SJ 50033.95-1995 半导体分立器件3DG144型NPN硅高频低噪声小功率晶体管详细规范 SJ50033.95-1995 标准下载解压密码：www.bzxz.net

中华人民共和国电子行业军用标准FL5961
SJ50033/95—95
半导体分立器件
3DG144型NPN硅高频
低噪声小功率晶体管
详细规范
Semiconductor discrete devicesDetail specification for type 3DG144 NPN siliconhigh-frequency Low-noise Low-power transistot1996-06-14发布
1996-10-01实施
中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
3DG144型NPN硅高频低噪声小功率晶体管详细规范
Semiconductor discrete deviceDetail specification for type 3DG144 NPN siliconhigh-freguency Low-noise Low-power transistor1范围
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1.1主题内容
本规范规定了3DG144型NPN硅高频低噪声小功率晶体管（以下简称器件）的详细要求。1.2适用范围
本规范适用于器件的研制、生产和采购。1.3分类
本规范根据器件质量保证等级进行分类。1.3.1器件的等级
按GJB33《半导体分立器件总规范》1.3条的规定，提供的产品保证等级为普军、特军和超特军三级，分别用字母GP、GT和GCT表示。2引用文件
GB4587—84双极型晶体管测试方法GB7581-87半导体分立器件外形尺寸GJB33-85
GJB128—86
3要求
3.1详细要求
半导体分立器件总规范
半导体分立器件试验方法
各项要求应按GJB33和本规范的规定。3.2设计、结构和外形尺寸
器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。3.2.1引出端材料和涂层
中华人民共和国电子工业部1996-06-14发布199610-01实施
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引出端材料应为可伐或其它金属。引出端表面涂层应为镀金、镀锡或浸锡。引出端材料和涂层要求选择或另有要求时，在合同或订单中应明确规定（见6.3）3.2.2器件结构
采用NPN硅外延平面型结构。
3.2.3外形尺寸
外形尺寸按GB7581<半导体分立器件外形尺寸>的A4－01B型及如下规定，见图1：D
0.35(M）
1.发射极
3.集电极
图1外形尺寸
3.3最大额定值和主要电特性
最大额定值
3DG144
TA=25C
Te=25c
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A4-01B
注：1)T。>25℃，按0.57mW/℃的速率线性降额。2)Tc>25℃，按1.7mW/℃的速率线性降额。3.3.2主要电特性（T=25℃）
T和T,
-65~+200
符号(单位）
Sr(GHz)
CoeoXE)
VsE(sn)(V)
G,(dB)
3.4电测试要求
测试条件
Vee=6V
Ic=ImA
Vce=6V
Ic=2mA
Vae=6V
Ic=5mA
VcE=6V
Ig=2mA
f=400MHz
Vce=6V
f=1MHz
Ic-5mA
Ic=5mA
Ig=ImA
Ig=2mA
f=600MHz
IE=2mA
f=600MHz
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3DG144
3DGI44A
3DG144B
3DG144C
电测试应符合GB4587及本规范的规定。3.5标志
器件的标志应按GIB33的规定。
4质量保证规定
4.1抽样和检验
抽样和检验应按GJB33和本规范的规定。4.2鉴定检验
最小值
最大值
鉴定检验应按GJB33的规定。
4.3筛选（仅对GT和GCT级）
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筛选应按GJB33表2和本规范的规定。其测试应按本规范表1进行，超过本规范表1极限值的器件应予剔除。
（见GJB33表2）
7、中间参数测试
8、功率老化
9、最后测试
4.3.1功率老化条件
功率老化条件如下：
TA=25±3℃
VcB=8V
Prot=100mW
注：不允许器件上加散热器或强迫风冷。4.4质量致性检验
IcBon和hF3
则试和试验
按本规范表1的A2分组；
AIcOI=初始值的100%或15nA，
取其较大者;△hFE3=±20%
质量一致性检验应按GJB33的规定进行。4.4.1A组检验
A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4.4.2B组检验
B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行。最后测试和变化量（）要求应按本规范表4的步骤进行。
4.4.3C组检验
C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行。最后测试和变化量（△）要求应按本规范表4的步骤进行。
