SJ 50033.81-1995 半导体分立器件 CS0524型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范 SJ50033.81-1995 标准下载解压密码：www.bzxz.net

中华人民共和国电子行业军用标准FL5961
SJ 50033/81-1995
半导体分立器件
CS0524型砷化镓微波功率场
效应晶体管详细规范
Semiconductor discretedevicesDetail sperification for type CS0524 GaAs microwave power FET1995-05-25发布
1995-12-01实施
中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
CS0524型砷化缘微波功率场
效应晶体管详细规范
Semiconductor discrete devicesDetail specirication for type Csas24 GaAs microwave power FET1范围
1.1 主题内容
SJ 50033/81-1995
本规范现定了CS0524型砷化镓微波功率场效应晶体管（以下简称器件）的详细要求，1.2适用范围
本规范适用干器件的研制,生产和采购，1.3分类
本规范根据器件质量保证等级进行分类。1.3.1器件的等级
按GJB331.3条的规定，提供的质量保证等级为普军，特军和超特军三级，分别用字母GP,GT 和 GCT 表示。
2引用文件
GB4586—84场效应晶体管测试方法GJB 33—85
半导体分立器件总规范
GJB128—86半导体分立器件试验方法3要求
3.1详细要求
各项要求应接GJB33和本规范的规定。3.2设计、结构和外形尺寸
器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。3.2.1端材料和涂层
引出端材料为可战合金，引线表面镀金。3.2.2器件结构
中华人民共和国电子工业部1995-05-25发布1995-12-01实施
TKAONKAca
SJ50033/81-1995
采用研化镓N型沟道肖特基势垒栅结构。3.2.3外形尺寸
外形尺寸见图 1。
引出端性：
图1外形图
3.3最大额定值和主要电特性
3.3.1最大额定值
Te =25t
注：1）当Tc>25C时，按16.7mW/C线栏额、2
最小值标称值最大值
S-底座
- 65 ~ 175
主要电特性(TA=25C)
CS0524A
CS0524B
CS0524C
CSU524D
Vcst ary
Vrs-3V
Vrs=3V
$ 50033/81-1995
Vrs= 3V
Ves-7~sv
1m=180250mA
-10mAVes
PI=160mW(CSU524A.D)
-0, -1V
P=130mW(CS0S24B)
P,=J00mW(CS024C)
240-700-2--5
3.4电试要求
电测试应符会CB4586及本规范的要求。3.5标志
（%）
标志应符合GJB33和本规范的规定。制造厂可省略器件上的下列标志：器件型号；
产品保证等级；
制造厂厂名，代号或商标；
经验批识别代码。
质量保证规定
4.1猫样和检验
抽样和检验应衍合GJB 33和本规范的规定。4.2鉴定检验
鉴定检验应符合GJB33的规定。
4.3筛选（仅对GT、GCT级）
筛选应按GIB 33的衰2和本现范的规定进行。下面测试应按本规范表1进行，超过本规表1极限值的器件应予剔除。端
(5. GJB 33 的表 2)
3热冲街
6高温反偏
7中间电参效
功率老化
~65 ~150t
Tx =150t
1= 48h
Ices: : &m. Vastof)
TTKAONKACa-
(见 GJB 33 的表 2)
9最后测试
4.3.1功率老化条件
功率老化条件如下：
SJ 50033/81-1995
试或试
要木规范表1的A2分组；
4gm≤初始值的±15%;
△Vc）≤初始值的±15%或0.5V,取较大者;4[ss<初始值的 100%或 0. 1mA,取较人者。Tc = 70 + 5 ; P. = 1.75W: Vps = 8V。4.4质量一致性检验
