SJ 50033.89-1995 半导体分立器件 CS6768和CS6770型硅N沟道增强型场效应晶体管详细规范 SJ50033.89-1995 标准下载解压密码：www.bzxz.net

中华人民共和国电子行业军用标准FL5961
SJ50033/89-—1995
半导体分立器件
CS6768和CS6770型
硅N沟道增强型场效应晶体管
详细规范
Semiconductor discrete deviceDetail specification for type C 6768and CS 6770silicon N channel enhancement mode field effect trartsistor1995-05-25发布
1995-12-01实施
中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
CS6768 和 CS6770型
硅N沟道增强型场效应晶体管
详细规范
Semiconductor discrete deviceDetail specifi cation for type Cs676a and Cs6770Silicon N-chanuel enhancement mode field-effecl transistor1范围
SJ50033/89-1995
1.1主题内容
本规范规定了CS6768和CS6770型硅N沟道MOS增强型功率场效应晶体管（以下简称器件>的详细要求。
1.2适用范围
本规范适用于器件的研制、生产和采购。1.3分类
本规范根据器件质昼保证等级进行分类。1.3.1器件的等级
按按GJB33<半导体分立器件总规范1.3条的规定，提供的质量保证等级为普军、待军和超特军三级，分别用字母GP、GT和GCT表示。2引文件
GB4586-84场效应晶体管测试方法GB6571一86小功率信号二极管、稳压及基准电压二极管测试方法GB7581-87半导体分立器件外形尺寸GJB33—B5半导体分立器件总规范GJB128—86半导体分立器件试验方法3要求
3.1详细要求
各项要求应按GJB33和本规范的规定。3.2设计、结构和外形尺
器件的设计、结构和外形尺寸应按GIB 33和本规范的规定。中华人民共和国电子工业部1995-05-25发布1995-12-01实施
TKAoNiKAca
3.2.1引出端材料和涂层
SJ 50033/89-1995
引端材料应为可伐或铜。引出端表面涂层应为镀金、镀锡或授锡。对引出端材料和涂层要求选择或另有要求时，在合同或订单中应明确规定(见6.3)。3.2.2器件结构
采用硅N沟道MOS增强型外延平面结构。不允许多个芯片结构。3.2.3外形尺十寸
外形尺寸按GB7581的A3-01B型及如下规定，见图1。.sx
橱极(管荒)
尺代号
引出端强度
B2 - 01C
SJ 50033/891995
B2-01C
图1外形尺寸
3.3最大额定值和主要电特性
3.3.1最人额定值
: T.-25℃
CS6768
CS6770
TA=25C
Tc=25*
1)Tc>25T时，按1.2W/七的速率继性降辆。注：
2)超过Tc-25时的降额按公式
Te-100
P（额定道此内容来自标准下载网
式中：P(额定值)=[150-(Tc-25)(1.2)]WK- rDsan)的最大值(在 T;=150下)。3.3.2主要电特性【TA=25C】
V(RR)DS
Ves=0V
CS6768
CS6770
Ip=1mA
≥400
Vrs Vos
往：1)脉冲法(见4.5.1)。
3.4电测试要求
Vre * 80%的
Vr额定值
电测试应符合GB4586及本规范的规定。(A)
Vas-10v
T,=25t
在 下
Top和
T,=150c
在「e下
Ves? Vpo
(低气压）
-TrKAONTKAa-
3.5标志
SJ 50033/891995
器件的标志应按GJB33的规定。
3.6静电放电保护
本规范规定的各种器件要求静电保护(见6.4)。质量保证规定
4.1抽样和检验
抽样和检验应按GIB33和本规范的规定。4.2监定检验
鉴定检验应接GJB33的规定。
4.3筛选(仅选 GT和 GCT级）
筛选应按GJB33表2和本规范的规定。其测试应按本规范表1进行，超过本规范表1极限值的器件应于除。
[GJB33表2]
测试或试验
试验条件 F. 但低温为 - 55和 20 个精环除外见 4.5.4
1042方运的试验条件B
InsaIrsst Itstt Vasrhi?
