SJ 50033.83-1995 半导体分立器件 CS139型硅P沟道MOS增强型场效应晶体管详细规范 SJ50033.83-1995 标准下载解压密码：www.bzxz.net

中华人民共和国电子行业军用标准FL5961
SJ 50033/83-1995
半导体分立器件
CS139型硅P沟道MOS增强型场
效应晶体管详细规范
Semiconductor discrete deviceDetail specification for type Cs139 silicon P-channelMOs enhancement mode field-effect transistor1995-05-25发布
1995-12-01实施
中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
CS139型硅P沟道MOS增强型场
效应晶体管详细规范
Semiconductor discrete deviceDetail specification for type CS139 silicon P-channelMOS enhancement mode field-effect iransistor1范围
1.1 主题内容
SJ50033/B3-1995
本规范规定了CS139型础P沟道MOS增强型场效应品体誉（以下简称器件）的详细要求。
1.2适用范围
本规范适用于器件的研制、生产和采购。1.3分类
本规范恨据器件质基保证等级进行分类。1.3.1馨件的等级
按GJB33（半导休分立器件总规范)1.3条的规定，提供的质量保证等级为普军，特军和超特军三级，分别用字母GP、GE和GCT表示2引用文件
GB 4586一84 场效应晶体管测试方法GB7581—87半导体分立器件外形尺寸GJB 33—85半导体分立器件总规范GJB128-86半导体分立器件试验方法3要求
3.1详细要求
各项要求应按GJB33和本规范的规定。3.2设计结构和外形尺寸
器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB 33和本规范的规定。3.2.1引出端材料和涂层
中华人民共和国电子工业部1995-05-25发布1995-12-01实施
YrKAOKAca
S1 50033/831995
引出端材料应为可伐或其他含金。引出端表面涂层应为镀金、镀或漫锡。对引山端材料和涂层要求选择或另有要求时，在合同或订单中应明确规楚(见6.3)。3.2.2器件结构
采用硅P沟道MOS增强型结构。
3.2.3外形尺寸
外形尺寸接GB 7581 的A4—01B型及如下规定，见图1。0. 35(m
0. 35 ()x(M
引出端极性：
最大额定值和主要电特性
3.3.1最大额定值
TA=25C
SJ50033/83-1995
A4--01B
图【外形尺
注，1)T>25℃,按 0.8mW/C的速率线性降额。3.3.2 主要电特性(Ta=25)
Vecsi hi
TIstonT
号(单位)
(μus)
测试条件
V=-10V
I = 10μA
Vss 0V
V=-10V
Iu=3mA
Vse=oV
Vs - -10V
fr=lruA
Vss =oV
最小值
T,和T
- 55 - + 150
最大值
-TrKAONiKAca-
rps an)
号（单位）
3.4电测试要求
SJ 50033/83 1995
测试条件
Vrs =-10V
Ves =0V
Vsa=ov
电测试应符合GB4586及本规范的规定。3.5标志
器件的标志应按GIB33的规定。
3.6静电故电保护
最小值
最大谊
本规范适用的各种器件有静电保护的要求（见6.4)。当下述步骤证实时，在B组和C组静电放电(ESD)失效的器件不作为整批失效计数。ESD失效电特性：
栅一源本体或溺短路（主失效模式)。a.
rDs(on）大于40000（副失效模式）。c.
1Y！低于50μs（副失效模式）。Vcs(th）下源(副失效模式)。
ESD目检待性证实：
栅极边缘上小而暗的短露痕迹。在扫描电子显微镜(SEM)下观雾放电和栅氧化层。h.
在某分组给定的步骤中，若多于两个失效呈现ESD失效判据，那末，需要另外作深入的失效分析，以验证有缺陷的氧化层不引起该种失效。4质量保证规定
4.1抛样和检验
抽样和检验应按GJB33和本规范的规定。4.2鉴定检验
鉴定检验应按GJB33的规定。
4.3筛选(仅对 GT 和 GCI 级)
筛选应按GJB33表2和本规范的规定，其测试应按本规范表1进行，超过本规范表1极限值的器件应予剔除。
(见 GJB 33 装 2)
3热冲击
5密封
高温反偏
低温应为-55，高温应为+150c
不要求
TA = 125, Vx = 16V, Vrs = 0V验
（见GIB33表2）
中间测试
8电老花
9、最后测试
4.4质量--致性检验
SI 50033/83-1995
A[xm1 严初始值的 100 %或 2nA,取较大者;r Dsian)1 -初始值的± 10% ;
4Voxh）=初值的±10%或0.2V,取较大者。TA - 125t, Vrs =- 12V, Vas = 0V本规范表 1 的 2 分组;
[xy=初始值的100%或2nA,取其较大者：rns(m=初始值的=10%；
△VG%：=初治值的±10%或0.2V,取较大者质量一致性检验应按GIB33的规定进行。4.4.1 A 组检验
A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4.4.2 B组检验
B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行。最后测试和变化量（4）要求应按本规范表4的步骤进行。
4.4.3C组检验
C组检验应按GIB33和本规范表3的规定进行。最后测试和变化量（4）要求应接本规范表4的步骤进行。
4.5检验和试验方法
检验和试验方法应按本规范相应的表和下列规定。表1A组检验
检验或试验
A1 分组
外观和机械检验
A2 分组
滑源漏泄电液
栅极漏泄电流
栅一源词压
GJB128
GB4586
Ves -luv
Ves = Vo - DV
Vcs = -10V
Vis = Vsr = 0V
Vrs = - 10V
VsR - OV
Ip = 10A
LTPD‘符
Irs an)1
极限值
最小值最大值
TTKAONKAca-
检验或试验
漏一源通态电
撕一源击穿电压
满一村击穿电压
源一对击穿电压
A3 分组
高温工作，
谢一源漏泄电流
栅效涵泄电流
桩一源离电压
漏一源通态电图
低温工作：
栅—源阁电压
漏一源通态电
A4 分组
小信号共源短路正
向跨导
小信号共源短路输
人电容
SJ 50033/831995
续表 1
GB4586
Ves = - 10V
Vsa = oV
Iπ=1mA
Vc = V-0V
Ip=luA
源极开路
VGB=OV
fp = lμa
漏极开路
VeB = OV
Is = 1μA
Ta = 12st
Vrs =- 10V
Vas=VGh=0V
Ves -- lUV
Vos =Vs =nV
Vrs = - IU V
Ys = 0V
In=10μA
Ys =-l0V
Vs = oV
I = 1mA
TA =- 55t
Yrs -- 10V
Ysa = 0
Ip=JUμA
Ycs -~ 10V
Vs - oV
In=1mA
Ves = -10V
In=3mA
Vse = V
f - 1kHz
Vrs =-10V
V's -oV
Vrs=-10V
f =1MHz
restani
ViER)DS
极限值
最小值最大值
VER>DE 1
VeER)SB
I nsatt
iVestn?