质量一致性检验应按GJB33的规定进行。4.4.1 A 组检验
A组检验应按GIB33和木规范表1的规定进行。4.4.2 B 组检验
B组检验应按GJB33和木规范表2的规定进行，4.4.3 C组检验
C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行。4.5检验和试验方法
检验和试验方法应按本规范相应的表和下列规定。4.5.1脉冲测试
脉冲测试应按 GJB 128 的 3.3.2.1 条的规定。表 1 A组检验
检验或试验
AI分组
外观及机检验
A2分组
栅一澳截止电压
韧一源短路下的漏
极电流
栅一源短路下的栅
极截止电流
GB4586
IGJB128
本规范附
Vos = 3V
fp = 10mA
Vrs = 0
Vus = 3V
Ves - 0
Ves -- 8V
Vus =0, -1V
Vps =3V
Vasian
极限值
检验或试验
A3分组
高温工作
GB4586
源短路下的栅
极截止电流
最游工作
A4分组
输出功率
CS0521A
CSCS24B
CS0524C
CS0524D
动率增益
CS0524A
CS0S24C
CS0524D
功率附亦效率
CS0524A
CS0524B
CSn524C
CS05241
本规范附
本规范附
本规范附
SJ 50033/81-1995
续表1
TA=125
Yis =0
Ves =-8V
TA =-sst
Yre =3V
Vus = 0, - 1
1n=180~250mA
VDe = 7~8V
fo=12GHz
fo12GHz
fo=12GHz
P =100mW
fo=18GIz
1p-180~250mA
Vps -7--8V
TA =25t
fo=12GHz
P;~160mw
fo - 12GHz
P; = 130mW
fo=12GHz
P,=100mW
fo-18GHz
P,=160mW
In=180250mA
Vrs =7~8V
TA-25C
Jo-12GHz
P: = 160mW
Jo=12GHz
P, = 130mW
Jo=12GHz
P: - 100m W
fo=18GHa
P;=160mW
极限值
最小最大
YrKAONTKAca-
检验和试验
R1分组
可焊性
标志的耐久性
B2分组
热冲击
【蕴度循环】
a.渐检漏
b.粗检澡
最后划试
B3分组
稳态工作寿命
最后测试
B4分组
开耀内部目检
(设计验证)
键合强度
B5分组
分组
高显寿命(不工作)
最后测试
检验和试验
CI分组
外形尺寸
C2分组
热冲击(玻璃应力)
引端强度
a.细验漏
b.粗检漏
SJ50033/B1-1995
表 2 B组检验
GJB 128
本规范随录 C
- 65--150C
试验条件H
试验条性 C
见表 4,步 1,2.3 和 4
Tc 70±5C
Vrs =7V; Pu =1.75W
见表 4, 步骤 3,5 和 6
目检标准按鉴定时的设计
试验条件 A
TA-175C
见表 4,步案 3、5和 6
C组检验
GJB 128
试险条件 B
试验条件 A
拉力 1V,时间 10±1g
试验条件 H
试验条件C
每批1个器
件,0失效
20(C=0)
检验和试验
综合温度/显度周期试验
最后测试
C3分组
变报动
恒定如速度
最后潮试
C4分组
盐气(适用时）
C5分组
低气玉
不适用
C6分组
稳态工作寿命
最后谢试
检验或试验
凋一源短路下的抵截止
一源载止电压
一酒短路下的漏极电
流变化量
跨导变化量
跨导变化量
通源短路下的册截上
电统变化量
SI 50033/81-1995
续表3
GJB 128
6个循环，前3个循环进行步骤7
见表4,步骤1、2、3和4
196, 000m/(20, 000g)
见表4.步探1、2、3和4
Por = 1.75W, Vpg = 7V
Te=70+sc
见表 4,步募 3.,5 和 6
表4B组和C组最后测试
GB 4586
本规范
附录A
Ves = oV,
Vag =-8V
Vis - 3V.免费标准bzxz.net
Ip=20md
Ves-ov,
Vis=3V
Vcs = 0, - 1V.
Vrs 3V
Vas =n, -1.