1042方法的试验条件A
本规范表 1 的 A2 分组;
4Icst=±20mA或初始值的±100%,取获大者：AIml=±20mA或初始值的±100%，取较大者；=韧值的±20%；
4 VGir=初始值的±20%1a
注：1)应在筛选6以前的任何时间内进行。2)本试验方法决不离床着重某需期能量值,而是为了确保产品质量。4.4 质量一致性检验
质量一致性检验应按GJB33的规定进行。4.4.1 A 组检验
A组检验应按 GJB 33和本规范表 1的规定进行。4.4.2R组检验
B组检验应按GTB33和本规范表2的规定进行。最后测试和变化量（4）要求应按本规范表4的步骤进行。
4.4.3C组检验
SJ50033/89-1995
C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行。最后刻试和变化量（4）要求应按本规范表 4的步进行。
4.5检验和试验方法
检验和试验方法应按木规范相应的表和下列规定：4.5.1 脉冲测试
脉冲测试应按GJB128的3.3.2.1的规定。4.5.2热阻抗
热阻抗谢量应按 GB4586方法 18进行。R thJet mx)=0.83/W。测试条件如下;日。测量电流 Im为 10mA;
b，漏极加热电流IH为4A;
e.加热时间为稳态：
d。漏一源加热电压V为25V；
e：测量时间延退1MD为 10至80；f.瞬间脉冲时间tgw为10us(max)。4.5.3热响应 4 Vsp测量(暂不做) Vsp测量应按 GB4586 方法 18进行。 测量 4 Vsp的条件 LH和 VH的最大极限,应根据热响应曲线的每个读数导出，并应符合鉴定前的一致性证书的规定。测试条件如下：a.测量电流IM为10mA:
b. 漏极加热电流 IH 为 4A;
e。 加热时问 H 为 100ms;
d.漏-源热电压V为25V(min)
e。 测蛋时间延迟 tMD为 10 至 80μsf、瞬问脉冲时间tsw为10us(max）。4.5.4非搭位感性升关（皙不做）测试条件如下：
a峰值电流p为6A；
b.蜂值极电压Vcs为10V；
C.栅一源电阻 Rcs按规定;
d，初始壳温为+251
e.电感为100μH±10%；
「.施加的脉冲数为1次;
g。 脉冲重复率为零。
4.5.5栅极应力试验（暂不做）
测试条件如下：
a. Vcs=30V (min)
b. t=250us (min)。
TKAoNiKAca-
检验或试酸
A1分组
外观和机械检整
A2分组
漏源击穿电压
CS6768
CS6770
拼源商电压
栅极漏泄电流
漏源漏泄电流
稳态漏源道态电阻
CS6768
CS6770
瑞源通态电压
CS6768
CS6770
源漏二极管的正
向电压
CS6768
CS6770
正向跨享
CS6768
CS6770
A3分组
高谨工作：
船摄漏报电流
源橱电痛
穗态痛源通态电阻
SJ 5Q033/89 -- 1995
表1A组检验
GB4586
Ves=0V
Ip=1mA
Vhs> Yes
fp=0.25mA
Ves=±20V
Vrs=0V
Vrs = 80% Yrs
（额定值）
Ves=10V
脉冲法(4.3.1)
Ves= 10V
脉冲法(4.5.1)
Ip=144
fu=12A
Ves= oV
脉冲法(4.5.1)
Ig=14A
Is- 124
Vrs= 1SV
脉冲法(4.5.1)
Te=T,= +125℃
Vcs±20V
Vrs=0V
Yes=0V
Yrs = 100 % Yrs
（额定值）
Vps=80%Vrs
（额定值）
Vcs=10V
脉冲法(4.5.1)
VisROEes
Vasr t
Tretml
Vestoo
T ES( an)2
极限慎
最大值
最小值
± 200
检验或试验
CS6T68
CS6770
栅源阀电压
低温工作：
诚阀电压
A4分组
开关时间
CS56768
CS6770
CS6768
CS6770
开启延迟时间
CS6768
CS6770
上升时间
CS6768
CS6770
关闭延迟时间
CS6768
CS6770
下降时间
C36768