4.5检验和试验方法
检验和试验方法按本规范相应的表和下列规定。4.5.1脉冲测试
脉冲测试应按GJB128的3.3.2.1的规定。5
检验或试验
Al分组
外观和机械检验
A2分组
集电极-基极
击穿电压
集电极-发射极
击穿电压
集电极-发射极
击穿电压
集电极-基极
截止电流
发射极-基极
截止电流
正向电流传输比
正向电流传输比
正向电流传输比
正向电流传输比
集电极-发射极
饱和压降
基极-发射极
饱和压降
A3分组
高温工作：
集电极-基极免费标准bzxz.net
截止电流
低温工作：
正向电流传输比
A4分组
特征额率
开路输出电容
噪声系数
3DG144A
3DG144B
3DG144C
GJB128
本规范
附录A
本规范
附录A
GB4587
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表 1 A组检验
发射极-基极开路
Ic=50μA
发射极-基极开路
Ic=50μA
发射极-基极开路
Ie=lmA
脉冲法（见4.5.1)
发射极-基极开路
Vca=15V
集电极-基极开路
VER=3V
Vc=6V、Ic=0.2mA
VcE=6V、Ic=1mA
VcE=6V.Ic=2mA
Vce=6V.c=5mA
Ic=5mA,I.=lmA
Ic=5mA,I=1mA
TA=150
发射极-基极开路
Vcn=10V
TA--55C
VcE=6VIc=2mA
Vc=6V.Ic=2mA
f=400MHz
Vc#=6V、1=0
f=1MHz
VcE=6V、Ig=2mA
f=600MHz
V(BR)CBO
V(BR)CEOI
V(BR)CEO2
VcE sat)
VE(ut)
极限值
检验或试验
功率增益
A5、A6和A7分组
不适用
检验或试验
B1分组
可焊性
标志的耐久性
B2分组
GB4587
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续表1
Vce=6V.Ig=2mA
f=600MHz、
表2B组检验
热冲击（温度循环)
a细检漏
b粗检漏
最后测试
B3分组
稳态工作寿命
最后测试
B4分组
开帽内部目检
(设计验证)
键合强度
BS分组
不适用
B6分组
高温寿命（不工作）
最后测试
受试引出端数4
试验条件C-1
试验条件H
试验条件C
见表4,步骤1.3和4
Vcg=8V、Pt=100mW、
T。=25±3C
不允许器件加散热器或强迫风冷见表4，步骤2和5
目检标准按鉴定时的设计
试验条件A
TA=200℃
见表4,步骤2和5
极限值
每批一个器件、
0失效
20(C=0)
C1分组
外形尺寸
C2分组
检验或试验
热冲击（玻璃应力）
引出端强度
a细检漏
b粗检漏
综合温度/湿度
周期试验
外观及机械检验
最后测试
C3分组
变频振动
恒定加速度
最后测试
C4分组
盐气(适用时)
CS分组
不适用
C6分组
稳态工作寿命
最后测试
检验或试验
集电极-基极
截止电流
集电极-基极
截止电流
集电极-发射极
饱和压降
正向电流传输比
正向电流传输比
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表3C组检验
GJB128
见图1
试验条件A
试验条件E
试验条件H
试验条件C
见表4步1、3和4，
见表4步骤1、3和4
TA=25±3C.Vc=8V
P=100mW
不允许器件加散热器或强追风冷见表4步骤2和5
B组和C组的最后的测试
GB4587
发射极-基极开路
VcB=15V
发射极-基极开路
VcB=15V
le=5mA
Vce=6V.lc=2mA
VcE=6V.Ic=2mA
VeElst)
极限值
初始值的±25%
入=10
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注：1）对于本试验，超过A组极限值的器件不应接收。交货准备
5.1包装要求
包装要求应按GJB33的规定。
5.2贮存要求
贮存要求应按GJB33的规定。
5.3运输要求
运输要求应按GJB33的规定。
说明事项
预定用途
符合本规范的器件供新设备设计使用和供现有的后勤保障用。6.2订货资料
合同或订货单应规定下列内容：a：本规范的名称和编号；
b等级（见1.3.1)；
c.数量；
d.需要时，其它要求。
6.3对引出端涂层有特殊要求时，应在合同或订货单中规定（见3.2.1)。如使用单位需要时，典型特性曲线等可在合同或订货单中规定。9
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附录A
集电极-发射极击穿电压的测试方法(补充件)
本测试的目的是为了在规定的条件下确定晶体管的击穿电压是否大于规定的最低极限A2测试电路
测试电路见A1。
集电极-发射极击穿电压测试电路A3步骤
电阻器R1为限流电阻，应足够大，以避免过度的电流流过晶体管和电流表。在发射极-基极开路的条件下，增加电压值到达到规定的测试电流。如果在规定的测试电流下所加电压大于V(BR)CEO的最低极限值，则晶体管为合格。附加说明：
本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由中国电子技术标准化研究所和中国华晶电子集团公司起草。本规范主要起草人：孙勤、谢假兰。计划项目代号：B31003。
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