SJ 50033.85-1995 半导体分立器件 CS141型硅N沟道MOS耗尽型场效应晶体管详细规范 SJ50033.85-1995 标准下载解压密码：www.bzxz.net

中华人民共和国电子行业军用标准FL5961
SJ50033/85-1995
半导体分立器件
CS141型硅N沟道MOS耗尽型场
效应晶体管详细规范
Semiconductor discrete deviceDetail specification for type Cs141 silicon N-channelMOS deplition mode field-effect transisto1995-05-25发布
1995-12-01实施
中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
CS141型硅N沟道MOS耗尽型场效应晶体管SJ 50033/85-1995
详细规范
Semiconductor discrete deviceDetall specificatiun fur lype Cs141 silicon N-channelMOS dplition uhde field-effect transistor1范围
1.1主题内容
本规范规定丁CS141型硅N沟道MOS耗尽型场效应晶体管（以下简称器件）的详细要求。
1.2适用范围
本规范适用予器件的研制，生产和采购。1.3分类
本规范根据器件质最保证等级进行分类。1.3.1器件的等级
按GJB33(半导体分立器件总规范)1.3条的规定，提供的质量保证等级为普军、特军和超特军三级，分别用字母GP、GT和GCT表示。2引用文件
GB4586—84场效应品体管测试方法GB7581—87半导体分立器件外形尺寸半导体分立器件总规范
GJB 33—85
5半导体分立器件试验方法
GJB 128-86
3要求
3.1详细要求
各项要求应按GJB33和本规范的规定。3.2设计、结构和外形尺寸
中华人民共和国电子工业部1995-05-25发布1995-12-01实施
TKAONKAca
SI50033/85-1995
器件的设计、结构和外形尺寸应接GJB33和本规范的规定。3.2.1引出端材料和涂层
引出端材料应为可伐或其他合金。引出端表面涂层应为镀金、镀锡或浸锡。对引端材料和涂层要求选择或另有要求时，在合同或订单中应明确规定（见6.3)。3.2.2器件结构
采用硅N沟道MOS耗尽型结构。
3.2.3外形尺寸
外形尺寸按GB7581的A3—01B型及如下规定，见图1o.pxm
引出端极性：1.滞极2.栅极3.源极mm
图1外形尺寸
Ag -D1B
3.3最大额定值和主要电特性
3.3.1最大额定值
TA=25℃
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注;1) TA>25C时,接 0.8mW/C的速率线性降额。3.3.2主要电特性(T=25C)
符号(单位)
Irss( mA)
Vasteftr(v)
Ygl(μs)
Ge(dB)
3.4电测试要求
测试条件
Vss-10V
Vcs\oV
Vrs = 10V
Tp=1μA
Ip=3mA
f=1kHz
Vns= l0v
I,= 3mA
= 4m0MHz
Vrs=10V
Ip=3mA
F= 400MHz
CSI4IE
CSI4IF
CS141G
CSI41K
CSI4IG,H
所有型号
所有型号
所有型号
母測试应符合GB4585及本规范的规定。3.5标志
器件的标志应按GJB33的规定
3.6静电放电保护
最小值
T,和 T
- 55~ + 150
量大慎
本规范适用的各种器件有静电保护的要求（见6.4），当下迷步骤证实时，在B组和C组中静电放电（ESD)失效的器件不作为整批失效计数。ESD失效电特性：
净，榭一源本体或漏短路(主失效模式)。b，「Y|低于100us(副失效模式)。ESD目检待性证实：
TKAONKAca
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栅极边缘上小而暗的短路痕迹。b，在扫描电子显微镜（SEM)下观察放电和栅氧化层在某分组给定的步骤中若多于两个失效呈现ESD失效判据，那末，需要另外作深入的失效分析，以验证有缺陷的氧化层不引起该种失效。4质量保证规定
4.1抽样和检验
抽样和检验应按GJB33和本规范的规定。4.2监定检验
鉴定检验应按GJB33的规定。
4. 3筛选(仅对 GT和 GCT级)
筛选应按GJB 33 表 2 和本规范的规定。其测试应按本规范表1 进行,超过本规范表 1 极限值的器件应予剔除。
(GJB 33 表 2)
3热冲击
6高溢反偏
7中间测试
8毛老化
9最后测试
4.4 质量一致性检验
潮试或试验
低温应为-55℃，高温应为+150
不要求
！不要求
1 Icsa, Is和|Y,]
T,= [25C, Vcs= -20V, Vog=0V免费标准下载网bzxz
本规范表 1 的 A2 分组;
4Ic551=初始值的±100%或1nA,取较大者4/ss=初始值的±15%
4/ Y1 = 初始值的 ± 20 %
质量一致性检验应按 GJB 33的规定进行。4.4. 1 A 组检验
A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4.4.2B组检验
B组检验应按 GIB 33 和本规范表2 的规定进行。最后测试和变化量(△)要求应按本规范表 4 的步骤进行。
