SJ 50033.82-1995 半导体分立器件 3DK100型NPN硅小功率开关晶体管详细规范 SJ50033.82-1995 标准下载解压密码：www.bzxz.net

中华人民共和国电子行业军用标准FL5961
ST50033/82-1995
半导体分立器件
3DK100型NPN硅小功率开关
晶体管详细规范
Semiconductor discrete deviceDetail specification for type 3DK100 NPN siliconlow-power switching transistor1995-05-25发布
1995-12-01实施
中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电字行业军用标准半导体分文器件
3DK100型NPN硅小功率开关
晶体管详细规范
Seniconductar discrete deviceDetail specifieation for lype 3DK 100 NPN slliconJow-power switching transistor1范围
1.1主题内容　
SI 50033/82-1995
本规范规定了3DK100型NPN硅小功率开关晶体管（以下简称器件）的详细要求。1.2适用范围
本规范适用于器件的研制、生产和采购。1.3分类
本规范根据器件质量保证等级进行分类。1.3.1器件的等级
按GJB33<半导体分立器件总规范1.3条的规定，提供的质量保证等级为普军、特军和超特军三级,分别用字母 GP,GT 和 GCT 表示。2引用文件
GB4587—84双极型晶体管测试方法GB7581—87半导体分立器件外形尺寸GIB33-—85
半导体分立器件总规范
GJB128—86半导体分立器件试验方法3要求
3.1详细要求
各项要求应按GJB 33和本规范的规定3.2设计、结构和外形尺
器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB 33和本规范的规定。3.2.1引出端材料和涂层
引出端材料应为可伐。引出端表面涂层应为镀金、镀锡或浸锡。对引山端材料和涂层要中华人民共和国电子工业部1995-05-25发布1995-12-01实施
TKAoNiKAca-
SJ50033/82-1995
求选择或另有要求时，在合同或订单中应明确规定（见6.3）。3.2.2器件结构
采用NPV硅外延平面型结构。
3.2.3外形尺寸
外形尺寸按GB7581的A3--01B型及如下规定，见图1。D
引出端极性：
1.发射极
3.集电级
SJ50033/82-1995
图1外形尺寸
3.3最大额定值和主要电特性
3.3.1最大额定值
3DK100
Te =25
注：1）I，>25t,按0.57mW/C的速率线性降额。2）Tc>25℃，安1.7mW/C的速率线性险额。3.3.2主要电特性（TA=25℃）
号(单位)
ff(MHz)
测试条件
Ic -0.5mAwwW.bzxz.Net
Vee =1V
Ie=3mA
Ie=10mA
VeF - 1V
Ic=20mA
Vax =6V
Ic=3mA
J = 100MHz
Veu =6V
f -1MHz
3DK100
65~ +200
最小馍
最大道
rrKAoNiKAca-
Eo (na)
Far(ns)
Vceaxi
号(单位)
VEearl (V)
3.4电测试要求
SI 50033/82-1995
测试条件
Ic - Idm4
In=ImA
Ic=10mA
Ii = Im = ImA
Te = 10mA
Ig = ImA
Ic = 10mA
Ig = ImA
电测试应符合GB4587及本规范的规定。3.5标志
器件的标志应按GB33的规定。
质量保证规定
4.1抽样和检验
抽样和检验应按GIB33和本规范的规定。4.2鉴定检验
鉴定检验应按GJB33的规定。
4.3筛选（仅对GT和GCT级）
3DK100
3DKI00A
3DK100B
3DK100
最小值
最大值
筛选应按GIB33表2和本规范的规定。其测试应按本规范表1进行，超过本规范表1极限值的器件应予剔除。
(见 GJB 33 表 2)
7、中间参数测试
8、功率老化
最后斑试
4.3.1功率老化条件
功率老化条件如下：
TA =25±3
Vce = 10V
Pra =100mW
anor和h pes
见 4.3.1
按本规范表1的A2分组；
AIcx01=初始值的100%或15nA;取其较大者；△FE3 = ±20 %
SJ50033/82-1995
注：不允许器件上加散热器或疆迫风冷。4.4质量一致性检验
质量一致性检验应按 GJB 33的规定进行。4.4.1A组检验
A组检验应按GIB33和本规范表1的规定进行。4.4.2B组检验
B组检验应按GJB 33 和本规范表 2 的规定进行。最后测试和变化量(4)要求应按本规范表4的步骤进行。
4.4.3C组检验
C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行。最后测试和变化量（4）要求应按本规范表4的步骤进行。
4.5检验和试验方法
检验和试验方法应按本规范相应的表和下列规定。表1A组检验
检验或试验
A1分组
外观和机械检验
