SJ 50033.91-1995 半导体分立器件3CD030型低频大功率晶体管详细规范 SJ50033.91-1995 标准下载解压密码：www.bzxz.net

中华人民共和国电子行业军用标准FL5961
SJ50033/91-1995
半导体分立器件
3CD030型低频大功率晶体管
详细规范
Semiconductor discrete devicesDetail specification for type3CD030low-fyequency and high-power transistor1995-05-25发布
1995-12-01实施
中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
3CD030型低频大功率晶体管
详细规范
Semiconductor discrete devicesDetail specification for type 3CD030Low-frequency and high-power transistor1范围
1.1主题内容
SJ50033/91-1995
本规范规定了3CD030B~F型低频大功率晶体管（以下简称器件）的详细要求。1.2适用范围
本规范适用于器件的研制、生产和采购。1.3分类
本规范根据器件质量保证等级进行分类。1.3.1器件的等级
按GJB33《半导体分立器件总规范》1.3条的规定，提供的产品保证等级为普军、特军和超特军三级，分别用字母GP、GT和GCT表示。2引用文件
GB4587-84双极型晶体管测试方法半导体分立器件外形尺寸
GB7581-87
GJB33--85
GJB128-—86
3要求
3.1详细要求
半导体分立器件总规范
半导体分立器件试验方法
各项要求应按GJB33和本规范的规定。3.2设计、结构和外形尺寸
器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。3.2.1引出端材料和涂层
引出端材料应为可伐。引出端表面应为锡层或镍层中华人民共和国电子工业部1995-05-25发布1995-12-01实施
3.2.2器件结构
采用扩散台面或外延台面结构。3.2.3外形尺寸
SJ50033/91-1995
外形尺寸应符合GB7581的B2-01B型及如下的规定。见图1。Do5x?z
3.3最大额定值和主要电特性
3.3.1最大额定值
3CD030B
3CD030C
3CD030D
3CD030E
3CD030F
Te=25c
图1外形图
注：1)Tc>25℃时按200mW/℃的速率线性地降额。-2
B2-01B
1—基极
2一发射极
集电极接外壳
-55~+175
主要电行性（T=25℃）
3CD030
le2=0.75A
黄：40~80
绿：60~120
蓝：100~180
SJ50033/91-1995
最大值
注：1)Ic和Im为3CD030BC的测试电流；Ic2和Im为3CD030D~F的测试电流。3.4电测试要求
Im=03A
In2=0.15A
最大值
电测试应符合GB4587及本规范的规定。3.5标志
标志应符合GJB33及本规范的规定。4质量保证规定
4.1抽样和检验
抽样和检验应按GJB33的规定。
4.2鉴定检验
鉴定检验应按GJB33的规定。
VeE=5V
最小值
R(thi-e
VcE-5V
25℃AT25℃
最小值
4.3筛选（仅对GT和GCT级）
筛选应按GJB33表2和本规范的规定。其测试应按本规范表1的规定进行，超过本规范表1极限值的器件应予剔除。
（见GJB33的表2）
7.中间电参数测试
8.功率老炼
9最后测试
4.4质量一致性检验
Icroi和hfFi
测试或试验
功牵老炼条件如下：
T,=162.5±12.5
Vor=25V
P≥20W
按本规范表1的A2分组
△Ic30l≤初始值的100%或300μA，取较大者△hF≤初始值的+20%
质量一致性检验应按GJB33的规定。3
4.4.1A组检验
SJ50033/91-1995
A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4.4.2B组检验
B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行。4.4.3C组检验
C组检验应按GIB33和本规范表3的规定进行。4.5检验方法
检验方法应按本规范相应的表和下列规定：4.5.1脉冲测试
脉冲测试条件应按GJB128的3.3.2.1的规定。表1A组检验
检验或试验
A1分组
外观及机械检验
A2分组
集电极-发射极
击穿电压
3CD030B
3CD030C
3CD030D
3CD030E
3CD030F
发射极-基极
击穿电压
集电极基极
截止电流
集电极-发射极
截止电流
集电极-发射极
饱和电压
3CI>030B~C
3CD030D~F
基极-发射极
饱和电压
3CD030B~C
3CD030D~F
GJB128
本规范
附录A
CB4587
发射极-基极开路；
Ic=ImA
集电极-基极开路：
Ig=1mA
发射极-基极开路；
Vca=VcBO
发射极-基极开路；
VcE=0.5Vcro
Ici=1.5A;Im=0.3A
