SJ 50033.86-1995
基本信息
标准号： SJ 50033.86-1995
中文名称：半导体分立器件 CS5114～CS5116型硅P沟道耗尽型场效应晶体管详细规范
标准类别：电子行业标准(SJ)
标准状态：现行
出版语种：简体中文
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相关标签： 半导体 分立 器件 沟道 耗尽 场效应 晶体管 详细 规范
标准分类号
关联标准
出版信息
相关单位信息
标准简介
SJ 50033.86-1995 半导体分立器件 CS5114～CS5116型硅P沟道耗尽型场效应晶体管详细规范
SJ50033.86-1995
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标准内容
中华人民共和国电子行业军用标准FL5961
SJ50033/86-1995
半导体分立器件
CS5114~～CS5116型
硅P沟道耗尽型场效应晶体管
详细规范
Semiconductor discrete deviceDetail specification for type CS5114~CS5116silicon P-channel deplition mode field-effect transistor1995-05-25发布
1995-12-01实施
中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
CS5114~CS5116 型
硅P沟道耗尽型场效应晶体管
详细规范
Semiconductor discrete deviceDetail speciricalion for type (S5114~CS5116silicon P-channel deplition mode field-effect transistor1范围
1. 1 主题内容
SI 50033/86-1995
本规范规定了CS5114～CS5116型硅P沟道耗尽型结型场效应晶体管(以下简称器件）的详细要求。
1.2适用范围
本规范适用于器件的研制、生产和采购。1.3分类
本规范根据器件质量保证等级进行分类。1.3.1器件的等级
按GIB33（半导体分立器件总规范)1.3条的规定、提供的质量保证等级为普军、持军和超特军三级.分别用字母GP、GT和GT表示。2 引用女件
GB4586—86场效应晶体管测试方法GB7581—87半导体分立器件外形尺寸5半导体分立器件总规范
GIB 33--85
GIB128—86半导体分立器件试验方法3要求
3.1详细要求
各项要求应按GJB 33和本规范的规定3.2设计、结构和外形尺寸
器件的设计、结构和处形尺寸应按GJB33和本规范的规定。中华人民共和国电子工业部1995-05-25发布1995-12-01实施
TKAoNiKAca
3.2.1引出端材料和涂层
SJ50033/86-1995
引出端材料应为可伐。引出端表面涂层应为镀金、镀锡或浸锡。对引出端材料和徐层要求选择或另有要求时，在合同或订单中应明确规定(见6.3)。3.2.2器件结构
采用硅P构道耗尽型结构
3.2.3外形尺寸
外形尺寸按 GB 7581的 A3 -01B型及如下规定,见图 1。代号
0. 35(x(
图 1外形尺寸
3.3最大额定值和主要电特性
3.3.1最大额定值
TA=25C
A3-01B
引出端极性：
1.源极2.栅极3.翻极
T,和Ta
- 65 ~ + 200
S56033/86-1995
注：1)T,>25℃时，接3mW/C的速率线性降频。2)几何菌形对称，充许源与爆引线互指对换工作。3.3.2主要电特性(T。=25℃）
符号（单位）
Isa）（mA)
Vps(on) (V)
Veasrot(v)
ra)(a)
测试条件
Vos -- 18V, Ves - -
Vrs= - 15V, Vcs - 0
Vig= -15V, Vcss=0
Fp= - 15mA, Ves-0
[I-= -7mA, Vcs- 0
I,-3mA,Va=0
Vns- -15V
注：1)脉冲法（见4.5、1)。
3.4电测试要求
CS5114
CS5115