4.4.3C组检验
C组捡验应按GIB33和本规范表3的规定进行。最后测试和变化量（4）要求应按本规范表4的步骤进行。
4.5检验和试验方法
检验和试验方法应按本规范相应的表和下列规定。检验或试验
AI分组
外观和机械检验
A2分组
栅一源击套电压
海一源击穿电压
讲一源游测电液
零压漏极电流
CS141E
CS141F
CS141G
CS141H
栅一源截止电压
CS141G、H
A3分组
高温工作：
拼一源瀚泄电流
低益工作：
小信号共源路正向
A4分组
小信号共源短路正向
小信号共源短路输入
GJB 128
SI 50033/85-1995
表 1 A组检验
GB4586
漏源短路
tg- luA
JVs=0V
Ves - Vesto +( - 1)V
Ip=lμA
漏源短路
Ves=0V
Ve- -10V
栅源短路
Vpe=10V
Veg=0V
Vos 10V
I=IμA
TA-125C
漏源短路
Vus-ov
Vs=-t0V
TA-5SC
Vrsl0V
Ip=3mA
r=1kHz
Ves=10V
F,=3mA
f= ikHz
Vs-10v
Vcs=0V
f-IMHz
V(SRIGSS
VeRRonSs
[ Yal2
最小值
最大值
IYel3000
HYrKAONTKAca-
检验或试验
小信号共源短路
反馋电
共源点噪声豪数
功率增益
A5.A6 和 A7 分组
不适用
检验或试验
R1分组
可得性
标志的耐久性
B2 分组
热冲击(温度循环)
乱。细检溺
b、粗检漏
最后测试
B3分组
稳态工作寿命
(高湿发偏）
第后测试：
E4 分组
SJ 50033/85—1995
续表1
GB4586
Vps=10V
Ves=aV
f- 1MHz
Vps =10V
lu=3ml
-400MHz
R=10Ma
Vs=10V
In= 3mA
f 400MHz
表 2 B纽检验
开帽内部目拉【设计验证
链合强度
试验条件 F,但温度应为 - 55C
试验条件H
试验条件C
表4,步薪1、3和4
试验涤件A
TA-125C
Vos=0V
Vea=-20V
见表 4,步骤 2,5 和 6
试验条件A，
致小使，最大值
第桃个器
件,失效。
20(C= 0)
第个器件所有的内部引线分别进行拉力试验检验或试验
B5 分组
不适用
BG 分组
高温老命(工作)
最后测试：
检验或试验
C1分维
外形尺寸
2分组
热冲击(皱璃应力)
引出端强度
a.细检漏
b.扭检漏
综合温度/湿度周期试验
外观及机械捡验
最后测试
C3分组
变频振动
恒定加速度
最后测试，
C4分组
（适用时)
C5分组
不适用
C6分组
稳态工作寿命
(高湿反偏）
最后测试：
SJ50033/85-1995
续表2
GJB128
TA-150C
见表 4, 步骤 2 和 6
表 3 C检验
GJB128
见图！
试验条牛A
试验条牛E
试验案件 H
试验条件 C
见表 4., 步骤 1,3 和 4
见差 4, 步骤 1.、3知 4
试验条件 A
TA=12sc
Vas= -20V
见表 4, 步骤 2、5 和 6
TTKAONKAca-
检验或试验
粉源漏泄电流
栅—源漏泄电流
零珊压漏极电流
CS14IE
CS141F
CS141G
CS14IH
小信号共源短路正可跨导
CS141E
CS141F
零播压滞极电流变化量
小信号共源短路正向跨
导变化量
5交货准备
5.1包装要求
SJ50033/B5-1995
表4B组和C组的最后测试
GB4586
包装要求应接 GIB33的规定。
5.2贮存要求
贮存要求应按 GJB 33的规定。
5.3运输要求
运输要求应按GJB33的规定。
6说明事项
6.1 预定用途
源短路
Ves=uv
Ves=-10V
稀源短路
Vts-ov
Yes= -10V
懋源短路
Vrs= l0V
Vos=oV
Vts= l0V
fp=3mA
f= 1kHz
栅源短路
Vps=10V
Ves-ov
Vrs- 10V
In-3mA
F=IKHz
最小值
最大值
初始值的
初自慎的
SJ50033/B5-1995
符合本规范的器件供新设备设计使用和供现有的后勤保障用。6.2订货资料
合同或订货单应规定下列内容：净，本规范的名称和编号；
b.等级(见1.3.1);
c数量：
d。需要时，其他要求。
6.3对引出端涂层有特殊要求时，应在合同或订货单中规定（见3.2.1)，如使用单位需要时，典型特性油线等可在合网或订货单中规效：6.4操作
操作MOS型器件必须采取必要的预防措施，以免因能串累积面据坏器件。推荐以下操作方法（见3.6)。
器件应在表面导电并接地的工作台上操作。a.
，操作器件的人员及有关试验设备、工具均需接地。c、手持器件时不要触及引线。
d、在导电泡沫或载体中贮存器件。e.在MOS区域内应避免使用塑料、橡胶或丝绸。f.若有可能，应保持相对湿度大于50%。g．在试验和排除故障期间，应注意对任何引线施加的电压不得超过最大额定值。h。漏一源施加偏置电压时，棚一源之间必须接R小于100K0的电阻。6.5型号对照
CS141的广用型号为3DI2。
附加说明：
本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由中国电子技术标准化研究所、上海无线电十四厂和七四六厂共向起草。本规范主要起草人：手长福、刘美英、徐锦仙。计划项目代号：B21013
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