cz=0.75A;I-015A
脉冲法（见45.1)
fa=1.5A;Im=0.3A
Ic-0.75A;=015A
脉冲法（见451)
V(BR)CEO
V(BR)EBO
VcE st
VnE ant
极限值
检验或试验
正向电流传输比
3CD030B~C
3CD030DF
高温工作：
集电极-基极
截止电流
低温工作：
正向电流传输比
3CD030B-C
3CD030DF
A4分组
特征频率
A5分组
安全工作区
（直流）
试验1
试验2
试验3
3CD030B
3CD030C
3CD030D
3CD030E
3CD030F
最后测试：
按图2
SJ50033/91-1995
续表1
GB4587
Vce=5V
脉冲法（见4.5.1）
T=125±5C
发射极-基极开路；
Vcm0.7Vco
TA--55t
Vee=5V
脉冲法（见4.5.1)
f=1MHz
Te=25t
2=1s,单次
Ve=10V
Vce=20V
Vce=100V
Ic=72mA
Vce=150V
Ic=26mA
Vce=200V
Ic=20mA
Va=250V
Ic=13.8mA
Vae=300V
Ic=10mA
见表4步骤1和3
极限值
B1分组
可焊性
检验或试验
标志的耐久性
B2分组
热冲击
（温度循环）
a.细检漏
b.粗检漏
最后测试：
B3分组
稳态工作寿命
最后测试：
B4分组
（仅对GCT级）
开帽内部目检
（设计核实）
键合强度
B6分组
高温寿命
（非工作状态）
最后测试：
检验或试验
CI分组
外形尺寸
C2分组
热冲击
(玻璃应力）
引出端强度
SJ50033/91-1995
表2B组检验
GJB128
低温-55℃
其余为试验条件F-1
试验条件H
试验条件C
见表4步骤1和3
T,=162.5±12.5C
VcE=25V
Pm≥20W
见表4步骤2和4
试验条件A
T=175C
见表4步骤2和4
表3C组检验
GJB128
见图！
试验条件B
试验条件A
外加力：20N
时间：10s
受试引出端数：2
LTPD符
每批一个
器件，
0失效
20(C=0)
极限值
最小最大
检验或试验
a.细检漏
b.粗检漏
综合温度/湿度
周期试验
外观及机械试验
最后测试：
C3分组
变频振动
恒定加速度
最后测试：
C4分组
（适用时）
盐气（侵蚀）
C6分组
稳态工作寿命
最后测试：
C8分组
SJ50033/91-1995
续表3C组检验
GJB128
试验条件H
试验条件F
见表4步骤1和3
按总规范
按总规范
见表4步骤1和3
T=162.5±12.5℃
Vc=25V
Pm≥20W
见表4步骤2和4
Vc=10V
GB4587
25℃≤T≤75℃
LTPD符
R(bi-e
极限值
最小最大
集电极-基极截止电流
集电极-基极截止电流
正向电流传输比
3CD030B~C
3CD030D～Fbzxz.net
正向电流传输比
3CD030B~C
3CD030D~F
SJ50033/91-1995
表4A组、B组和C组最后测试
GB4587
发射极-基极开路：
VcB= VcBO
发射极-基极开路：
VeB-VcBO
Vee-SV
脉冲法（见4.5.1)
Vce=5V
脉冲法（见4.5.1)
注：1)本测试超过A组极限值的器件不应接受。5交货准备
5.1包装要求
包装要求应按GJB33的规定。
5.2贮存要求
贮存要求应按GIB33的规定。
5.3运输要求
运输要求应按GJB33的规定。
6说明事项
6.1预定用途
符合本规范的器件供新设备设计使用和供现有的后勤保障用。6.2订货资料
合同或订货单应规定下列内容：a、本规范的名称及编号：
b.等级(见1.3.1)
c.数量；
d.需要时，其他要求。
最小值最大值
AhFetn
初始值的
6.3对引出端材料和涂层有特殊要求时，应在合同或订货单中规定（见3.2.1）。6.4
如需要时，典型特性曲线等可在合同或订货单中规定。6.5直流安全工作区见图2。
SJ50033/91-1995
3CD030B
3CDo30o
CD030D
3CDO30E
3CDO3:0EA
集电极-发射极电压VcE（V）
图23CD030的直流安全工作区
附录A（标准的附录）
A1目的
集电极一发射极击穿电压测试方法本测试的目的是为了在规定的条件下，确定晶体管的击穿电压是否大于规定的最低极限。A2
测试电路图
可调电压源
图A1集电极-发射极击穿电压测试电路注：在测试电流时，电流表的接头之间实际上可看成短路，或对电表读数作因电流表压降的校正。限流电阻R应足够大，以避免过度的电流流过晶体管和电流表。A3步骤
施加电压达到规定的测试电流。如果在规定的测试电流下所加的电压大于V(BR)CEo的最低极限，晶体管为合格。
本测试方法意在表现晶体管负阻击穿特性，在这种情况下必须使晶体管的集电极电流及结温保持在安全值以内。
规定条件
环境度TA：
b.测试电流Ic;
偏置条件。
附加说明：
本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由中国电子技术标准化研究所负责起草。本规范主要起草人：蔡仁明、于志贤、佟桂云。计划项目代号：B31004。
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