CS5116
CS5114
CS511s
CS5116
CS5114
CS5115
CS511G
CS5114
CS5115
CS5116
电测试应符合GB4586及本规范的规定。3.5标志
器件的标应按 GJB 33 的规定。4质量保证规定
抽样和检验
抽样和检验应接GJB 33和本规范的规定。4.2鉴定检验
鉴定检验应按 GIB 33 的规定。4.3筛选(仅对GT和GCT级）
最小值
最大值
筛选应按GJB33表2和本规范的规定。其测试应接本规范表1进行，超过本规范表1极限值的器件应子剔除。
TTKAONKACa-
(GJB33表2)
6,高温反偏
7、中间参效测讨试
8.功率老化
9,最后测试
4.4质量一致性检验
SJ 50033/86 -- 1995
不要求
不要求
Icsst Ipss Ioi和ecn)
TA - I50C, Vas = 0V, Vcs = 24V本规范表1的A2分组：
Acss-±0.InA或初始值的上100%，取较大者Ixefi和 Ar dton) = ±20% :A[rs= ± 15 % 。质量一致性检验应按GIB33的规定进行。4.4. 1 A组检验
A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4.4.2B组检验
B 组捡验应按 GIB 33 和本规范表 2 的规定进行。最后测试和变化量(4)要求应按本规范表 4 的步进行。
4.4.3C组检验
C组检验应按GIB33和本规范表3的规定进行。最后测试和变化量（4）要求应按本规范表4的步骤进行。
4.5检验和试验方法
检验和试验方法应按本规范相应的表和下列规定。4.5.1脉冲测试
脉冲测试应按GIB128的3.3.2.1的规定。4.5.2并关时间测试
开关时间的测试条件和元件值见下表：型
CS5114
CS5116
Vosceni
Yecs at
检验或试验
AI分组
外观和机械检验
A2分组
栅源击穿电压
极截止电流
零册压漏极电统
CS5114
CSs11s
CS5116
漏报截止电流
CS5114
CS5115
css[16
漏一源道态电压
CS5114
CS5115
CS$116
栅--源载上电压
CS5114
CS5ILS
CS5116
小岩号凝一源通态
CS5114
CS5115
CS5116
A3 分组
高温工作：
栅极裁止电流
GHB128
SI50033/86-1995
表1A组验
GB45B6
漏源短路
Ic-lμA
Vns = 0
漏源短路
Vas = 20V
栅源短路
Ves = 0
Vrs — -18V
Vm= -15V
Vrs= - 15V
Vrs=-15V
Vis=12V
Vcs-7V
Vcs=sV
Ycs= 0
Ip= -I5mA
In 7mA
ID=3mA
Vrs=-15V
p-- IA
Vcs =d
源短路
VrR=20V
ViSRIG
Icssi
Io ait
Vtsten)
Tal(oa)
最小道
最大值
TKAONKAca
检验或试验
漏极截止电流
CS5114
CS5115
CS5116
A4分组
并启延迟时间
CS5114
CS5116
上升时间
CS5114
CS5115
CS5116
关闭延返时闻
CS5114
CSS115
CS5116
下降时间
CS5114
CS5115
CS5116
小信号共源短路
输入电容
CS5114
CS5115
CS5116
小信号共溪短路
反碘电容
CS5114
CS5116
A5、A6和A7分组
不适用
—6—
SJ50033/86—1995
续表1
CE 4586
VDs= -15V
Vcs = 12V
Ves-5V
见4、5、2
见4.5、2
见4,5,2
见45、2
Vns= -15
f=1MHz
Ves=12V
Ves= sV
最小值最大值
检验或试验
B1分组
标志的耐久性
B2分组
热冲击(混度循环）
a.细检凝
b.粗检漏
最启测试：
B3分组
稳态工作寿命
高温反偏)
最后测试：
B4分组
开幅内部目拉
设计验证）bZxz.net
键合强度
BS 分组
不遂用
B6 分组
高温寿台(不工作)
最后测战
检验或试验
C1分矩
外形尺
C2分组
热冲击(玻璃应力)
引出端强度
a细检
