4,步骤1、2、3和4
Te =70± sc,
Vuw =8Vi P =2.8w
见表 4,步骤 3,5 和 6
目检标注按监定时的设计
试验条件 A
TA=175C
见表4，步骤3、5和6
表 3 C组检验
GJB128
见图1
试验条件 B
试验涤件 A
拉力2.5N，时间10±1s
试验条件 H
试验条件 G
每批1个器
件,0失效
20(C-0)
检验和试验
综合温度/混度周期试验
最后测试
C3分组
变获娠动
恒定加速度
最后测
C4分组
盐气(适用时)
C5 分组
低气压不适用
C6分组
稳态工作寿命
最后测试
检验或试验
漏一源短路下的栅截止
無一源截止电压
扭一源短路下的漏极电
流变化童
跨导变化量
谢导变化基
滑一源短路下的韧截止
电流变化量
SI50033/80—1995
续表3
GJB 128
6个循环，前3个循环进行步骤7
见表 4, 步骤 1、2.,3 和 4
196,000m/s(20.000g)
见表4.步骤1、2、3和4
Put - 2.8w, Vos = 8V
Te=70±5
见表4,步骤3、5和6
表4B组和C组最后测试
GE4586
本规范
附录A
Vns = oV,
Ves--8V
Vre - 3V.
Tp=20mA
Ves = av.
Vrs = 3V
VGs =0, -1V,
Vrs=3V
Ves - 0, -1V,
Vus =3V
Vrs=0V
VGs--gv
Vestur)
注：1)对于本测试，Ig或ci超还A组极限值的器件不应接受。LTPD
韧始值的±25%\
韧始值的±25%1
初始值的±30%1）
初值的100%】
或A组的规范值，
取较大值
TTKAONKAca-
5交货准备
5.1包装要求
SJ50033/80-1995
包装要求应符合GJB33的规定
5.2贮存要求
存要求应符合GJB33的规定。
5.3运输要求
运输要求应符合GJB33的规定。
6说明事项
6. 1 预定用途
符合本规范的器件供新设备设计使用和供现有设备的后勤保障用。6.2订货资料
合同或订货单应规定如\下内容：a。本规范的名称和编号：
b．等级（见1.3.1条）；
数量；
d，需要时,其它要求。
6.3如对表面涂层有特殊要求时，可在订货合同或订货单中规定（见3.2.1条),如需典型特性曲线，可在订货文件中规定。6.4型号对照免费标准下载网bzxz
CS0513的原企业型号为DX571。
附录A(标准的附录)
砷化镓微波功率场效应晶体管跨导的试方法在规定条件下测试砷化像微波功率场效应晶体管的跨导g品A2电路图
图中:V1为被测 FET
图A1测试电路图
R1,R2为限流电阻，适当选取R2以保证器件不超过最大耗散功率。A3浏试步骤
首先断开 S1,闭合 S2,调节电压源 G1 使 Vrs = 3V,读出 I= Irss。然后断开 S2,闭会Sl,调节电压源G2使 Vcs =- 1V,读出 In= Ib。g可由下述公式计算：
Irss - fo
A4规定案件
a.漏一源电压Vos如果Vos不是3V;b．概—源电压Vcs，如果Ves不是-1V。(A1)
YIKAONIKAca-
附录 B(标推的附录)
神化镓微波场效应晶体管输出功率、功率增益和功率附加效率的测量方法B1目的
测量在规定条件场效应晶体管输出功率 PoidE)、功率增益Grlan，和功率附加效率 nadd。B2框图
额率计
万高号
发生器
衰减器
羯合器
功率计1
履商器
功率计 2
微叠网络
偏置网络
缔入医筑
匹配网络
波测器件
撤出阻抗
匹配络
图B1砷化镓微波场效应晶体管输出功率Pon[a)、功率增益Gp(tae)和功率附加效率 nad的测试框图B3测量原理
输出功率 Po、功率增益 Gr由下列公式给阳l：P: = P1 - L1, W.
Po = P2 + L2, W
式中 P1 和 P2是功率计 1和功率计2给出的数值。L1和 L2分别是 P;和 P。在图1中从点A到点B和从点C到D的损耗。由(1)式和(2)式导出功率增益Gp：Gμ = 10lg(Po/P,)
增益比线性增益减少1dB处的输出功率值是1dR增益压缩输出功率Po(1m)：1dB增益10
压缩功率增益可由下式获得：
其中：Grla为线性瑙益。
功率附加效率ad由下式获得
B4电路说明和要求
Gpuidk) = Gnlir 1
Po- P:
Vrs × Ip
被测器件应安装在散热良好的测试夹具上。应预先测出电路摄耗L1和L2。在测量L1和12时，应预先调节输人和输出阻抗匹配网络，使之处于匹配状态。B5 测量步骤
将射版信号源的赖率调到规定值：将被测器件的栅--源电压VGs加到接近概一源截止电压Vcslatt的数催；调节漏一源电压Vus到规定的值;改变VGs，使漏电流I,=0.5IDss;将输入功率加到接近测试PαdB时的需要值，调节输入和辅出阻抗匹配网络使功率计2的指示最人；把输入功率增到规定值，并最终调整阻抗匹配网络。再将辅入功率降低（至少比规定的输入功率降低10分贝），此时测得的功率增益可视为线性增益GLn，增加输人功率直到功率增益下降到比线性增益GLi低1分贝时的输出功率为1分贝增益压缩输出功率，面此时功率增益即为1分贝增益压缩功率增益B6规定条性
环境温度TA;
.漏--源电压 Vrs
漏极电流TD:
d．工作频率fori
e、输入功率 P;。
TKAoNiKAca-
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