CS6770
小信号共源短路输
人电容
小信导共源短路
出电容
小信号共源短路反
馈电容
反向恢复时间
CS6768
GB6571
SJ 50033/89-1995
续表1
GB4586
Ves? VGs
Te=I,- -53c
Yps Ves
In=0.25mA
Von=200V
Vro=25aV
Vos=10V
Vrs=25V
Ves=0V
J=1MHZ
Vps25V
F-IMHZ
Vog=25V
Ves-0V
f=1MHZ
4g :/ d,= 100A/ μs
Ir=14A
VcB(由
极限值
段大值
最小值
TKAONiKAca-
检验或试验
CS6770
A5 分组
安全工作区
试验1
C56768
CS6770
试验2
C36768
CS6770
最后测试
A6和A7分组
不适用
检验或试验
BI分组
可焊性
标志的耐久性
B2分组
热冲击(温度罐环)
a.组检漏
b. 粗检
最后测试
B3分组
间散工作寿命
最后测试：
SJ 50033/89-1995
续表1
GB4586
JE=12A
Tc=25±℃
[= 母,见围 2
Vos=-200V
Vrs-200V
Vts= 10.7V
fu-14A
Vrs-12.3V
Ip = 12A
见表4,步骤 1.
2,3,4,5,6和 7
表 2B组检验
GJB128
极限值
最小值
最大值
试验条件 F1,但低温为 -55C除外。试验条件 H
试验象件C
见表4,步骤1、2、3、4、5、6和7试验条作 D, 2000 个后环,每个循环至少1min。
现表 4,步显 1、2、3、4、5、6、7 和 8单位
检验或试验
B4 分组
开幅内部目检(设计验证)
键合强度
B5分组
热阻抗
（仅进行整定试验
B6 分组
高温寿的（不工作）
最后溉试：
检验或试验
C1分组
外形尺寸
C2 分组
热冲击(玻璃应力)
引出端强度(引线拉力）
8.细检漏
b.粗捡痛
外观及机械检验
最后测试：
C3分组
变凝振动
恒定加速度
最后測试：
C4 分组
(适用时)
SJ50033/89-1995
续表2
试验案伴 A,
每个器件所有的内部引娩分别进行拉力试整
见 4.5.2
Ta=150c
死表 4, 步骤 1、2,3、4,5,6 和 7表3C组检验
GJB 128
见图1
试验条件A
试验条伴 A
试验策件 H
试验条件C综合湿度/显度用期
见表 4, 步骤1、2.3,4,5,6 和 7见表 4, 步骤 1、2.3、4、5、6 和 7LTPD
每批一个器件
零失效。
-rKAONKAca-
检验或试验
低气压
CS6768
CS 6770
C6分组
间款工作寿命
最后测试
漏源击穿电压
CS6768
CS 6770
栅源潮电压
极极漏滑电筑
混源漏世电流
稳态漏源通态
CS 6768
CS 6770
澜源通态电压
CS 6768
CS6770
SJ 50033/891995
续表3
CJB128
试酸条件C,(9)要U.25mA
Vrs= 400v
Vrs= 500V
试验条件D,6000个循环，每个循环至少1min
现表 4,步疑1.2.3,4,5,6.7 和 8表 4 A组、B 组和 C 组的最后测试GB4586
Vas=0V
Ip= ImA
Vrs Vcs
Iμ=0.25mA
Ycs = ±20V
Vrs= oV
Vrs = 80% Vrs
(额定值）
脉冲法(4.5.1)
Ves- 10V
脉冲法(4,5.1)
Ip=I4A
I。=12A
V(HRHLSS
Ycsi a
rostmt
Yestua
极限值
最小值
最大值
源摄二极管的
正向电压
CS 6768
CS 6770
热响应
SJ50033/89-1995
续表4
GB 6571
VGs=0V
脉冲法(4.5.1)
1,=14A
I,=12A
见 4. 5.3
注：1）B组充许降低10%，C组允许降低30%。20
图2aCS6768安全工作区图
最小值
最大值
深源电压()
— 11 -
-rKAONKAca-
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