b.相检漏
SJ50033/86-1995
表 2 B组检验
GJB128
试验案件H
试验条件C
见表 4, 步骤 1 和 2
TA=125
Ves=24V
Vrs=0V
见表 4,步骤3和 4
试验条件 A,
每个器件所有的内部引线分别进行拉力试验FA=150c
见表 4,步骤 3 和 4
表 3 C组检验
GJB 128
试验条件A
试验条件E
试验条件H
试验条件 C
每批一个，
学失效
TTKAONKACa-
检验或试验
综合温度/湿度周期试验
外观及机械检验
最后測试
C3分组
变频振动
恒定加速度
最后测试：
C4 分组
(适用时）
CS分组
不适用
C6 分组
稳态工作寿命
（高溢皮偏）
最后汉试：
检验和试验
小信号塌源通态
CS5114
CS5115
CSS116
通极藏让电流
CSSLIS
CSs1l6
通盐止电流
CS5114
CSS11s
CS5116
4小信号凝源道态
CS5114
CS5115
CS5116
5交货准备
SJ50033/86-1995
续表3
GJB 128
见表 4,步骤 1和2
见表 4, 步骤1和2
Ta= 125
Vcs=24V
况表 4, 步骤 3 和 4
表4°B组和C组的最后测试
GB4586
Ycs=0, 1,-0
f-1kHe
Vpg= 15V
VGs= 12V
VGs=7V
Vus-sV
Vps=-15V
VGs=12V
Ves=7V
Ves=sV
Vcs-0,In-0
f= lkHz
T'det on)
最小慎
最大值
5.1包装要求
包装要求应接 GJB 33 的规。
5.2存要求
贮存要求应按 GJB 33 的规定。5.3运输要求
运输要求应接GJB33的规定。
6说明事项
6.1萌定居途
SJ50033/86-1995
符合本规范的件新设备设计使用和供现有的后勘保摩用。6.2订货资料
合同或订货单应规定下列内穿：a、本规范的名称和编号；
h.等级(见1.3.1);
e：数量
d。需要时,其他要求。
6.3对引出端涂层有特殊要求时，应在合间或订货单中规定（见3.2.1),如使用单位需要时，典型待性曲线等可在台同或订货单中规定。附加说明：
本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由中国电了技术标准化研究所和七四六厂共同起草。本规范主要起草人：王长福、张宗国、徐锦仙。计划项月代号;F21015,
YKAOIKAca-
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SJ50033/86-1995
半导体分立器件
CS5114~～CS5116型
硅P沟道耗尽型场效应晶体管
详细规范
Semiconductor discrete deviceDetail specification for type CS5114~CS5116silicon P-channel deplition mode field-effect transistor1995-05-25发布
1995-12-01实施
中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
CS5114~CS5116 型
硅P沟道耗尽型场效应晶体管
详细规范
Semiconductor discrete deviceDetail speciricalion for type (S5114~CS5116silicon P-channel deplition mode field-effect transistor1范围
1. 1 主题内容
SI 50033/86-1995
本规范规定了CS5114～CS5116型硅P沟道耗尽型结型场效应晶体管(以下简称器件）的详细要求。
1.2适用范围
本规范适用于器件的研制、生产和采购。1.3分类
本规范根据器件质量保证等级进行分类。1.3.1器件的等级
按GIB33（半导体分立器件总规范)1.3条的规定、提供的质量保证等级为普军、持军和超特军三级.分别用字母GP、GT和GT表示。2 引用女件
GB4586—86场效应晶体管测试方法GB7581—87半导体分立器件外形尺寸5半导体分立器件总规范
GIB 33--85