Frst om
Vusrthi
r Dst ana
-1.51-6.5
检验或试验
小信号共源短路友11
懂电容
A5、A6利AT分组
不适用
检验或试验
SJ50033/83-1995
续表1
GB 4586
Vs =-16V
Vse=av
Ves =- 10
f= 1MHz
表2B组检验
B1分组
可焊性
标志的耐久性
B2 分组
热冲击(温度循环)
8.细检漏
h.粗检漏免费标准bzxz.net
最后测试
B3分组
稳态工作寿命
(高温正偏）
最后测试
B4 分组
开蝠内部其检，
(设计验证)
键合强度
B5分组
不适用
B6分组
高混寿命；(不工作）
最后试：
试验条件F,但温度应为-55t
试验条作H
试验条件 C
见表4,步骤1、2、3、4和5
试验涤件A
TA =125C
Ves - - 12V
VGs-OV
见表4,步骤 1、2,3、4 和 5
试验条件 A
数限值
最小值
每个器件所有的内部引线分别进行拉力试验T =150c
见表4,步深1、2、3、4和5
最大值
每批一十器
件,零失效。
TKAONKAca-
检验或试验
C1分组
外形尺寸
C2分组
热冲击(玻璃应力)
引出端强度
a.细检漏
b.粗检漏
综合温度/湿度周期试验
外观及机械控验
最后测试：
C3分组
变颖攀动
恒定加速度
最后测试
C4分组
(适用时）
Cs分组
不适用
C6分组
稳态工作寿命
（高温正偏）
最后测试
卒验或试验
！漏一源漏泄电流
暖漏世电流
SJ50033/83-1995
表3C组捡验
GJB128
见图1
试验条件 A
试验条件E
试验条件 H
试验条件C
见表 4,步聚 1,2、3、4 和 5
见表 4,步聚1,2,3、4和 5
试验条件 A
T,=125c
Ves = -12V
Ves = oV
见表 4. 步骤 1,2,3、4 和 5
表 4 B 组和 C组的最后测试
GB4586
Vrs - 10V
Vus = Vur Ov
Ves --10V
Vrs = Vs - 0V
最大值
检验或试验
栅源阀电压
漏-源通态电阻
一源击穿电压
5交货准备
5.1包装要求
SJ50033/83-1995
续表4
GB4586
包装要求应按GJB33的规定。
5.2贮存要求
贮存要求应按GJB33的规定，
5.3运输要求
运输要求应按 GJB 33 的规定。6说明事项
6.1预定用途
Vrs#-10V
Va = oV
Ip= 10μA
Yos - - 10V
YsR- OV
Ip=ImA
Ycs = Vas = 0V
Ip-1ua
r'stonl1
VonRD6
符合本规范的器件供新设备设计使用和供现有的后保障用。6.2订货资料
合同或订货单应规定下列内容：a。本规范的名称和编号；
b.等级(见 1.3.1):
c．数量；
{。需要时，其他要求。
最小值
最大值
6.3对引出端途层有特殊要求时,应在合同或订货单中规定(见 3.2.1)。如使用单位需要时，典型特性曲线等可以合同或订货单中规定。6.4操作
操作MOS型器件必预采取必要的预防措施，以免因静电累积面损坏器件。推荐以下操作方法(见3.6)。
器件应在表面导电并接地的工作台上操作。s
h．操作器件的人员及有关试验设备、工具均需接地。c，手持器件时不要触及引线
d.在导泡沫或载体中贮存器件。9
TKAONKAca
S1 50033/83-1995
在MCS区域内应避免使用塑料、橡胶或丝绸。e.
f．若有可能，应保持相对度大于50%。在试验和排除故障期间，应注意对任何引线施加的电压不得超过最大额定值。g.
h，漏一源施加编置电压时，一源之间必须接R小于100kn的电阻。6.5型号对照
CS139的厂用型号为3C01。
附加说明：
本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范白中国电子技术标准化研究所、上海无线电十四厂和七四六厂共同起草。本规范主要起草人：主长福、刘美英、徐锦仙。计项目代号：B21011。
YIKAONIKAca-
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