Vs =3V
Yrs =aV
Ves = -8V
注：1）对于本测试，Irsvgm 或 Ics 超过 A 组极限值的器件不应接逻。LTPD
极限值
概始值的±25%1
初始值的±25%1
初始值的±30%以
初始值的100%！
或A组的规范值，
橄较大值
-rKAONKAca-
5交货准备
5.1包装要求
SJ 50033/B1-1995
包装要策应符合GJB33的规定。
5.2贮存要求
贮存要求应符合GTB33的规定
5.3运输要求
运输要求应笃合GJB33的规定。
6说明事项
6.1预定用途
符合本规范的器件供新设备设计使用和供现有设备的后断保障用。6.2订货资料
合同或订货单应规定如下内容：a本规范的名称和编号：
b、等级（见1.3.1条）
c，数量；
d，需要时,其它要求。
6.3如对表面涂层有特殊要求时，可在订货合同或订货单中规定（见3.2.1条），如需典型特性曲线，可在订货文件中规定。6.4型号对照
CS0524的原企业型号为DX621。
附录 A(标准的附录)
A1目的
神化微波功率场效应晶体管跨导的测试方法在规定条件下测试砷化像微波功率场效应晶体管的跨导m。A2电路图
图A1电路图
中：V1为被测FET
R1,R2为限流电阻，适当选取R2以保证器件不超过最大耗散功率。A3测试步弱
首先断开 S1,闭合 S2,调节电压源 G1使 Vrs 3V,读出 I=Ipss。然后断开 S2,闭合S1,谓节电压源 G2使 Vcs =-1V,读出 Ip = I'r e名可由下述公式计算：
A4规定案件
Irns - I'p
B．蒲—源电压Vos，如果Ves不是3V：h。 概-~源电压 Vcs,如果 Voa 不是-1V。(A1)
rKAONKAca-
附录(标准的录)
碑化錦微波场效应晶体管输出功率、功率增益和功率附加效率的测量方法B1目的
测量在规定条件场效应晶体管输出功率 P。、功率增益 Gs和功率附加效率 dd。B2框图
顾率许
,隔离器
发生器
衰磁器
糊合器
功率计1
隔离器
功率计 2
偏置网络
偏置网络
输入阻抗
匹配网络
被测器件
输出阻抗
匹配网
图B1、化镓微波场效应晶体管输出功率Po、功率增益Gp和功率附加效率触的测试框图
联3测原理
翰出功率 Po、功率增益 Ge由下列公式给出：P. = Pl- L1
Pe = P2 + L2
Gp Po-P
式中：P1和P2是功率计1和功率计2给出的数值。L1和L2分别是P:和P。在图1中从点10
A到点B和从点C到D的摄耗。P1和P2用dBm表示，L1和L2用dB表示。电路说明和要求
隔离器的作用是使被测器件的功率保持恒定，不受输人端阻抗失配的影响。被測器件应安装在热流通性良好的测试夹具上。应预先测出电路损耗L1和L2。测量LI和L2时，应预先调节输人和输出阻抗匹配网络，使之处于匹配状态。E5测量注意事项
输入，输出匹配电路不应有阻抗突变，在测量时应采用题谱分析仪检查，使握荡降低。端子应能承受供电。
R6 测量程序
将频率发生器的频率调到规定值；，
b.将栅一源电压V调到栅一源截止电压附近C，加规定的漏一源电压Vrs
d.改变 VGs，使凝电流调到规定值e，把略低于规定值Pmh的输人功率加到被测器件上；f调节输人和输出阻拢匹配网络使功率计的撑示为最大值：名、使输入功率大到规定值，最后调节匹配网络；h。在规定输入功率下,谢量输出功率 Poii. 计算: Gp = Po Pi.
j。计算；
（式中Po,P,以瓦为单位）（B4）nadd =
Vns× Ips
B7规定紊件
a环境或管壳温度（T。或 Tc）;b。漏一源电压，
心漏极电流；
d．濑率；
e，输人功率。
TKAONKAca-
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