GIB128—86半导体分立器件试验方法3要求
3.1详细要求
各项要求应按GJB 33和本规范的规定3.2设计、结构和外形尺寸
器件的设计、结构和处形尺寸应按GJB33和本规范的规定。中华人民共和国电子工业部1995-05-25发布1995-12-01实施
TKAoNiKAca
3.2.1引出端材料和涂层
SJ50033/86-1995
引出端材料应为可伐。引出端表面涂层应为镀金、镀锡或浸锡。对引出端材料和徐层要求选择或另有要求时，在合同或订单中应明确规定(见6.3)。3.2.2器件结构
采用硅P构道耗尽型结构
3.2.3外形尺寸
外形尺寸按 GB 7581的 A3 -01B型及如下规定,见图 1。代号
0. 35(x(
图 1外形尺寸
3.3最大额定值和主要电特性
3.3.1最大额定值
TA=25C
A3-01B
引出端极性：
1.源极2.栅极3.翻极
T,和Ta
- 65 ~ + 200
S56033/86-1995
注：1)T,>25℃时，接3mW/C的速率线性降频。2)几何菌形对称，充许源与爆引线互指对换工作。3.3.2主要电特性(T。=25℃）
符号（单位）
Isa）（mA)
Vps(on) (V)
Veasrot(v)
ra)(a)
测试条件
Vos -- 18V, Ves - -
Vrs= - 15V, Vcs - 0
Vig= -15V, Vcss=0
Fp= - 15mA, Ves-0
[I-= -7mA, Vcs- 0
I,-3mA,Va=0
Vns- -15V
注：1)脉冲法（见4.5、1)。
3.4电测试要求
CS5114
CS5115
CS5116
CS5114
CS511s
CS5116
CS5114
CS5115
CS511G
CS5114
CS5115
CS5116
电测试应符合GB4586及本规范的规定。3.5标志
器件的标应按 GJB 33 的规定。4质量保证规定
抽样和检验
抽样和检验应接GJB 33和本规范的规定。4.2鉴定检验
鉴定检验应按 GIB 33 的规定。4.3筛选(仅对GT和GCT级）
最小值
最大值
筛选应按GJB33表2和本规范的规定。其测试应接本规范表1进行，超过本规范表1极限值的器件应子剔除。
TTKAONKACa-
(GJB33表2)
6,高温反偏
7、中间参效测讨试
8.功率老化
9,最后测试
4.4质量一致性检验
SJ 50033/86 -- 1995
不要求
不要求
Icsst Ipss Ioi和ecn)
TA - I50C, Vas = 0V, Vcs = 24V本规范表1的A2分组：
Acss-±0.InA或初始值的上100%，取较大者Ixefi和 Ar dton) = ±20% :A[rs= ± 15 % 。质量一致性检验应按GIB33的规定进行。4.4. 1 A组检验
A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4.4.2B组检验
B 组捡验应按 GIB 33 和本规范表 2 的规定进行。最后测试和变化量(4)要求应按本规范表 4 的步进行。
4.4.3C组检验
C组检验应按GIB33和本规范表3的规定进行。最后测试和变化量（4）要求应按本规范表4的步骤进行。
4.5检验和试验方法
检验和试验方法应按本规范相应的表和下列规定。4.5.1脉冲测试
脉冲测试应按GIB128的3.3.2.1的规定。4.5.2并关时间测试
开关时间的测试条件和元件值见下表：型
CS5114
CS5116
Vosceni
Yecs at
检验或试验
AI分组
外观和机械检验
A2分组
栅源击穿电压
极截止电流
零册压漏极电统
CS5114
CSs11s
CS5116
漏报截止电流
CS5114
CS5115
css[16
漏一源道态电压
CS5114
CS5115
CS$116
栅--源载上电压
CS5114
CS5ILS
CS5116
小岩号凝一源通态
CS5114
CS5115
CS5116
A3 分组
高温工作：
栅极裁止电流
GHB128
SI50033/86-1995
表1A组验
GB45B6
漏源短路
Ic-lμA
Vns = 0
漏源短路
Vas = 20V
栅源短路
Ves = 0