A2分组
策电极一基极
击穿电压
发射极一基板
击穿电压
第电极发射极
击穿电压
单电极一发射圾
击穿电压
熨电极一基圾
截止电流
发射极一基极
截止电流
正向电统传输比
正向电流传输比
正向电流传输比
正向电流传输比
集电极一发射极
饱和压降
集电极一发射极
炮和压降
基极发射极
愧和压降
GJB128
本规范
附录 A
本规范
附录A
GB4587
发射极一基极开路
Ie:=10μA
集电坡基极开路
Ig - 10μA
发射极一基极开路
Ie = 100μA
发射极一基极开路
I。=lmA
发射极一基极乃路
VeB = 15V
集电极一基极开路
Ver. - IV Ic =0, SmA
VcE - IVfe - 3mA
Voe = IV Ie = lmA
Ve - IV Ic = 20mA
Ic = 10mA I, = 1mA
Ic = 20mA I, = 2mA
tc = 10mA fg - 1mA
VERICBO
V(tR>ENO
V(TIRXCEO
VERCEO
VceEae
极限慎
最小最大
rKAONiKAca-
检验或试胺
基极一发射极
施和医降
A3分组
高温工作：
集电极一甚极
截止电流
低温工作：
正向电流传输比
A4分组
特征骏率
开骆输出电客
饱和开启时间
饱知关闭时间
3DK100A
3DKHOB
A5、A6 和 A7 分组不
检验变试验
B分组
可焊性
标志的耐久性
B2分组
热冲击(温度循环)
.细检漏
b.粗检漏
最后测试
B3分组
稳态工作寿卸
SJ50033/82—1995
续表1
GR4587
Ic-20mAIg=2mA
Ta= + Isot
发射极一基极开路
Vce -15V
Ta-55t
VcE =IV Ic=10mA
VeE=6VIc-3mA
f =100MHz
VeR-6VIR\O
f =IMHz
Ic = 10mAIg =1mA
e - 10mA
[Im = Im = ImA
LTPD丨符号
表 2 B组检验
GJB128
试验条件 H
试验条件C
见表 4,步骤 1、3和 4
极限值
小最大
Vcn = 10V, Px = 100mW
TA-253
检验或试验
最后测试
B4分组
开帽内部目检
（设计验证）
键合强魔
BS分组
不适用
B6分组
高溢寿命：（不工作)
般片谢试
检验我试验
CI分组
外形尺寸
C2分组
热冲击(玻璃应力)
引出端强度
a.细检凝
h.粗检漏
综合馄度/湿度周期试验
外观及机械检验
最后测试：
C3分组
变频据动
恒定加速度
最后测试
CA分组
盐气(适用时)
SJ50033/82-1995
续表2
CJB128
不允许器件散热器或强追风冷
现表 4, 步骤 2 和 3
目检标准按鉴定时的设计
TA=200℃
见表4,步骤2和5
表3C组检验
GJB128
见图1
试验条件 A
试验条件E
试验条件H
试验条件心
见表 4 步骤 1、3 和 4
见表4步聚1.3和4
每批一个器
件.0失效
-rKAONKAca-
检验或试验
C5分组
不适用
C6分组
稳态工作寿命
最后测试
粒验或试验
巢毛极一基极截止电统
英电极一基极截止电流
集电极一发射极饱压降
正向电统专赣比
正间电流传比变化量
SJ50033/82-1995
续表3
TA =25±3℃
Vcs =10V
P - 1U0mW
不允许器件加热器或强追风冷
见表 4,步骤 2 和 5
表4B组和C组的最后测试
GH 45B7
发射钣一基极开路
Ya = tsV
发射极一基极并路
Ven = 15V
c= IUmA
Ig = ImA
Vce = iV
Ic=10mA
Vece =1V
Ic -10mA
注：1）太于本试验，超过A红极限值的器件不应接收。5交贷准备
5.1包装要求
包装要求应按GB33的规定，
5.2此存要求
处存要求应按CJB33的规定。
5.3运输要求
运输要求应按GIB33的规定。
6说明事项
6.1预定用途
YcErat
符合本规范的器件供新设备设计快用和供现有的后暂保障用。6.2订货资料
合同或订货单应规定下列内容：18
极限值
1 = 10
韧始值的
a、本规范的名称和编号：
b.等级(见1.3.1);
c、数量：
SJ 50033/82—1995
需要时,其它要求。
6.3对引出端涂层有特殊要求时，应在合同或订货单中规定（见3.2.1)：如使用单位需要时，典型特性曲线等可以合同或订货单中规定。9
-YTKAONTKAca
附录A（标雅的附录）
Al目的　
集电极一发射极击穿电压的测试方法本测试的目的是为了在规定的条件下确定晶体管的击穿电压是否大于规定的最低极限值。
A2测试电路图
测试电路图见图A1。
图AI集电极一发射拨击穿电压测试电路A3步骤
电阻器RI为限流电阻器，其阻值应足够大，以避免过度的电流流过晶体管和电流表。在发射极一基极开路的条件下，增加电压直到送到规定的测试电流。如果在规定的测试电流下所加的电压大于VR)CE的晨循极限值,则晶体管为合格。附加说明：
本规范由中阅电子技术标化研究所归口。本规范出中国电子技和标准化研究所和石家庄无线电二厂负责起草。本规范主要起萃人：王长福、迁继利、谢佩兰。计划项目代号：B21003。
YIKAONIKAca-
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