Vrs — -18V
Vm= -15V
Vrs= - 15V
Vrs=-15V
Vis=12V
Vcs-7V
Vcs=sV
Ycs= 0
Ip= -I5mA
In 7mA
ID=3mA
Vrs=-15V
p-- IA
Vcs =d
源短路
VrR=20V
ViSRIG
Icssi
Io ait
Vtsten)
Tal(oa)
最小道
最大值
TKAONKAca
检验或试验
漏极截止电流
CS5114
CS5115
CS5116
A4分组
并启延迟时间
CS5114
CS5116
上升时间
CS5114
CS5115
CS5116
关闭延返时闻
CS5114
CSS115
CS5116
下降时间
CS5114
CS5115
CS5116
小信号共源短路
输入电容
CS5114
CS5115
CS5116
小信号共溪短路
反碘电容
CS5114
CS5116
A5、A6和A7分组
不适用
—6—
SJ50033/86—1995
续表1
CE 4586
VDs= -15V
Vcs = 12V
Ves-5V
见4、5、2
见4.5、2
见4,5,2
见45、2
Vns= -15
f=1MHz
Ves=12V
Ves= sV
最小值最大值
检验或试验
B1分组
标志的耐久性
B2分组
热冲击(混度循环）
a.细检凝
b.粗检漏
最启测试：
B3分组
稳态工作寿命
高温反偏)
最后测试：
B4分组
开幅内部目拉
设计验证）bZxz.net
键合强度
BS 分组
不遂用
B6 分组
高温寿台(不工作)
最后测战
检验或试验
C1分矩
外形尺
C2分组
热冲击(玻璃应力)
引出端强度
a细检
b.相检漏
SJ50033/86-1995
表 2 B组检验
GJB128
试验案件H
试验条件C
见表 4, 步骤 1 和 2
TA=125
Ves=24V
Vrs=0V
见表 4,步骤3和 4
试验条件 A,
每个器件所有的内部引线分别进行拉力试验FA=150c
见表 4,步骤 3 和 4
表 3 C组检验
GJB 128
试验条件A
试验条件E
试验条件H
试验条件 C
每批一个，
学失效
TTKAONKACa-
检验或试验
综合温度/湿度周期试验
外观及机械检验
最后測试
C3分组
变频振动
恒定加速度
最后测试：
C4 分组
(适用时）
CS分组
不适用
C6 分组
稳态工作寿命
（高溢皮偏）
最后汉试：
检验和试验
小信号塌源通态
CS5114
CS5115
CSS116
通极藏让电流
CSSLIS
CSs1l6
通盐止电流
CS5114
CSS11s
CS5116
4小信号凝源道态
CS5114
CS5115
CS5116
5交货准备
SJ50033/86-1995
续表3
GJB 128
见表 4,步骤 1和2
见表 4, 步骤1和2
Ta= 125
Vcs=24V
况表 4, 步骤 3 和 4
表4°B组和C组的最后测试
GB4586
Ycs=0, 1,-0
f-1kHe
Vpg= 15V
VGs= 12V
VGs=7V
Vus-sV
Vps=-15V
VGs=12V
Ves=7V
Ves=sV
Vcs-0,In-0
f= lkHz
T'det on)
最小慎
最大值
5.1包装要求
包装要求应接 GJB 33 的规。
5.2存要求
贮存要求应按 GJB 33 的规定。5.3运输要求
运输要求应接GJB33的规定。
6说明事项
6.1萌定居途
SJ50033/86-1995
符合本规范的件新设备设计使用和供现有的后勘保摩用。6.2订货资料
合同或订货单应规定下列内穿：a、本规范的名称和编号；
h.等级(见1.3.1);
e：数量
d。需要时,其他要求。
6.3对引出端涂层有特殊要求时，应在合间或订货单中规定（见3.2.1),如使用单位需要时，典型待性曲线等可在台同或订货单中规定。附加说明：
本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由中国电了技术标准化研究所和七四六厂共同起草。本规范主要起草人：王长福、张宗国、徐锦仙。计划项月代号;F21015,
YKAOIKAca-
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